BA200 Gen2
Die Mask Aligner von SÜSS MicroTec sind bekannt für ihre Qualität, Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit. Das BA200 Gen2-Prozessmodul verwendet für die Wafer-Justage dieselbe Technologie wie sie sich in Tausenden von Mask Alignern von SÜSS MicroTec überall auf der Welt bewährt hat. Der sowohl mit dem ABC200- als auch mit dem CBC200-Bond Cluster kompatible BA200 Gen2 erreicht abhängig vom Prozess eine Justagegenauigkeit nach dem Klemmen im Fixture von bis zu 1,5 µm. Der BA200Gen2 ist vielseitig einsetzbar und fähig unterschiedlichste Substrate miteinander zu verbinden, angefangen von sehr kleinen Chips bis hin zu hochintegrierten Verbindungen (3D) für die Hochleistungschips der nächsten Generation.
Für die optimale Justage nach dem Bondvorgang wurden die patentierte Patmax® Autoalign-Technologie und der bewährte automatische Keilfehlerausgleichskopf von SÜSS MicroTec in den BA200 Gen2 integriert. Darüber hinaus gewährleistet der Rahmen aus Granit eine verbesserte thermische und mechanische Stabilität während des Justagevorgangs und ermöglicht so optimale Justage-Ergebnis
Eigenschaften & Highlights
- Mehrere Justagearten zur Auswahl: zwischen den Substraten (ISA), Rückseiten-(BSA)-Justage oder Vorderseiten (TSA)/IR-Justage
- Justagegenauigkeit nach dem Klemmen im Fixture von bis zu 1.5 µm (prozessabhängig)
- Ermöglicht das Bonden sowohl von sehr kleinen Substraten als auch von hochintegrierten 3D-Verbindungen für die Hochleistungschips der nächsten Generation
- Patentierte Patmax® Autoalign-Bildspeichertechnologie ermöglicht die Identifikation zahlreicher verschiedener Strukturen/Justiermarken, sowie das Erkennen von Beleuchtungsvarianten, sich ändernden Objektgrößen und -Positionierungen für eine präzise Justage
- Der automatische Keilfehlerausgleichskopf gleicht Schwankungen der Waferstärke und Keilfehler aus und ermöglicht so eine perfekte Justage und Belichtung. Das System verhindert den Kontakt zwischen oberem und unterem Wafer während des Prozessierens und eliminiert so das Risiko einer Wafer-Kontaminierung
ECTC 2012
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