晶圓接合技術

光蝕刻微影是晶圓凸塊和先進的晶圓級封裝技術中不可缺少的部分。它採用的製程設備是先進的光罩對準曝光機和步進機,而塗膠技術則主要採用旋轉和噴霧塗佈兩種方式。

光罩對準曝光機是1X全場域曝光系統。與步進機技術相比,它可以實現更低的成本和更佳的易用性。所有SUSS的生產型光罩對準曝光機都可以裝配大曝光間距光學模組(LGO),該模組可以幫助曝光機在厚度達到100µm甚至更大的光刻膠薄膜上實現側牆幾乎垂直的高深寬比圖形。此外,SUSS的光罩對準曝光機還可支援擁有SUSS專利的SupraYield性能增強技術,該技術有助於提高光刻的解析度和層間對準精度,並進而提高晶圓的良率。甚至對於最苛刻的性能要求,SupraYield技術也可以實現低成本的光罩對準曝光。

對於晶圓凸塊和晶圓級封裝而言,光刻技術的挑戰在於必須擁有性能極佳的塗膠、烘烤和顯影模組,以確保客戶生產環境下所需的品質。SUSS MicroTec開發了性能優良的旋轉和塗佈系統,可用於許多晶圓級封裝的塗膠應用環境中,例如厚膠、及聚醯亞胺和BCB等光敏聚合物。


SUSS MicroTec Equipment Results

wafer-bumping-1

保護層和應力緩衝層 Asahi PIMEL I-8000系列聚醯亞胺,固化後厚度5µm。採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-2

再钝化和应力缓冲层 HD4000聚酰亚胺 374°C固化后剖面紧缩 采用SUSS设备涂胶曝光

Wafer Bumping 3

感光性的BCB 5µm銅,12µm BCB,5µm銅 ,40µm曝光間隙 採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-4

錫鋁凸塊微影 THB 151N,負型光阻 厚度65µm,50µm焊料模具,75µm曝光間隙,寬光譜曝光 採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-5

錫鋁凸塊微影 Clariant AZ50XT,正型光阻 厚度75µm,100µm焊料模具,50µm曝光間隙,寬光譜曝光採用SUSS設備塗佈曝光

wafer-bumping-6

錫鋁凸塊微影 TOK_DFR P 50100,乾膜光阻 厚度110µm,50µm 開孔 50µm曝光間隙,採用SUSS設備塗佈曝光

ACS300 Coating Results

wafer-bumping-01

11.3µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

wafer-bumping-02

17.1µm polyimide coating on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

wafer-bumping-03

300mm wafer for gold bumping with UBM Cr/Au, edge bead < 2.0mm. Coated with TOK PMER P-CA1000PM. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.

wafer-bumping-04

AZ1505: 0.91µm resist on 300mm wafer. Spincoated with ACS300 Coat Bake Develop cluster from SÜSS MicroTec.