全自动掩模对准机

MA200 Gen3 掩模对准机

MA200 Gen3 专用于 200 毫米以下晶圆和方形基板的大批量自动化生产。它将创新对准技术 与智能自动化相结合，是微机电系统 (MEMS)、射频 (RF) 和功率器件的首选系统、

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亚微米精度的大批量光刻技术

集精度、生产率和灵活性于一体的设备：MA200 Gen3 采用创新技术实现高精度，同时灵活的工艺模式和自动化确保良率和效率，适用于 MEMS、3D 图形和先进封装应用，如 3D 集成、扇出、凸点工艺、化合物半导体和图像传感器。

 

对准精度高

对于要求苛刻的对位要求，MA200 Gen3 采用了具有行业标准 PatMax 的 DirectAlign®。它使用实时图像而不是存储图案，实现了低至 0.5 µm 的顶面对准精度，确保了卓越的工艺稳定性和重复精度，是大批量应用的理想选择。

独特的照明光学器件

SUSS´ MO 曝光光学系统®具有光照均匀性和无与伦比的稳定性。其即插即用的设计允许在 HR 和 LGO 模式之间快速切换，同时远心照明扩大了工艺窗口。该系统具有可定制的滤光片和适用于较小晶圆的缩小套件，可快速适应各种生产要求。

多功能曝光，实现亚微米精度

MA200 Gen3 支持多种曝光模式，可满足各种工艺需求。近距光刻可实现快速、经济高效的微结构，最小可达 3.5 微米，而接触式曝光和真空接觸式曝光可实现 0.8 微米以下的亚微米精度。无论是微机电系统、封装还是图像传感器应用，这种多功能性都能在不影响吞吐量的情况下确保灵活性和高分辨率。

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自动掩膜管理

集成的掩模库可在受控环境中存储和管理多个掩模。自动选择和激活正确的层可减少操作员的失误，节省宝贵的加工时间。这简化了生产流程，提高了生产率，即使在大批量生产中也能确保可靠、无差错的操作。

性能和良率

SUSS' 补偿系统ThermAlign® 可在加工过程中稳定卡盘和掩膜温度，实时抵消热偏移。通过适应不断变化的工艺条件，该系统可确保长期生产过程中稳定的对位精度和更高的良率。

先进封装的掩模对准机

MA200 Gen3 掩模对准机的主要特征

MA200 Gen3 专为大批量生产环境而设计，集对准精度、先进光学技术和多功能处理于一身，可在各种光刻和封装工艺中提供稳定、可重现的结果。

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DirectAlign® 精度

采用DirectAlign® 技术的顶侧对准精度为 0.5 微米，SUSS' 结构检测软件的增强功能可提供出色的对位性能，满足苛刻的生产要求。

低至 0.8 µm 的灵活曝光模式

MA200 Gen3 可满足从快速近距光刻到亚微米真空接触所需的各种分辨率。它可以在 200 毫米晶圆上实现小至 3.5 微米的结构，在真空模式下小于 0.8 微米，从而实现最大的灵活性和精度。

安全处理易碎基板

可互换设备确保安全处理易碎、翘曲或超薄晶圆，最小可达 50 微米。边缘处理载体可保护双面结构，确保先进应用中的良率和吞吐量。

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MA200 Gen3 Datasheet
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