探索第三維度
SUSS MicroTec的3D整合解決方案
由於前沿技術的發展，在密度要求越來越嚴格及和IC製造成本的不斷增加，3D整合和封裝製程，越來越有取代 2D設計技術的趨勢。
3D整合主要可以分為兩大類：3D封裝和3D內連線。3D封裝指元件的封裝級堆疊，不包括穿透矽的內連。3D封裝包括封裝內封裝（PIP）、層疊封裝（POP）等種類，通常使用引線接合的方式進行連接。SUSS可以提供精密的設備用於厚膠和崎嶇表面的應用。另一方面，3D內連線是將矽片充分減薄後，通過穿透體矽的通孔進行器件的連接。這些通孔被稱為矽晶穿孔(TSV’s）。
3D內連線的運用包含CMOS影像感測器、記憶體、混合信號單元、可編程邏輯陣列（FPGA）和微處理器。CMOS影像感測器器引領著穿透矽通道3D內連線技術的應用方向。記憶體的應用已經開始採用3D堆疊技術，它的原因則來自於對儲存密度增加和體積縮小的迫切需求。手機等消費電子產品已經是三位元堆疊技術的主要驅動力。3D封裝的應用包括CMOS影像感測器、記憶體和混合信號單元。
SUSS MicroTec致力於提供世界級的3D封裝和3D內連線設備。依靠亞µm級的對準精度和無與倫比的製程參數控制技術，SUSS可以滿足現在和將來3D製程的需求。