Fotolithografie für dicke Lackschichten

Dicke Fotolackschichten sind ein unverzichtbares Element im Wafer-Bumping und im Advanced Packaging auf Wafer-Ebene. Führende Systeme bei diesen Prozessen sind Mask Aligner und Stepper, die im Zusammenspiel mit Spin- und Sprühbelacker für die Resist Coating-Applikationen eingesetzt werden.

Mask Aligner sind 1X-Vollfeld-Belichtungssysteme, die im Vergleich zur konkurrierenden Stepper-Technologie niedrigere Betriebskosten und eine einfachere Bedienung bieten. Eine spezielle Optik für große Belichtungsabstände, der sogenannten Large Gap Exposure Optics (LGO), ermöglicht Produktionsalignern von SÜSS MicroTec, selbst fast senkrechte Seitenwände mit höchsten Aspektverhältnissen abzubilden, bei Resistdicken von bis zu 100 µm und mehr.

Applikations Ergebnisse

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Repassivierung und Pufferschichten Asahi PIMEL I-8000-Polyimid, Dicke: 5 µm nach Härtung, suppressed crowning. Coating und Belichtung mit Ausrüstung von SÜSS MicroTec.

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Repassivierung und Pufferschichten HD4000-Polyimid, Konisches Profil nach Härtung bei 374°C. Coating und Belichtung mit Ausrüstung von SÜSS MicroTec.

Wafer Bumping 3

Lichtempfindliches BCB 5 µm Cu, 12 µm BCB, 5 µm Cu, Proximity Gap 40 µm Coating und Belichtung mit Ausrüstung von SÜSS MicroTec.

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Solder Bump-Fotolithografie THB 151N, Negativlack Dicke 65 µm, Vertiefungen 50 µm, Abstand 75 µm, Breitbandbelichtung Coating und Belichtung mit Ausrüstung von SÜSS MicroTec.

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Solder Bump-Fotolithografie Clariant AZ50XT, Positivlack Dicke 75 µm, Vertiefungen 100 µm, Abstand 50 µm, Breitbandbelichtung Coating und Belichtung mit Ausrüstung von SÜSS MicroTec.

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Solder bump photo lithography TOK_DFR P 50100, dry film resist 110 micron thick, 50µm window 50µm proximity, Coated with SUSS Spin Coater and exposed with SUSS MA200 Mask Aligner

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Gold Bump-Fotolithografie TOK PMER P-CA 1000PM, Positivlack, chemisch verstärkt Bump/Abstand 20/7 µm (Vorderseite) und 20/5 µm (Rückseite), Coating und Belichtung mit SÜSS ACSPlus Coater und MA300Plus Mask Aligner

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Gold bump photolithography TOK PMER P-CA 1000PM, positive resist, chemically amplified Bump/space 20/5µm Coated and exposed with SUSS ACSPlus Coater and MA300Plus Mask Aligner

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AZ EXP 125nXT-10A Filmdicke 60 µm, 10 µm Linie/Abstand Features, Aspektverhältnis 6:1 Belichtung mit SÜSS MA200CC Aligner Foto: AZ Electronic Materials

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60 µm AZ EXP 125nXT-10A Filmdicke 60 µm, 10 µm Säulen Aspektverhältnis 6:1 Foto: AZ Electronic Materials