全自動化掩模對準機

MA300 Gen3 掩模對準機

MA300 Gen3 是 SUSS 用於 200 mm 和 300 mm 晶圓的旗艦級掩模對準機。它專為先進的封裝而打造,結合亞微米對準與彈性的上側、下側及紅外對準選項。從 TSV 到 RDL 和凸點工藝,它可提供高精度和吞吐量,處理超出步進式能力的厚光刻膠應用。

MA300_Gen3-1600x1200.png

技術精準、有效吞吐量

MA300 Gen3 結合了成本效益、亞微米精度與高度製程彈性。經過驗證的近距光刻、先進的對準與自動化處理,可確保大批量晶圓廠以及嚴苛研發環境的良率與生產力。

具成本效益的光刻技術

近距曝光技術結合了速度、精確度和卓越的成本效益。它只需投影系統成本的一小部分就能實現高品質的微結構,使其成為先進封裝和大批量製造的首選方法。

DSC01056.jpg
多樣化的應用範圍

從晶圆级封装和倒装芯片封装到 MEMS、LED 和功率器件,MA300 Gen3 可无缝适应各种应用。其靈活性使其同樣適用於大批量生產和工業研究,為製造商提供一個適用於廣泛製程的平台。

經過驗證的近距曝光技術

近距光刻技術以 SUSS 數十年的專業技術為基礎,在避免焦深限制的同時,精確地轉移結構。這種經過驗證的曝光方法可提供穩健且可重複的效能,在從厚光刻膠 MEMS 到細間距封裝等嚴苛製程中都能達到穩定的結果。

最高對準精度

對位要求嚴苛,MA300 Gen3 配備DirectAlign®與業界標準 PatMax。使用即時影像而非儲存圖案,可達到低至 0.5 μm 的頂端對準精度,確保卓越的製程穩定性與可重複性,是高產量應用的理想選擇。

受控制的本地製程環境

選購的 SUSS' 過濾單元可在對準器內部創造一個密封的迷你環境,不受無塵室波動的影響。由於微粒更少、空氣穩定性更高,製程一致性得以改善、瑕疵率下降、產品品質提升,有助於晶圓廠減少返工,降低整體製造成本。

先進封裝的旗艦級掩模對準機

MA300 Gen3 掩模對準機的主要對準特性

MA300 Gen3 專為先進封裝所設計,透過DirectAlign®對準精度、MO曝光光学系统® 和彈性對準模式來實現其對準性能。憑藉強大的厚光刻膠能力,它在廣泛的製程範圍內提供穩定、可重複的結果的技術基礎。

DSC01001.jpg
DirectAlign® 精度

透過DirectAlign® 達到 0.5 µm 的頂側對準精度,SUSS' 結構檢測軟體的增強功能可針對嚴苛的生產要求提供出色的對位性能。

一個系統,每種應用

從 3 D 封裝和晶圓級凸點工藝到 MEMS、LED 和功率器件,MA300 Gen3 可完美適應各種不同的應用。近距光刻技術可避免焦深限制,使超厚光膠層的穩定曝光超越步進能力。

靈活的對準選項

無與倫比的多功能性:可選擇頂面、底面或紅外對準,輕鬆可靠地處理減薄晶圓、不透明基板和雙面結構化晶圓,即使是最嚴苛的應用也能輕鬆應對。

下載

想要瞭解更多詳細資訊?請點選以下連結,下載技術資料表和深入產品資訊的產品簡報。

相關 產品

探索我們的影像解決方案組合

MA200 Gen3

專為大批量生產所設計的 MA200 Gen3 掩模對準機適合自動處理最大 200 mm 的晶圓。
了解更多
MA200_Gen3-1600x1200.png
自動化

MA/BA Gen4 系列

SUSS' 半自動化掩模與鍵合對準器的新平台系統:兩種系統型號 MA/BA Gen4 與 MA/BA Gen4 Pro 在配置上有所不同,可針對標準製程或先進與高階製程進行設計。
了解更多
MABA_G~1.PNG
半自動