键合预处理
熔融键合预处理是在实际熔融晶圆键合工艺之前的处理，为了实现高质量和高产率的键合结果。通过湿法化学以及/或者等离子体处理不仅可以去除有机物以及颗粒，还可以使得键合表面变得具有反应活性，因此可以实现更强的键合。熔融键合预处理最终使得熔融键合工艺可以兼容CMOS工艺，因为键合后退火温度可以远低于 450°C。
SUSS MicroTec熔融预处理设备包括手动以及完全集成化模块：NP12是常压等离子体活化独立模块，工作频率为 35千赫兹，通过全尺寸扫描衬底表面的方式进行活化，衬底最大尺寸可达300毫米。PL12是独立的还原气氛等离子体腔室，工作频率为350千赫兹。 MA/BA8Gen3对准机能够选配 SELECT等离子体模块。该系统独有的特点是可以进行选择性等离子体处理。 CL8/200的独立模块或者集群模块和 CL300集群模块都可以实现原位SC1化学预处理。
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