處理厚膜光阻之方案-微影技術

厚膜光阻是晶圓凸塊和先進的晶圓級封裝技術中不可缺少的部分。它採用的製程設備是先進的光罩對準曝光機和步進機，而塗膠技術則主要採用旋轉和塗佈兩 種方式。

光罩對準曝光機是1X全場域曝光系統。與步進機技術相比，它可以實現更低的成本和更佳的易用性。所有SUSS的生產型光罩對準曝光機都可以裝配大曝 光間距光學模組（LGO），該模組可以幫助曝光機在厚度達到100µm甚至更大的光刻膠薄膜上實現側牆幾乎垂直的高深寬比圖形。此外，SUSS的光罩對準 曝光機還可支援擁有SUSS專利的SupraYield性能增強技術，該技術有助於提高光刻的解析度和層間對準精度，並進而提高晶圓的良率。甚至對於最苛 刻的性能要求，SupraYield技術也可以實現低成本的光罩對準曝光。

 

Application Results

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保護層和應力緩衝層 Asahi PIMEL I-8000系列聚醯亞胺，固化後厚度5µm。採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-2

再钝化和应力缓冲层 HD4000聚酰亚胺 374°C固化后剖面紧缩 采用SUSS设备涂胶曝光

Wafer Bumping 3

感光性的BCB 5µm銅，12µm BCB，5µm銅 ，40µm曝光間隙 採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-4

錫鋁凸塊微影 THB 151N，負型光阻 厚度65µm，50µm焊料模具，75µm曝光間隙，寬光譜曝光 採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-5

錫鋁凸塊微影 Clariant AZ50XT，正型光阻 厚度75µm，100µm焊料模具，50µm曝光間隙，寬光譜曝光採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-6

錫鋁凸塊微影 TOK_DFR P 50100，乾膜光阻 厚度110µm，50µm 開孔 50µm曝光間隙，採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-7

金凸塊微影 TOK PMER P-CA 1000PM，正型光阻，化學放大 凸點/間隙 20/7µm（頂部）和20/5µm（底部） 採用SUSS ACS Plus塗佈設備和MA300 Plus光罩對準曝光機進行塗佈曝光

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金凸點微影 TOK PMER P-CA 1000PM，正型光阻，化學放大 凸塊/間隙 20/5µm 採用SUSS ACS Plus塗佈設備和MA300 Plus光罩對準曝光機進行塗佈曝光

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AZ EXP 125nXT-10A 光阻厚度60µm，10µm間隙，結構高寬比6：1 採用SUSS MA200CC光罩對準曝光機進行曝光 圖片經AZ Electronic Material公司許可

thick-resists-2

60µmAZ EXP 125nXT-10A，光阻片厚度60µm， 10µm間隙 結構深寬比6：1 圖片經AZ Electronic Material公司許可