電漿處理

電漿處理技術用於在晶圓接合和直接接合應用中活化表面。 此技術是以介電質放電原理為基礎。為了得到均勻的等離子體放電,需要兩個電極,其中至少有一個電極配有足夠厚的電介質並且它們的間距必須夠小。 現在,如果施加交流電壓,它們會在大氣壓力下均勻的放電,這使得昂貴的真空技術變得多餘。

選擇性局部電漿處理

傳統電漿處理技術通常需要完整處理晶圓表面,這在某些情況下會影響相關微部件或者電子元件的功能。由 SÜSS MicroTec 和 Fraunhofer Institut IST 研究所聯合研發的選擇性局部電漿處理技術,可選擇性的活化晶圓上微米小的區域並為它們提供官能層。它為部件的設計和製造提供了全新可能,特別是在微機電系統(MEMS)應用方面,如微流體通道、生物晶片製造或者部件封裝。

選擇性局部電漿處理為有凹凸圖形和無凹凸圖形的晶圓提供了不同的方法。 對於有凹凸圖形的晶圓,電漿活化若非應用在凹處,則僅用在凸處,但在無凹凸圖形的基板上,應使用需要進行選擇性處理的第二種方法。

特色與優點

  • 保護敏感部件
  • 透過用選擇性活化替代額外的光罩步驟,節約成本

SELECT-選擇性表面修改之電漿處理

融合接合準備

融合接合技術的晶圓預處理在實際接合步驟之前。 這種預處理能同時保證極高的接合品質。通過濕式化學和/或電漿處理不僅去除了有機汙物和顆粒,同時還活化了接合表面,以此達到更牢固的接合效果。此外,經上述預處理接合後的降溫溫度可以遠低於 450°C。 因此,可以保證接合技術對 CMOS 的相容性。

特色與優點

  • 晶圓和部件的熱負荷較低
  • 較高的接合力
  • 由於溫度較低,在材料的選擇上具有更大的靈活性

設備

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