SUSS MicroTec的三维集成解决方案
探索第三维度
前沿技术的发展，带来互连密度和IC制造成本的不断增长，用于IC集成和封装的三维架构正在切实可行地替代常规的标准二维设计。
三维集成主要可以分为两大类：三维封装和三维互连。三维封装指器件的封装级堆叠，不包括穿透硅衬底的互连。三维封装包括封装内封装（PIP）、层叠封装（POP）等种类，通常使用引线键合的方式进行连接。SUSS提供精密的设备，可以用于厚胶和崎岖表面的应用。另一方面，三维互连是将硅片充分减薄后，通过穿透体硅的通孔进行器件的连接。这些通孔被称为穿透硅通道（TSV’s）。
三维互连的应用场合包括CMOS图像传感器、存储器、混合信号单元、可编程逻辑阵列（FPGA）和微处理器。CMOS图像传感器引领着穿透硅通道三维互连技术的应用方向。存储器的应用已经开始采用三维堆叠技术，它的原因则来自于对存储密度增加和体积缩小的迫切需求。手机等消费电子产品已经是三维叠技术的主要驱动力。三维封装的应用包括CMOS图像传感器、存储器和混合信号单元。
SUSS MicroTec致力于提供世界级的三维封装和三维互连工艺设备。依靠亚微米级的对准精度和无与伦比的工艺参数控制技术，SUSS可以满足现在和将来三维工艺的需求。