MaskTrack Pro Series

掩模的完整性对高标准光刻工艺的成功起主要作用。MaskTrack Pro 掩膜自动处理系统满足下一代光刻节点在掩模清洗、烘烤和显影工艺方面的所有标准。它是应对 193i 1x half-pitch DPT、极紫外光刻 (EUVL) 和纳米压印光刻 (NIL)高要求的创新解决方案。以创新技术最大限度地提高光掩模性能。

MaskTrack Pro 允许用第三方的产品扩展工具集群,并提供一个全面的方法,在全控、高洁环境中存储、处理和加工光掩模。模块化设计确保其具有高度的灵活性并能高度适应客户的要求。MaskTrack Pro 在第一次运行就能提供最佳的清洁效果,被视为行业的首选平台。

优点

缩短上市时间

延长掩模的寿命

提高扫描仪的运行时间

降低运行成本

产量最大化

SUSS MicroTec Photomask Equipment MaskTrack Pro
配置: 193i / EUVL 掩模清洗系统

MaskTrack Pro 提供独特的物理和化学清洗法组合。能够有效地清除颗粒和有机及无机污物。此外,智能清洗过程和各种表面处理方法确保技术节点掩模的完整性低于 1x nm Half-Pitch。

MaskTrack Pro 向后兼容至 90 nm Half-Pitch。

创新的平台方案提供一个群集解决方案连同 MaskTrack Pro InSync 系统、掩模背面粒子探测以及 EUV 内光罩库。因此,平台保证了掩模全面管理方法,这对 EUVL 基础设施十分重要。

系统提供多种物理湿洗方法。三个清洁室分为剥离清洗,预清洁和最终清洗。 

  • 特殊的紫外线表面处理和清洁方法
  • 高频双-MegaSonic - 清洗,1 至 4 MHz
  • 精确的纳米喷雾技术
  • 局部污染清洗

 

化学性清洗

  • DIW-H20 排气用以在 MegaSonic 过程中控制气泡
  • 高纯度、冷热 CO2-DI 水
  • 含臭氧的 DI 水和电解 H2 DI 水,pH值稳定
  • 高度稀释的 SC1
  • 新的碱基解决方案,以进一步减少结构性损伤
  • 15 nm 介质过滤
  • 技术成熟的表面处理、保存和修复方法
  • 高温脱氢和除去 193i-掩模残留离子
  • 使用RTP技术脱氢和专用于EUV-光掩模的表面修复
  • 172 nm UV表面处理
  • 严格控制环境条件的掩模保存
  • 从预清洁到主清洁的湿衬底转移
  • 干翻转功能
  • 分开转移干净和污染的光掩模衬底的双处理接触臂
  • 多输入/输出和衬底缓冲站
  • 通过网络摄像头在线监测过程
  • 符合 SEMI S2、S8、S13
  • CE认证
  • 符合欧洲标准和机械指令 2006/42/EC、EMC- 2004/108/EC 和低电压指令 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 2 级
  • SECS/GEM 200/300 mm 工厂自动化标准接口
配置: 单室光掩膜背面清洗系统

Mask Track Pro 提供一个特殊的无硫自动光掩模清洗配置选项。背面清洁系统提供工厂使用的光掩模特殊清洁解决方案,其中不仅定期清除背面污垢,还必须除去正面的潮湿斑点。此系统还适用于清洁小批量的光掩模坯件以及用于研究。

  • 进行最终清洗的单衬底处理室
  • 完全防化学清洁剂和冲洗水的特殊夹头设计
  • MegaSonic 清洗
  • 纳米喷雾技术
  • 局部污染清洗
  • 甩干

 

化学清洗

  • DIW-H20 排气用以在 MegaSonic 过程中控制气泡
  • 高纯度、冷热 CO2-DI 水
  • 含臭氧的 DI 水和电解 H2 DI 水,pH值稳定
  • 高度稀释的 SC1
  • 新的碱基解决方案,以进一步减少结构性损伤
  • 5 nm 介质过滤
  • 与薄膜兼容的衬底处理
  • 输入/输出和衬底缓冲站
  • 通过网络摄像头在线监测过程
  • 符合 SEMI S2、S8、S13
  • CE认证
  • 符合欧洲标准和机械指令 2006/42/EC、EMC- 2004/108/EC 和低电压指令 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 2 级
  • SECS/GEM 200/300 mm 工厂自动化标准接口
配置: InSync EUVL 掩模管理系统

