永久键合解决方案

XBC300 Gen2 D2W 晶圆键合机

提高产能，将良率损失降至最低：XBC300 Gen2 D2W 平台是您在 200mm 和 300mm 基板上进行序列式晶粒到晶圆混合键合的全自动解决方案。

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创建值得信赖的键合

XBC300 Gen2 D2W 将业界领先的精度与最大化吞吐量和显著降低良率损失相结合。集成平台包括所有工艺步骤，特别是表面活化和芯片定位，是一个单一的全自动解决方案。

超高精度

XBC300 Gen2 D2W 的对准精度为 +/- 100nm，是专为满足先进 3D 集成电路架构的特殊要求而开发的，尤其适用于高带宽存储器应用。

行业领先的占地面积

XBC300 Gen2 D2W 宽 3.12 米，长 4.4 米，占地面积比市场上任何同类系统都要小 40%。

最先进的性能

XBC300 Gen2 D2W 晶圆键合机可实现高速生产，对准精度为 ±100 nm。我们的技术合作伙伴 SET Corporation SA 开发的 NEO HB 倒装芯片芯片键合平台与用于清洁、表面活化和量测的 SUSS 模块集成在一起，实现了令人印象深刻的精度。

现场综合计量

XBC300 Gen2 D2W 配备了高精度、吞吐量优化的量测工作站，可在所有加工步骤中对 D2W 键合的对准精度进行在线验证。计量模块支持全场红外对准量测和红外空泡检测，检测分辨率超过 500 微米。

适用于全球生产和研发的晶片到晶片混合键合解决方案

XBC300 Gen2 D2W 晶圆键合机的主要特点

XBC300 Gen2 D2W 是与我们的技术合作伙伴 SET Corporation SA 合作开发的，特别适合研发线、研究和技术组织 (RTO) 以及小批量生产 (LVM) 的需求。

最高 1,000 dph

 

集成式 NEO HB 倒装芯片晶粒键合机可实现高吞吐量，并显著降低良率损失。这种灵活的系统支持从 1×1 毫米到 22×22 毫米的晶粒尺寸，可容纳 200/300 毫米晶圆以及 400 毫米胶带框架。

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40 µm 晶片间距

XBC300 Gen2 D2W 晶圆键合机可在需要时在目标基板上实现高芯片密度，使您能够实现最小空隙，达到最高良率。

小至 30 µm 的模具处理

基于业界知名的 XBC300 Gen2 平台，XBC300 Gen2 D2W 甚至可以处理胶带框载具上极薄的微芯片。

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