厚膜レジスト用フォトリソグラフィ

厚膜レジスト・フォトリソグラフィは、一般に、ウエハ・バンピングおよび先端のウエハレベル・パッケージングに不可欠の要素です。このプロセスの主力システムはマスクアライナとステッパーですが、レジストコーティングには、スピン・コータとスプレー・コータが多用されています。

マスクアライナは、全面一括露光システムであり、ステッパー・テクノロジよりもC.o.O.と使いやすさの点で優れています。SUSSのすべての量産用アライナは、ラージギャップ露光オプティクス（LGO）が装着可能であるため、100ミクロン以上の厚膜レジストに対し最高アスペクト比で垂直に近い側壁が形成可能です。また、SUSSのマスクアライナは、特許取得済みの性能向上パッケージであるSUSS SupraYieldを搭載することで、解像度、オーバーレイ精度、およびウエハ歩留まりの更なる向上が可能です。SupraYieldにより、投資対効果の高いマスクアライナ・テクノロジを使用して、最も厳しい要求性能基準をも満たすことが可能となります。

 

Application Results

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Re-passivation and stress buffer layers Asahi PIMEL I-8000 series polyimide, 5 micron thickness after cure, suppressed crowning. Coated with SUSS Spin Coater and exposed with SUSS MA200 Mask Aligner

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再不動態化層および応力緩衝層 HD4000 ポリイミド、 374°C硬化後のテーパープロファイル SUSS ACS200 Plusスピン・コータでコーティング、SUSS MA200マスクアライナで露光

Wafer Bumping 3

感光性BCB 5µm Cu、12µm BCB、5µm Cu 40µmプロキシミティ・ギャップ SUSS装置でコーティングおよび露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ THB 151N、ネガティブ型レジスト 65µm厚さ、50µmはんだ・モールド、75µmプロキシミティ、ブロードバンド露光 SUSSスピン・コータでコーティング、SUSS MA200マスクアライナで露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ Clariant AZ50XT、ポジティブ型レジスト 75µm厚さ、100µmはんだ・モールド、50µmプロキシミティ、ブロードバンド露光 SUSSスピン・コータでコーティング、SUSSマスクアライナで露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ TOK_DFR P 50100、ドライフィルム・レジスト 110µm厚さ、50µmウィンドウ 50µm プロキシミティ、SUSSスピン・コータでコーティング、SUSSマスクアライナで露光

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金バンピング・フォトリソグラフィ TOK PMER P-CA 1000PM、ポジティブ化学増幅型レジスト バンプ/スペース 20/7µm（上）および20/5（下） SUSS ACS 200PlusコータおよびMA300Plusマスクアライナでコーティングおよび露光

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金バンピング・フォトリソグラフィ TOK PMER P-CA 1000PM、ポジティブ化学増幅型レジスト バンプ/スペース 20/5µm SUSS ACS ACSPlusコータおよびMA300Plusマスクアライナでコーティングおよび露光

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AZ EXP 125nXT-10A フィルム厚さ60µm、10µライン/スペースによる6:1アスペクト比構造 SUSS MA200CCアライナで露光 写真提供AZ Electronic Materials

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60um AZ EXP 125nXT-10A フィルム厚さ60um、10umポスト 6:1アスペクト比構造 写真提供: AZ Electronic Materials