ウエハ・バンピング

厚膜レジスト・フォトリソグラフィは、一般に、ウエハ・バンピングおよび先端のウエハレベル・パッケージングに不可欠の要素です。このプロセスの主力システムはマスクアライナとステッパーですが、レジストコーティングには、スピン・コータとスプレー・コータが多用されています。

マスクアライナは、全面一括露光システムであり、ステッパー・テクノロジよりもC.o.O.と使いやすさの点で優れています。SUSSのすべての量産用アライナは、ラージギャップ露光オプティクス(LGO)が装着可能であるため、100ミクロン以上の厚膜レジストに対し最高アスペクト比で垂直に近い側壁が形成可能です。また、SUSSのマスクアライナは、特許取得済みの性能向上パッケージであるSUSS SupraYieldを搭載することで、解像度、オーバーレイ精度、およびウエハ歩留まりの更なる向上が可能です。SupraYieldにより、投資対効果の高いマスクアライナ・テクノロジを使用して、最も厳しい要求性能基準をも満たすことが可能となります。

ウエハ・バンピングおよびウエハレベル・パッケージングの分野におけるフォトレジストプロセスの課題は、量産での品質性能に適合するために、コーティング、ベーク、およびデベロッパの各モジュールに細心の配慮をした設計が必要とされることです。ズース・マイクロテックのスピン・コータおよびスプレー・コータは、厚膜レジスト、ポリイミド、BCBなど、さまざまなウエハレベル・パッケージングのコーティング・アプリケーションに適しています。


SUSS MicroTec Equipment Results

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Re-passivation and stress buffer layers Asahi PIMEL I-8000 series polyimide, 5 micron thickness after cure, suppressed crowning. Coated with SUSS Spin Coater and exposed with SUSS MA200 Mask Aligner

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再不動態化層および応力緩衝層 HD4000 ポリイミド、 374°C硬化後のテーパープロファイル SUSS ACS200 Plusスピン・コータでコーティング、SUSS MA200マスクアライナで露光

Wafer Bumping 3

感光性BCB 5µm Cu、12µm BCB、5µm Cu 40µmプロキシミティ・ギャップ SUSS装置でコーティングおよび露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ THB 151N、ネガティブ型レジスト 65µm厚さ、50µmはんだ・モールド、75µmプロキシミティ、ブロードバンド露光 SUSSスピン・コータでコーティング、SUSS MA200マスクアライナで露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ Clariant AZ50XT、ポジティブ型レジスト 75µm厚さ、100µmはんだ・モールド、50µmプロキシミティ、ブロードバンド露光 SUSSスピン・コータでコーティング、SUSSマスクアライナで露光

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はんだ・バンピング・フォトリソグラフィ TOK_DFR P 50100、ドライフィルム・レジスト 110µm厚さ、50µmウィンドウ 50µm プロキシミティ、SUSSスピン・コータでコーティング、SUSSマスクアライナで露光

ACS300 Coating Results

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11.3µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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17.1µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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300mm wafer for gold bumping with UBM Cr/Au, edge bead < 2.0mm. Coated with TOK PMER P-CA1000PM. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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AZ1505: 0.91µm resist on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

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