矽晶穿孔製程 (3D, 2.5D)

矽晶穿孔（TSV’s）是3D內連線中的非常重要部分。TSV’s可以提高電性能、減小功耗同時幫助縮小元件的尺寸。

製作TSV’s的步驟包括通孔的刻蝕和填充。在通孔刻蝕之前，必須先用塗膠、對準和光刻等形成刻蝕光罩。SUSS精密的光罩對準曝光機和塗佈設備可用於這些步驟。

新的MA300型的光罩對準曝光機可以用來進行正面對準，精度優於0.5µm（直接對準），在採用了新的3D對準平臺後，可以實現200mm或300mm3D光刻應用所需要的背面和紅外對準技術。裝配了大曝光間距光學模組後，MA300 Gen3型光罩對準曝光機的對準/層間套刻對準的功能得到增強，可以滿足在崎嶇表面上進行3D光刻的需要。