Nassreinigung

Bei der Fotomaskenreinigung werden typischerweise sowohl physikalische wie auch chemische Methoden verwandt, um Partikel und organische bzw. anorganische Verunreinigungen zu entfernen.

Für Fotomasken im Einsatz bei der hoch entwickelten 193i- und EUV- (“extreme ultraviolet”) Lithografie erweist sich die Kombination von hochpräzisen megasonischen und nanobinären Sprühtechnologien mit verschiedenen Medien als eine sehr gute Methode mit extrem hohen Effizienzraten bei der Partikelentfernung.

Darüber hinaus bietet die innovative umweltfreundliche in-situ-UV-Technik für die Erhaltung einer intakten Struktur eine große Palette an chemiefreien Prozessen wie Oberflächenaufbereitung, Lack-Stripping, Entfernung von organischen Verschmutzungen und die finale Reinigung. Somit werden Strukturschäden oder Änderungen der optischen Eigenschaften der Fotomaske vermieden.

Davon profitieren unsere Kunden

  • hoher Effizienz der Reinigung und hoher ersten Ausbeute nach der Reinigung (first past cleaning yield)
  • Reduzierung von Strukturschäden
  • Abdeckung verschiedener Prozesse durch eine Technologie (in-situ-UV)
  • Erhaltung der Auflösung
  • Niedriger Cost-of-Ownership (CoO)

Prozesstechnologien

EquipmentProzesse
MaskTrack® Pro      Lack-Stripping, Nassreinigung Oberflächenaufbereitung, Erhaltung von reinen Oberfläche
ASx-SerieNassreinigung
HMx-SerieNassreinigung, Entwicklung, Ätzen, Lack-Stripping