湿法清洗

在光掩模的清洗中通常采用物理和化学清洗技术相结合的方式来去除颗粒以及有机和无机污染物。

对于193i光刻和极紫外(EUV)光刻中所使用的光掩模,将高精度兆声与具有多种不同介质的二元纳米喷射技术相结合,这已被证明是一种极有效的去颗粒方法。
此外,创新的生态原位紫外技术为维护结构完好提供了非常广泛的无化学应用,如表面处理、光刻胶剥离、去除有机污物和最终清洗。 这样可以避免结构受损或者光掩模的光学性质发生改变。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 高效清洁以及较高的第一清洗产量 (first past cleaning yield)
  • 减少结构损坏
  • 通过原位紫外技术覆盖各种工艺
  • 保持分辨率
  • 降低成本 (CoO)

工艺技术

设备工艺
MaskTrack® Pro      光刻胶剥离、湿法清洗、表面处理、表面保存和净化
ASx 系列
湿法清洗
HMx 系列 湿法清洗、显影、刻蚀、光刻胶剥离