金属拡散接合

Cu-Cu、Al-Al、Au-Auや他の冶金術を用いた金属拡散接合は、従来のガラスフリット接合や陽極接合に比べより高い気密性を実現できます。また3次元積層に金属拡散接合を利用すると、貼り合せる二枚のウエハ間の電気的・機械的な接合を一度のプロセスステップで実現することが可能となります。更に、ガラスフリット接合を超えるポストボンドアライメント精度が得られるという点でも優れています。アルミメタライゼーションは、MEMSデバイス構造にしばしば用いられ、パッケージング段階での拡散を防ぐシーリング冶金としても有効です。

 

CMP技術と金属の蒸着方法の進歩により、金属拡散接合が陽極接合とガラスフリット接合に代わる有益な選択となっています。ズースのCBシリーズは、金属接合で求められる高温設定と加重の均一性という二つの要求を満たします。

主なマーケット

  • 3次元積層TSV、3次元IC、メモリスタックと3次元パッケージ
  • 化合物半導体LEDパッケージ、高輝度LED
  • MEMS気密封止、CMOS積層、先端パッケージ