Plasmabehandlung

Plasmabehandlungen werden zur Oberflächenaktivierung bei Wafer- und Direkt-Bond-Anwendungen eingesetzt. Die Technologie basiert auf dem Prinzip der dielektrischen Barrierenentladung. Für die gleichmäßige Plasmaentladung sind zwei Elektroden notwendig, wovon mindestens eine mit einem ausreichend dicken Dielektrikum versehen wird und deren Abstand zueinander ausreichend klein sein muss. Wird nun Wechselspannung angelegt, kommt es bereits bei Atmosphärendruck zu einer gleichmäßigen Entladung, die den Einsatz von kostenintensiver Vakuumtechnologie überflüssig macht.

Selektive Plasmabehandlung

Herkömmliche Plasmaprozesse sehen in der Regel eine komplette Behandlung der Wafer-Oberfläche vor, was in manchen Fällen eine Beeinträchtigung der Funktionalität des betroffenen Mikro-Bauelements oder der Elektronik nach sich ziehen kann. Eine gemeinsame von SÜSS MicroTec und dem Fraunhofer Institut IST entwickelte Technologie zur lokalen Plasma-Behandlung aktiviert mikrometerkleine Bereiche von Wafern selektiv und versieht diese mit funktionalen Schichten. Sie bietet neue Möglichkeiten für die Gestaltung und Herstellung von Bauelementen, insbesondere bei MEMS-Anwendungen wie z.B. mikrofluidischen Kanälen, Biochip-Produktion oder der Verkapselung von Bauteilen.

Die selektive Plasmabehandlung sieht unterschiedliche Methoden für Wafer mit und ohne Topografie vor. Während bei topografischen Wafern die Plasma-Aktivierung entweder nur in den Vertiefungen oder ausschließlich auf den Erhebungen Anwendung findet, kommt das zweite Verfahren bei Substraten ohne Topografie, die jedoch eine selektive Behandlung erfordern, zum Einsatz.

Davon profitieren unsere Kunden

  • Schutz von empfindlichen Bauteilen
  • Kostenersparnis durch selektive Aktivierung statt zusätzlicher Schritte durch Maskierung

SELECT Plasma Activation-Aufrüstset

Wafer-Präparation für Fusions-Bondprozesse

Die Waferpräparation für Fusionbondprozesse findet vor dem eigentlichen Bondprozess statt. Diese Vorbehandlung garantiert sehr hohe Bondqualität bei gleichzeitig hohem Durchsatz. Bei nasschemischen und/oder Plasmaprozessen werden organische und partikuläre Verschmutzungen entfernt, gleichzeitig wird aber auch die Bondoberfläche aktiviert, so dass stärkere Bondeffekte erreicht werden. Zudem kann die Temperung nach dem Bonden nach den genannten Vorbehandlungsschritten bei Temperaturen von weit unter 450 °C stattfinden. Dadurch kann die CMOS-Kompatibilität dieses Bondprozesses sichergestellt werden.

Davon profitieren unsere Kunden

  • Niedrigere thermische Belastung für Wafer und Bauteile
  • Höhere Bondkräfte
  • Größere Flexibilität bei der Materialwahl infolge niedriger Temperaturen

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