ELP300 Gen2 Excimerlaser-Stepper

SÜSS MicroTecs ELP300-Pattform für Wafergrößen von 200 und 300 mm bedient sich einer neuartigen Excimerlaser-Stepper-Technologie. Mit seiner Abtragungsmethode auf Maskenbasis und seinem nicht-thermischen Trockenätzprozess (248 / 308 nm)  bietet das System einen hohen Grad an Strukturgenauigkeit und Durchsatz. 

Highlights

Auflösung bis zu 1 µm (via) und 2,5 µm (traces)

Justiergenauigkeit  < +/-1 µm

Verfügbare Wellenlängen: 248 nm oder 308 nm

Flächengröße bis zu 50 mm x 50 mm

Strukturierungsmodi: Step & Repeat, Step & Scan, Continuous Scan

Hoher Automatisierungsgrad: SECS/GEM, automatisches Be- und Entladen von Wafern

SUSS MIcroTec Laser Processing ELP300 Gen2

 

SÜSS MicroTecs ELP300-Pattform für Wafergrößen von 200 und 300 mm bedient sich der Excimerlaser-Stepper-Technologie. Über die Funktion der Laserabdampfung, einem Trockenätzprozess mittels 248 / 308 nm Excimerlaser und Masken, bietet das System einen hohen Grad an Strukturgenauigkeit.

Die ELP300 Gen2 ist konzipiert für hohen Durchsatz und eignet sich für komplexe Mikrostrukturierungsprozesse beim Advanced-Packaging und ähnlichen Industriezweigen. Darüber hinaus lässt sich das Laserprozessierungssystem bei weiteren Anwendungen des Wafer-Level-Packaging einsetzen wie z.B. beim Laser-Debonden für Thin-Wafer-Handling und bei der Abtragung von Saatlagen bei Umverdrahtungen („Re-Distribution Layers“ = RDL) und Under-Bump-Metallisierungen („Under-Bump Metallization“ =  UMB) wie auch bei der Abtragung von Fotolacken.

Neue Entwicklungen in der Festkörper-Laser-Technologie, wie z.B. die hochleistungsfähigen UV-Laser mit hohen Pulsraten in Pikosekunden, haben die Anwendungsmöglichkeiten für Laser um die Mikrostrukturierung erweitert. So finden sich aktuelle Einsatzgebiete im Bereich der 3D-Integration z.B. bei der Herstellung von Durchkontaktierungen in Interposern oder im Bereich von Umverdrahtungslagen (WLCSP / WLFO).

In der Mikrostrukturierung eröffnet der Einsatz von Excimerlaser Möglichkeiten, die weit über denen von traditionellen Festkörperlasersystemen und herkömmlichen Fotolithografiegeräten liegen. Durch Beschuss mit gepulster Laserstrahlung lässt sich Material von einer Oberfläche abtragen. Dabei stößt eine fotochemische Reaktion eine Elektronenanregung an, die in einem plötzlichen Druckanstieg und einer explosiven Abtragung von Material in Form von Monomeren und Gasen resultiert. Die thermische Wirkung ist hierbei minimal – die Prozesstechnologie schont temperaturempfindliche Materialien.

Als Muster bei der Excimerlaser-Prozessierung dienen Masken, mit denen sich eine Vielzahl von komplexen Strukturen herstellen lässt. Eine Projektionsoptik zwischen Maske und Wafer bildet, ähnlich dem Projektionsstepper in der Lithografie, das Maskenbild auf dem Wafer ab. Die Strukturierung des Wafers erfolgt durch die direkte Abtragung von Material via Laserstrahl in einem Step-and-Repeat-System.

Excimerlaser lassen sich auch für das Debonden von Wafern von Glasträgern verwenden.

Highlights

  • Hohe Auflösungen bis zu 2,5 µm

Verfügbar in:

Automatische Excimerlaser-Stepper

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