顯影

一般微影製程期間最關鍵的步驟之一就是曝光光阻劑的顯影。顯影劑溫度與顯影時間等參數都會影響關鍵結構的幾何尺寸與其輪廓形狀。因此顯影技術及其參數的選擇便成為特別需要注意的重點。由於噴霧式顯影與浸置式顯影具備技術與成本優勢,因此成為 SUSS MicroTec 設備所使用的主要技術。

浸置式顯影

在浸置式顯影期間會將固定量的顯影劑滴到曝光基板上,然後輕輕旋轉噴灑。於顯影劑表面張力之故晶圓上會形成凸起的淺灘。經過顯影時間後顯影劑便會被旋轉灑出。而晶圓也會以去離子水沖洗,隨後以較高速度旋轉乾燥。此顯影方式的優點在於,僅需使用極少量的顯影劑便可完成顯影, 因此相當經濟實惠,同時又可維持出色的製程結果。
然而當顯影劑達到飽和時便顯現出浸置式顯影的限制,例如當必須移除大範圍光阻劑或者高深寬比的光阻劑結構阻礙顯影劑完成交換作用時。在這些情況下便需要執行多步驟浸置式顯影製程或噴霧式顯影。

特色與優點

  • M化学品用量低

全自動設備

手動設備

* 本設備提供一系列濕化學過程的額外應用。

噴霧式顯影

在噴霧式顯影期間曝光的基板會以低速旋轉。曝光區域會不斷覆蓋以剛噴灑上的顯影劑以免飽和。相對於浸置式顯影,噴霧式顯影具有可用於厚膜光阻以及進行大範圍顯影的優點。之後使用去離子水沖洗並持續乾燥旋轉便完成整個顯影過程。

特色與優點

  • 即使於厚膜光阻下亦能對整個晶圓均勻顯影。

全自動設備

手動設備

* 本設備提供一系列濕化學過程的額外應用。

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