高トポグラフィ

3次元パッケージング用リソグラフィ・ソリューション

ズース・マイクロテックのマスクアライナは、チップ・スタッキングや3次元イメージセンサー・パッケージングなどのアプリケーションにおいてきわめて重要になっています。これらは、LGO(ラージギャップ・オプティクス)露光オプティクスと呼ばれ、高トポグラフィを伴うアプリケーション専用に開発されています。数百µmのトポグラフィ上で10µmの標準的なレジストフィルムの20~30µmの形状を分離できます。SUSSマスクアライナは、ビアの底部でのレジストのオープンに幅広く使用されています。これらの卓越した精度は、ストリートのダイス化や背面の再分散レイヤ(RDL)などの3次元リソグラフィ・アプリケーションに最適です。

SUSS AltaSprayスプレー・コーティング技術は、さまざまな3次元微細構造に高解像度レジストフィルムを塗布することができるとともに、V溝など、さまざまな構造に均一なコーティングが可能です。

 

SUSS AltaSprayは、標準的なポジティブ型ノボラック・レジストから、ポリイミドやその他の誘電体にいたるまで、多数のレジストで幅広く使用されています。

AltaSprayテクノロジとSUSS LGOオプティクスの組み合わせにより、さまざまなアプリケーションにおける高トポグラフィの最も効率的なパターン形成が保証されます。

 

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内傾した側壁角度を持つSi構造体上にAZ4999をSUSS AltaSprayでスプレー・コーティング

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高さ30µmのSU8の壁上90°側壁にAZn4035で均一コーティング

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90°側壁にAZ4999を均一コーティング。SUSS AltaSprayでスプレー・コーティング.

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200µmの深さにエッチング加工された溝に13µmライン。AZ 9260レジスト。SUSS AltaSprayでスプレー・コーティング、LGOオプティクスを装着したSUSS MA6マスクアライナで露光

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200µmの深さにエッチング加工された溝に20µmライン。AZ 9260レジスト。SUSS AltaSprayでスプレー・コーティング、LGOオプティクスを装着したSUSS MA6マスクアライナで露光

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200µmの深さにエッチング加工された溝を横切って50µm/150µmのライン/スペース。10µm AZ 9260レジストをSUSS AltaSprayでスプレー・コーティング、LGOオプティクスを装着したSUSS MA6マスクアライナで露光