用于研发和大批量生产的永久性晶圆键合平台

用于研发和大批量生产的永久性晶圆键合平台

通用XBS300平台设计用于(混合)热键合对准的200mm和300mm晶圆。 其高度模块化的设计便于客户以低拥有成本来实现极大的配置灵活性。  提供多种配置,可满足研发和大批量生产(HVM)环境的需求。 新型XBS300混合键合平台可用于在诸如3D堆栈存储器或3D SOC(片上系统)等要求极其严苛的应用中混合键合聚集D2W(芯片到晶圆)和W2W(晶圆到晶圆)。

Highlights

业界领先
< 100nm(3σ)套刻

高性能集成测量

反射红外选项

兼容硅或玻璃载体

闭环反馈

SUSS MicroTec XBS300 Hybrid Bonder

XBS300能在满足极高清洁要求的同时处理单个晶圆和键合晶圆对。 该平台可针对HVM和研发制造环境进行配置。 6轴机械臂是MHU的重要组成部分,它可以灵活处理小批量晶圆且放置精准。 具有自动处理量优化功能的循环调度算法可确保所有过程统一定时、持续运行。

XBA键合对准器采用我们专有的基板间对准(ISA)技术,能够始终为透明和非透明晶圆提供亚微米级对准精度。 内置固定参考值、全局校准与套刻误差检验功能可确保最佳可重复性。 全局校准晶圆是整个系统的重要组成部分,它能简单快速地进行自动化校准和套刻误差检验。
为了达到最高的对准精度要求,XBA键合对准器可根据需要升级,以确保套刻性能始终< 100nm(3σ)(例如在超低间距的应用中)。
为确保对嵌入式目标结构亦能进行对准,XBA可配置高质量的反射红外照明

水性清洗模块具备多项重要功能,例如超声波以及NH4OH(<2%)等稀释化学清洗功能。这些特性对满足极高清洁要求至关重要。  此外,为了进一步满足工艺处理需求,该系统还可选配增强功能,例如有机物去除功能(SC1化学清洗)、背面冲洗和N2辅助甩干。

专用等离子体技术能为基于等离子体的高效晶圆表面活化提供极高的工艺灵活性和可重复性。 可使用Ar、O2、N2等多种工艺气体,并通过质量流量控制器(MFC)来控制这些气体。 闸阀加载可兼容所有互补金属氧化物半导体(CMOS)。 另外,选择适用的等离子体化学清洗方式还可对聚合物残留进行等离子体清洗。

如果对键合力有要求,XBS300可搭备我们经业界认可的300mm低力度键合室,施加高达15kN的键合力。 如今,这种键合室广泛应用于全球临时键合行业中。

分离站既可配置用于临时键合晶圆对的热辅助分离(针对聚集D2W),也可用于W2W预键合堆叠晶圆的无缺陷分离,以便重新将昂贵的晶圆材料导入混合热键合工艺流程。

集成的原位测量功能可实现快速工艺反馈。 因此,该测量模块对于增强工艺控制和提高产量至关重要。 该模块可配置用于红外空洞检测(高分辨率真实全场图像)和/或高精度红外套刻测量,在高处理量下具备多站点功能。
通过对键合对准器补偿参数的闭环反馈实现的在线工艺控制还能持续优化套刻性能。

Details: Bonding Technologies

热键合是指两个平面基板自发粘合。 该工艺包括冲洗抛光盘,使其具备高度亲水性,然后使其相互接触并在高温下回火。 等离子体预处理工艺可使基板在室温条件下键合。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Semi-Automated Bond Aligner

Semi-Automated Mask and Bond Aligner

混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力(金属键合)和机械力熔融键合。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

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