MA/BA6 Mask and Bond Aligner

手动光掩模及键合对准机

手动光掩模及键合对准机 MA/BA6 专为加工尺寸在 150 mm 以内的晶圆而设计。MA/BA6 是 MEMS 、光学工件和化合物半导体灯应用领域最理想的选择。该设备应用广泛,不仅可用于研发领域,还因为其工艺稳定性高,非常容易集成到生产环境中。

亮点

高品质的光学成像系统

运行成本低

工艺灵活性高

SUSS MicroTec Mask Aligner MA/BA6

MA/BA6 高品质的光学成像系统可以为所有的应用领域提供强大的支持。即使对较厚光刻胶的 MEMS,也可以保证很高的分辨率和周边照明的最佳效果。即使是薄脆的 III-V 基板,或者弯曲的晶圆,也可以提供合适的配件。

设备具有大容量的参数存储、精确的间距计算(楔形误差补偿)等特点,保证自动化生产过程顺畅进行。此外,工艺的实施过程用户操作方便,机器拾放简单易行。可选配背面对准功能,该功能可从两侧对基板进行对准。

MA/BA6 也装配了用于晶圆与晶圆之间对准及压印光刻对准专用的掩模对准机。

在光刻工艺中,只需对准器件晶圆同侧的结构(例如再布线层、微凸点 等),用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。  根据衬底的特性,这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。 

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 掩模对准器极高的对准精度
  • 清晰、强大的图像识别功能,即使在对比度不理想的情况下

应用微电子机械系统(MEMS)、圆晶级封装和三维集成的工艺,例如在接板上制造垂直通孔 (TSV),需要与正面结构对准的晶圆背面结构。 此时常使用光学背面对准。 集成摄像机系统采集掩模结构和晶片背面结构并将它们相互对准。 由于晶圆在装载掩模靶后被覆盖,必须预先确定并存储其位置。 这对整个对准系统提出了特殊的要求。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • SUSS 掩模对准器凭借其极高的机械精度和稳定性带来无与伦比的准确性

多层晶圆堆叠被应用在许多构造工艺中。 用红外照射可以识别并对准通常埋在层之间的对准标记。

红外光还可以根据这些埋入的标记进行对准。  这需要使用能透过红外线的材料,例如硅、III-V族半导体(如砷化镓)以及临时键合和键合分离工艺中所使用的粘着剂  通过个例研究检查可行性。

为了尽可能扩大红外对准的使用范围,SUSS 掩模对准器可以选配强大的红外光源和高性能摄像系统。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 强大的红外光源和高性能摄像系统

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐,然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小(因此又叫“接近式光刻”)。 在曝光过程中,掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量,一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快,应用灵活,从而成为微结构生产最具成本效益的方法,它能生产出最小3微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统(MEMS)、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模对准器以阴影工艺为基础。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 因为镜头系统衍射减少,从而得到更突出的分辨率。
  • 使用了微镜片镜头系统,所以工艺稳定

The lower the exposure gap from mask to wafer, the higher the resolution. In soft contact mode the wafer is brought into contact with the mask and is fixed onto the chuck with vacuum.

In hard contact mode the wafer is brought in direct contact with the mask, while positive nitrogen pressure is used to press the substrate against the mask. In hard contact mode a resolution in the 1 micron range is possible.

In this mode, a vacuum is drawn between mask and substrate during exposure. This results in a high resolution of < 0.8 µm.

The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.

选项:

全自动

半自动

手动

The diffraction reducing exposure optics is designed to compensate diffraction effects in both contact and proximity lithography. Instead of using a plane wave as in other proximity lithography tools it provides an angular spectrum of planar light waves to reduce diffraction effects. The selection of a proper angular spectrum improves structure resolution in the resist.

