MaskTrack Pro 系列
光掩模製程 適用於下一代光刻技術
MaskTrack Pro 系列專為平衡 193i 1x nm 半間距(hp)DPT、極紫外光刻 (EUVL) 及奈米光刻 (NIL) 處理的最嚴格條件而設計,並採用創新技術,可將光罩效能發揮到極致。
MaskTrack Pro 系列
MaskTrack Pro 系列專為平衡 193i 1x nm 半間距(hp)DPT、極紫外光刻 (EUVL) 及奈米光刻 (NIL) 處理的最嚴格條件而設計,並採用創新技術,可將光罩效能發揮到極致。
專為半導體市場需求量身打造
隨著掩模完整性在先進光刻處理的成功中扮演更重要的角色,MaskTrack Pro 系列是唯一專為 EUVL 而設計的平台。

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