晶圆凸点技术

厚胶光刻是晶圆凸点和先进的晶圆级封装技术中不可缺少的部分。它采用的工艺设备是先进的掩模对准光刻机和步进光刻机,而涂胶技术则主要采用旋转涂敷和喷雾涂敷两种方式。

掩模对准光刻机是1倍全场曝光系统。与步进光刻技术相比,它可以实现更低的成本和更佳的易用性。所有SUSS的生产型对准光刻机都可以装配大曝光间距光学模块(LGO),该模块可以帮助光刻机在厚度达到100µm甚至更大的光刻胶薄膜上,实现侧墙几乎垂直的高深宽比图形。此外,SUSS的掩模对准光刻机还支持拥有SUSS专利的SupraYield性能增强技术,该技术有助于提高光刻的分辨率和层间对准精度,进而提高晶圆的良率。甚至对于最苛刻的性能要求,SupraYield技术也可以实现低成本的掩模对准光刻。

对于晶圆凸点和晶圆级封装而言,光刻胶工艺的挑战在于必须拥有性能极佳的涂胶、烘烤和显影模块,确保客户生产环境下所需工艺的品质。SUSS MicroTec的旋转和喷雾涂胶机性能卓越,可用于许多晶圆级封装的涂胶应用环境中,例如厚胶、聚酰亚胺和BCB等光敏聚合物。

 

SUSS MicroTec Equipment Results

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再钝化和应力缓冲层 Asahi PIMEL I-8000系列聚酰亚胺,suppressed crowing.固化后厚度5µm。采用SUSS设备涂胶曝光

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再钝化和应力缓冲层 HD4000聚酰亚胺 374°C固化后剖面紧缩 采用SUSS设备涂胶曝光

Wafer Bumping 3

光敏BCB 5µm铜,12µm BCB,5µm铜 ,40µm曝光间距 采用SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 THB 151N,负性光刻胶 厚度65µm,50µm焊料模具,75µm曝光间距,宽光谱曝光 采用SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 Clariant AZ50XT,正性光刻胶 厚度75µm,100µm焊料模具,50µm曝光间距,宽光谱曝光 采用 SUSS设备涂胶曝光

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焊料凸点光刻 TOK_DFR P 50100,干膜抗蚀剂 厚度110µm,窗口尺寸50µm 50µm接近式,采用SUSS设备涂胶曝光

ACS300 Coating Results

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11.3µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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17.1µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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300mm wafer for gold bumping with UBM Cr/Au, edge bead < 2.0mm. Coated with TOK PMER P-CA1000PM. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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AZ1505: 0.91µm resist on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.