Waferpräparation für Fusionsbondprozesse

Die Waferpräparation für Fusionbondprozesse findet vor dem eigentlichen Bondprozess statt. Diese Vorbehandlung garantiert sehr hohe Bondqualität bei gleichzeitig hohem Durchsatz. Bei nasschemischen und/oder Plasmaprozessen werden organische und partikuläre Verschmutzungen entfernt, gleichzeitig wird aber auch die Bondoberfläche aktiviert, so dass stärkere Bondeffekte erreicht werden. Zudem kann die Temperung nach dem Bonden nach den genannten Vorbehandlungsschritten bei Temperaturen von weit unter 450 °C stattfinden. Dadurch kann die CMOS-Kompatibilität dieses Bondprozesses sichergestellt werden.

SÜSS MicroTec bietet sowohl manuelle als auch vollständig integrierte Module für die Waferpräparationsschritte zum Fusionbonden an: Unser nP12 ist ein Einzelmodul für die Plasmaaktivierung bei Umgebungsdruck welches bei einer Frequenz von ca. 35 kHz arbeitet. Wafergrößen bis Waferoberfläche bis 300 mm werden von der Plasmaquelle abgescannt. Die PL12 ist eine Vakuumplasmakammer deren Generator bei einer Frequenz von 350 KHz arbeitet. Der Maskaligner MA/BA8Gen3 bietet optional die SELECT Plasma-Bearbeitung. Besonderes Merkmal dieser Anlage ist ihre Fähigkeit zu selektiver Plasmabehandlung. Das CL8/200 Einzel- oder Clustermodul und das CL300 Cluster-Modul ermöglichen die lokale Vorbehandlung mit SC1-Chemikalien oder DI-Wasser und Megasonic.