ハイブリッドボンディングソリューション

XBC300 Gen2 D2W/W2W ハイブリッドボンディングプラットフォーム

XBC300 Gen2 D2W/W2Wは、ウェーハ・ツー・ウェーハ(W2W)、コレクティブ・ダイ・ツー・ウェーハ(D2W)、シーケンシャルD2Wボンディングをクラスタシステムに統合した世界初のハイブリッドボンディングプラットフォームです。パートナーであるSET Corporation SAとの共同開発により、200 mmから300 mmまでの基板ハンドリングをサポートし、テープフレームキャリア上のダイをハンドリングすることができます。

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ハイブリッドボンディングプラットフォーム

あらゆるハイブリッドボンディングプロセスに対応するXBC300 Gen2 D2W/W2Wは、システムオンチップ(SoC)からスタックドIC(SIC)まで、高度な3D積層アプリケーションを可能にします。研究開発およびパイロットライン向けに設計され、モジュラープロセステクノロジーにより、信頼性と拡張性に優れた量産への道を提供します。

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統合された現場計測

高精度でスループットに最適化された計測ステーションを装備したXBC300 Gen2 D2W/W2Wは、すべての加工工程でアライメント精度のインライン検証を可能にします。計測モジュールは、フルフィールドIRオーバーレイ計測とIRボイド検査をサポートし、ボイドサイズ500μm以上の解像度で検出します。

キャリアの多様性:シリコンとガラス

業界で定評のあるXBC300 Gen2プラットフォームをベースに開発されたXBC300 Gen2 D2W/W2Wは、テープフレームキャリア上のダイを処理する機能を拡張し、将来対応設計のための信頼性の高い性能を保証します。

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最先端のパフォーマンス

XBC300 Gen2 D2W/W2Wは、SET Corporation SAのNEO HBダイボンダを内蔵しており、最大300 Nの接合力/接着力で、±100 nmのアライメント精度を実現します。

コンパクトフットプリント

XBC300 Gen2 D2W/W2Wは、W2WとD2Wのボンディング機能を1つの統合プラットフォームに統合したもので、従来のスタンドアロンクラスターセットアップに比べてクリーンルームのフットプリントを大幅に縮小します。その合理化されたプロセスアーキテクチャは、全体的な投資と総所有コストを大幅に削減します。

高精度、調整可能、将来保証。

XBC300 Gen2 W2W/D2W ハイブリッドボンディングシステムの主な特長

革新的なSUSS技術を搭載したXC300 Gen2 W2W/D2Wは、先端半導体製造の新たな基準を打ち立て、ハイブリッドボンディングのための完全統合ソリューションを提供します。

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W2Wボンディングで100nm未満のアライメント精度

XBAボンドアライナは、SUSSの基板間位置合わせ(ISA)技術、統合された光学リファレンス、グローバルキャリブレーションにより、透明ウェーハと不透明ウェーハの両方で一貫したサブミクロンのアライメント精度を実現します。W2Wで100nm以下のアライメント精度を実現し、将来のピッチスケーリング要件にも対応します。

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40 µmまでのダイ間隔

XBC300 Gen2 D2W/W2Wは、業界をリードするクリーン度とアライメント精度を実現し、歩留まりとスループットの高いダイ・ツー・ウェーハ搬送を実現します。その革新的な設計は、40µmまでの超低ダイ間間隔を可能にし、ターゲット基板上の高ダイ密度を保証します。

優れた清潔さ

フルウェーハおよびテープフレーム用の水性クリーナーモジュールは、メガソニック、オプションの裏面洗浄、N2アシストスピンドライなど、さまざまなディスペンシングオプションを備えています。標準構成では、2%未満のNH₄OHやクエン酸のような希釈されたケミストリーに対応し、SC1ベースの有機物除去が可能です。

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