厚胶光刻

厚胶光刻是晶圆凸点和先进的晶圆级封装技术中不可缺少的部分。它采用的工艺设备是先进的掩模对准光刻机和步进光刻机，而涂胶技术则主要采用旋转涂敷和喷雾涂敷两种方式。

掩模对准光刻机是1倍全场曝光系统。与步进光刻技术相比，它可以实现更低的成本和更佳的易用性。所有SUSS的生产型对准光刻机都可以装配大曝光间距光学模块（LGO），该模块可以帮助光刻机在厚度达到100µm甚至更大的光刻胶薄膜上实现侧墙几乎垂直的高深宽比图形。此外，SUSS的掩模对准光刻机还支持拥有SUSS专利的SupraYield性能增强技术，该技术有助于提高光刻的分辨率和层间对准精度，并进而提高晶圆的良率。甚至对于极苛刻的性能要求，SupraYield技术也可以实现低成本的掩模对准光刻。

对于晶圆凸焊和晶圆级封装而言，光刻胶工艺的挑战在于必须拥有性能极佳的涂胶、烘烤和显影模块，以确保客户生产环境下所需工艺的品质。SUSS MicroTec开发了性能优良的旋转和喷雾涂胶系统，可用于晶圆级封装所需的厚胶、聚酰亚胺和BCB等材料的涂敷。

 

Application Results

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再钝化和应力缓冲层 Asahi PIMEL I-8000系列聚酰亚胺，suppressed crowing.固化后厚度5µm。采用SUSS设备涂胶曝光

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再钝化和应力缓冲层 HD4000聚酰亚胺 374°C固化后剖面紧缩 采用SUSS设备涂胶曝光

Wafer Bumping 3

光敏BCB 5µm铜，12µm BCB，5µm铜 ，40µm曝光间距 采用SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 THB 151N，负性光刻胶 厚度65µm，50µm焊料模具，75µm曝光间距，宽光谱曝光 采用SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 Clariant AZ50XT，正性光刻胶 厚度75µm，100µm焊料模具，50µm曝光间距，宽光谱曝光 采用 SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 TOK_DFR P 50100，干膜抗蚀剂 厚度110µm，窗口尺寸50µm 50µm接近式，采用SUSS设备涂胶曝光

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金凸点光刻 TOK PMER P-CA 1000PM，正性光刻胶，化学放大 凸点/间距 20/7µm（顶部）和20/5µm（底部） 采用SUSS ACSPlus涂胶系统和MA300Plus掩模对准光刻机进行涂胶曝光

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金凸点光刻 TOK PMER P-CA 1000PM，正性光刻胶，化学放大 凸点/间距 20/5µm 采用SUSS ACSPlus涂胶系统和MA300Plus掩模对准光刻机进行涂胶曝光

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AZ EXP 125nXT-10A 胶厚60µm，线条间距特征尺寸10µm，结构高宽比6：1 采用SUSS MA200CC对准光刻机曝光 图片经安智光刻电子材料公司许可

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60µmAZ EXP 125nXT-10A，胶厚60µm，柱尺寸10µm 结构深宽比6：1 图片经安智光刻电子材料公司许可