MaskTrack Pro 的 InSync 系统提供了 EUVL 环境中的全面掩模管理方案。作为 MaskTrack Pro 清洁平台和极紫外扫描仪之间的接口,它可以自动化 EUV-Dual-Pod 系统。其对自身清洁的最高标准,使 EUV-光掩模可以零粒子转移并且与EUV扫描仪高度敏感的真空环境兼容。创新设计允其存储 Inner-Pod 并且在背面探测颗粒。

  • 兼容 EUV-Dual-Pod
  • 自动化 Inner-Pods (EIP)(打开/关闭、存储)
  • MaskTrack Pro 清洗系统的接口
  • 通过复杂的软件进行背面探测,并在需要时用直接反馈控制重复光掩模清洗
  • 与第三方系统兼容
  • 独立单元功能
  • 与标准SMIF盒兼容,其用于在 SMIF 和 EUV-Dual-Pod 间转移光掩模
  • 读取 EUV 光掩模二维QR码的功能
  • 符合 SEMI S2、S8、S13
  • CE认证
  • 符合欧洲标准和机械指令 2006/42/EC、EMC- 2004/108/EC 和低电压指令 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 2 级
  • SECS/GEM 200/300 mm 工厂自动化标准接口
配置: 掩模烘烤和显影系统

MaskTrack Pro 烘烤和显影系统是 SUSS MicroTecs 下一代光刻技术掩模产品线的一部分。专为亚32 nm 技术节点而设计,平台能够在制造掩模时完成高度复杂的工艺步骤。

  • A+Nozzle- 技术
  • ASONIC-Technology® 通过提高显影介质交换改进显影工艺,用 MegaSonic 能量激活表面
  • 介质动态混合率控制
  • 25 区控制热板
  • 组合热板/冷板堆叠
  • 每个堆叠的掩模温度传感器存储站
  • 通过特殊的软件算法自动优化烘烤过程
  • 通过纹路烘烤优化CD均匀性
  • 镜烘烤功能
  • 分开转移冷、热掩模衬底的双处理接触臂
  • 多输入/输出和衬底缓冲站
  • 通过网络摄像头在线监测过程
  • 符合 SEMI S2、S8、S13
  • CE认证
  • 符合欧洲标准和机械指令 2006/42/EC、EMC- 2004/108/EC 和低电压指令 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 2 级
  • SECS/GEM 200/300 mm 工厂自动化标准接口
配置: TeraPure 压印模板清洗系统

TeraPure,特殊的 MaskTrack Pros 压印模板系统,包含业内公认的一次取得最佳清洁效果的成熟技术。模块化设计为客户提供动态和显影技术所需的灵活性,如纳米压印光刻(NIL)。

湿化学法工艺

系统由两个独立的清洁室组成,分为剥离清洗/预清洁和最终清洗。或者一个清洁室清洗主模板,另一个清洁副本。

  • 独特的紫外线表面处理和清洁方法
  • 高频双 MegaSonic 清洗,1 至 4 MHz
  • 精确的纳米喷雾技术
  • 通过网络摄像头在线监测过程

 

化学性清洗

  • DIW-H20 排气用以在 MegaSonic 过程中控制气泡
  • 高纯度、冷热 CO2-DI 水
  • 含臭氧的 DI 水和电解 H2 DI 水,pH值稳定
  • 高度稀释的 SC1
  • 新的碱基解决方案,以进一步减少结构性损伤
  • 15 nm 介质过滤
  • 技术成熟的表面处理、保存和修复方法
  • 高温脱氢和除去 193i-光掩模残留离子
  • 172 nm UV 表面处理
  • 平行处理不同的衬底尺寸(例如 65 mm 压印模板和 6“ 副本)
  • 每个尺寸的衬底都有独立的缓冲站
  • 从预清洁到主清洁的湿衬底转移
  • 干翻转功能
  • 分开转移干净和污染的光掩模衬底的双处理接触臂
  • 多输入/输出和衬底缓冲站
  • 通过网络摄像头在线监测过程
  • 符合 SEMI S2、S8、S13
  • CE认证
  • 符合欧洲标准和机械指令 2006/42/EC、EMC- 2004/108/EC 和低电压指令 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 2 级
  • SECS/GEM 200/300 mm 工厂自动化标准接口
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Publications

Ruthenium Capping Layer Preservation for 100X Clean Through pH Driven Effects

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Efficient Ozone, Sulfate and Ammonium Free Resist Stripping Process

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