灵活性最高的专业镜头系统

Details: Automation

SUSS mask aligners are equipped with a WEC head system that allows reaching the parallelism between substrate and mask with a micrometric precision 

模拟光刻工艺

模拟光刻工艺无需反复试验就可优化调整工艺参数。SÜSS MicroTec 公司与生产商 GenISys 销售的“实验室”光刻工艺多功能模拟软件为用户带来更强大的工艺控制。它提供集成设计和工艺开发所有必要的模拟功能,以及验证和优化功能。包括从曝光调整和掩模结构改进到光刻胶处理的所有工艺步骤。此外,先进的3D模拟功能进一步优化模块的演示效果。

MO Exposure Optics 结合专为 SÜSS 光学系统打造的实验室镜头模块,使实验室能够根据客户定向优化曝光滤板设计,从而改进结构精度。

亮点

  • 完整模拟掩模对准器的光刻过程
  • 可调节曝光参数(准直、光谱成分),特别是预先定义所有 SÜSS 光学系统
  • 快速灵活演示以及1 维 、2 维和 3 维定量分析

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

用户专属的曝光和掩模方案

通过综合优化在投影式光刻技术里用到的掩模板的设计和光源照明( 掩模优化) 减少衍射引起的结构错误。根据客户要求调综合整曝光滤板和掩模结构(OPC=光学近场校正)显著提升光刻工艺的功能性。

模拟平台可为工艺参数建模,如掩模结构和曝光参数。以此,在减少实验开销的同时,设置各种生产情况的曝光和掩模结构并降低投影错误.

光源掩模优化与 MO Exposure Optics® 特殊镜头一起为提高掩模对准光刻中的工艺稳定性作出重要贡献。

亮点

  • 通过 MO Exposure Optics 稳定光源
  • 通过可更换的曝光滤板优化光源
  • 通过光学邻近校正 (OPC) 优化掩模

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

压印光刻是一种制造各种纳米到微米级结构的技术,低成本,可靠性高。

将一块印模放在基材上与感光材料接触,实现复制。胶填充压模的三维结构,然后在紫外光的作用下固化。图案、结构解析和模具等因素对该过程有很大的影响。

压印光刻能够与传统的半导体生产工艺兼容,在 DFB 激光器,高亮度 LED,晶圆级相机和微机电系统等组件的开发和生产中起到了非常关键的作用。

苏斯公司(SÜSS MicroTec)基于手动光刻机所开发的压印光刻解决方案,能够处理各种材料及最大 200 mm 的基板。如果要求多道压印工序并行,则能够将基板和压模精确对准。压印装置可便捷地加装在 SÜSS 光刻机上。

苏斯公司根据工艺要求,在其光刻机上采用不同的压印技术

软模压印技术应用于特别高要求的压印工艺。这种技术采用一个软压模与一个硬的柔性玻璃承载板结合的形式,不仅能够保证接触均匀,而且还可以对结构精确复制。
这种压印是通过毛细管力,而不是通过压力工作,从而降低了接触期间的结构变形。顺序接触可避免产生气穴,从而提高产出率和产量。
SCIL 技术复形精确,均匀度高,可满足各种采用高端蚀刻掩模的工艺高要求,例如光学元器件、微机电系统/纳米机电系统、高亮度 LED、垂直腔表面发射激光器的制造等。
SCIL 技术是与飞利浦研究院联合开发的成果。 

亮点 

  • 200 mm 整体压印
  • 高分辨率(<70 纳米)
  • 高对准精度(± 1 微米)
  • 压模寿命长 

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

UV-NIL(紫外纳米压印光刻)是一种典型的压印技术,可对小于 50纳米的样板结构进行完美压制。它将结果形状复制在硬石英玻璃压模上,压模与基板上的紫外光刻胶接触。可对压力、工序间隔、时间等工艺参数进行精确控制和设置。
UV-NIL 技术在苏斯公司的三种压印技术中,分辨率是最高的,对各种研发设备都适合。 

亮点

  • 两位数纳米级的分辨率(< 50 纳米)
  • 通过配方编辑器控制工艺参数
  • 操作便捷
  • 余胶厚度均匀 

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

高精度对准两个晶圆

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

在掩模对准机里键合两片基板的刀具

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

熔融键合是两个平衬底的自然连接。 抛光片在清洗后进行亲水性加工,相互接触并在高温下退火。  等离子体预处理 使得衬底能够在室温下接合。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Semi-Automated Bond Aligner

Semi-Automated Mask and Bond Aligner

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MA/BA 6 Brochure 2251kb
SUSS Product Portfolio 990kb
Imprint Lithography 2173kb

 

 

 

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