湿法清洗技术
适用于193i光刻以及极紫外光刻掩模板的清洗设备，通常采用物理和化学清洗技术相结合的方式来去除颗粒以及有机和无机污染（掩模正反面）：掩模污染会影响器件制造中光刻工艺的成像过程。若半导体工业迈向22纳米及以下工艺节点时，则需要更加高效率，然而非常宽容的清洗技术。
对于颗粒去除，若将高精度兆声与具有多种不同介质的二元纳米喷射工艺结合起来，那么将获得极高的颗粒去除效率
创新的“绿色”原位紫外技术具有非常广泛的无化学应用，如表面态设计；光刻胶剥离；去除有机沾污和最终清洗，这种清洗可以避免图形损伤或者掩模板光学性质改变，以保留图形的完整性。
结合表面处理，保存以及净化技术， MaskTrack® Pro是 SUSS MicroTec最新一代的清洗系统，可以提供最全面的解决方案来应对极紫外光刻和193i浸没光刻技术所带来的挑战
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- MegaSonic cleaning of a 6“ optical Cr Binary Photomask
- Cleaning by chemical free Insitu UV induced reactive species in liquid
- High Precision Nano Binary Spray
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