MaskTrack Pro 系列
光掩模加工 适用于下一代光刻技术
MaskTrack Pro 系列旨在通过创新技术平衡 193i 1x nm 半间距 (hp) DPT、极紫外光刻 (EUVL) 和纳米光刻 (NIL) 处理的最严格条件,从而最大限度地提高掩膜性能。
MaskTrack Pro 系列
MaskTrack Pro 系列旨在通过创新技术平衡 193i 1x nm 半间距 (hp) DPT、极紫外光刻 (EUVL) 和纳米光刻 (NIL) 处理的最严格条件,从而最大限度地提高掩膜性能。
根据半导体市场的需求量身定制
随着掩模完整性在先进光刻工艺的成功中发挥越来越大的作用,MaskTrack Pro 系列是唯一专门针对 EUVL 而设计的平台。

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