TSV形成

スルーシリコンビア（TSV）は、3次元インターコネクトの主要な要素です。TSVにより電気的性能が向上し、消費電力が削減され、デバイスサイズが小型化されます。

TSVの形成には、ビアのエッチングと充填が必要です。ビアをエッチングする前に、エッチングマスクを作成する必要があります。エッチングマスクはコーティング、アライメント、および露光によって作成します。これらの工程には、SUSSの高精度アライナおよびコーティング装置が使用されます。

新製品のMA300マスクアライナは、0.5µm（DirectAlign）の精度で表面アライメントが可能であり、この新しい3次元アライメント・プラットフォームは、200mmまたは300mm対応の3次元（3D）リソグラフィ・アプリケーションにおいて裏面のIRアライメントを実行できます。これらのアライメント/オーバーレイ機能の向上とラージギャップ露光オプティクス（LGO）の組み合わせにより、MA300 Gen3は3次元リソグラフィにおける高トポグラフィの要求を満たします。

また、ビアの直径によりますが、ビア開口そのものに必要なリソグラフィ・ステップも引き続きSUSS装置で実行できます。

• 80°の側壁角度を持つビア・ホール
• AltaSprayによる高信頼性のコーティング
• コンパクトパッドへの小ビア開口
• 80µmの深さのビア底部に10µmビア径が鮮明に解像されます
• Gamma AltaSprayでスプレー・コーティング
• MA200compactで露光
• Gammaでスプレー現像