全自動掩模對準機

MA200 Gen3 掩模對準機

MA200 Gen3 專為 200mm 以下晶圓和方形基板的大批量自動化生產而設計。結合創新的對準技術 與智慧型自動化，是微機電系統 (MEMS)、無線射頻 (RF) 與功率器件的首選系統、

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亞微米精度的大批量光刻技術

集精密度、生產力與彈性於一身的設備：MA200 Gen3 採用創新技術實現高準確度，而彈性製程模式和自動化功能則可確保良率和效率，適用於 MEMS、3D 圖案製作和先進封裝應用，例如 3D 整合、扇出、凸點工藝、化合物半導體和影像感測器。

 

對準精度高

對位要求嚴苛，MA200 Gen3 配備DirectAlign®與業界標準 PatMax。使用即時影像而非儲存圖案，可達到低至 0.5 μm 的頂端對準精度，確保卓越的製程穩定性和可重複性，是高產量應用的理想選擇。

獨特的照明光學

SUSS'MO曝光光学系统®曝光光学系统具有光照均匀性和无与伦比的稳定性。其隨插即用的設計可在 HR 與 LGO 模式之間快速切換，而遠心照明則可擴大製程視窗。該系統具有可定制的濾光片和適用於較小晶圓的縮小套件，可快速適應各種生產要求。

針對亞微米精度的多功能曝光

MA200 Gen3 支援多種曝光模式，以符合各種製程需求。近距光刻可實現低至 3.5 µm 的快速、具成本效益的微結構，而接觸式曝光和真空接觸式曝光則可達到低至 0.8 µm 的近微米精度。無論是 MEMS、封裝或影像感測器應用，此多功能性可確保彈性與高解析度，且不會影響吞吐量。

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自動化遮罩管理

整合式掩模庫可在受控環境中儲存及管理多個掩模。自動選擇和啟動正確的圖層可減少操作員的錯誤，並節省寶貴的製程時間。這可簡化生產流程、提高生產力，即使在大批量生產中也能確保可靠、無誤的操作。

績效與良率

SUSS' 補償系統ThermAlign® 可在處理過程中穩定卡盤和光罩溫度，即時抵消熱偏移。透過適應製程條件的變化，可確保長時間生產過程中對位精度的一致性和更高的良率。

先進封裝的掩模對準機

MA200 Gen3 掩模對準機的主要對準特性

MA200 Gen3 專為高產量環境所設計，結合了對準精度、先進光學技術和多樣化處理功能，可在各種光刻和封裝製程中提供穩定、可重複的結果。

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DirectAlign® 精度

透過DirectAlign® 達到 0.5 µm 的頂側對準精度，SUSS' 結構檢測軟體的增強功能可針對嚴苛的生產要求提供出色的對位性能。

低至 0.8 µm 的彈性曝光模式

MA200 Gen3 可適應各種所需的分辨率 - 從快速近距光刻到亞微米真空接觸。它能在 200 mm 晶圓上實現低至 3.5 µm 的結構，並在真空模式下實現 <0.8 µm，以達到最大的靈活性和精確度。

安全處理易碎基板

可替換式設備確保安全處理易碎、翹曲或薄至 50 µm 的超薄晶圓。邊緣處理載具可保護雙面結構，確保先進應用的良率和吞吐量。

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