プラズマ処理

プラズマ処理は、ウエハ直接接合での表面活性化の際に行います。この技術は誘電体バリア放電の原理をベースにしています。均等なプラズマ誘電を行うには2つの電極を使用しますが、このうち少なくとも片方には十分な厚さの誘電体がついていて、さらに電極の間隔があまり離れていてはいけません。この電極に交流電圧をかけると大気圧でも均等な放電が行われるため、高コストがかかる真空技術は不要になります。

選択的プラズマ処理

選択的プラズマ処理

通常、従来のプラズマプロセスではウエハの表面全体が処理されますので、それによってマイクロデバイスやエレクトロニクスの機能性が低下してしまうことがよくありました。そのような問題に対処するため、SÜSS MicroTecとフラウンホーファー研究所 (IST)は局部的なプラズマ処理の技術を共同開発しました。この技術を用いると、ウエハ上の領域をマイクロメーター単位で選択的に活性化して、その部分にだけ機能層を形成することができます。この技術によって、例えばマイクロ流体チャネル、生体素子の製造、デバイスのカプセル化などの主にMEMS応用分野で、コンポーネントの形成および製造に新しい可能性が生み出されます。

選択的プラズマ処理は、ウエハの起伏の有無に応じて異なる手法で行われます。起伏があるウエハでは低い場所または高い場所のみでプラズマ活性化が行われる一方で、選択的な処理が必要とされる起伏のない基板の場合には別の方法が使用されます。

弊社のお客様が得るメリット

  • 繊細なデバイスの保護
  • マスキング手順が不要な選択的活性化によるコスト節約

SELECTプラズマ活性化アップグレードセット

Product Datasheet

フュージョン接合プロセスのウエハ準備

フュージョン接合プロセスのウエハ準備

フュージョン接合プロセスのためのウエハ準備は、実際に接合プロセスが始まる前に行います。前処理を行うことで、高い接合品質と高スループットが保証されます。湿式化学プロセスやプラズマプロセスでは、有機的な汚れや粒子の汚れを除去すると同時に、接合効果を強めるために接合面も活性化されます。また、接合後のテンパー処理は、指定した前処理ステップの後で450 °C未満の温度で行われます。このようにして、この接合プロセスにおけるCMOS互換性が確保されます

弊社のお客様が得るメリット

  • 1. ウエハおよびデバイスに対する低い熱負荷
  • 接合力の強化
  • 低温のため、材料を柔軟に選択できる

装置

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