永久接合ソリューション

XBC300 Gen2 SP – 表面処理クラスター

XBC300 Gen2 SPは、Wafer-to-Wafer(W2W)およびシーケンシャル/コレクティブDie-to-Wafer(D2W)ハイブリッドボンディングプロセス向けに設計された、表面処理専用プラットフォームです。現代の半導体製造に求められる高度な要件に対応し、安定性と再現性に優れたプロセスをサポートします。さらに、Front-End-of-Line(FEOL)基準の清浄度レベルを実現し、高度なAdvanced Packagingアプリケーションにおいて精密なボンディング結果に貢献します。

xbc300 gen2 sp frontal

要求の厳しいボンディングプロセスに対応する先進的な表面処理

XBC300 Gen2 SPは、量産環境と研究開発環境の双方に対応する、柔軟でスケーラブルなアプローチを提供します。これにより、お客様は高性能な表面活性化を既存のハイブリッドボンディングエコシステムへシームレスに統合できます。精密でプロセス安定性に優れ、現代の半導体製造要件に合わせて設計されています。

コンパクトなフットプリント

コンパクトな装置レイアウトにより、XBC300 Gen2 SPは同等システムと比べて必要なクリーンルーム面積を抑え、貴重なCleanroomキャパシティの有効活用を支援します。小さな設置面積でありながら、SUSSは量産レベルの自動化を提供します。最大2台の全自動FOUPロードポートとカセットアダプターオプション、2台のテープフレームカセットステーション、さらに手作業を削減しスループットを安定化する6軸ロボットを搭載可能です。反りウェーハなどに対応する特殊ハンドラーも、ご要望に応じて提供可能で、要求の厳しい基板においても安定したプロセスを支援します。

高性能洗浄モジュール

フルウェーハおよびテープフレーム向けの湿式化学洗浄モジュールは、Megasonic対応を含む多様なディスペンスオプションを提供します。オプションとして、裏面リンスおよびN₂アシストスピンドライにも対応します。NH₄OHやクエン酸などの希釈洗浄薬液は、基本構成で使用可能です。SC1やTMAHなどを用いた有機残渣除去機能は、ご要望に応じて提供可能です。

優れた表面活性化

プラズマモジュールは、Fusion Bondingにおける信頼性の高い表面処理に向けて設計されています。真空プラズマチャンバーがウェーハ表面を効果的に活性化し、高いボンド強度を持つFusion Bondsをサポートします。

統合型In-situメトロロジー

統合されたスループット最適化メトロロジーステーションにより、Wafer-to-WaferおよびDie-to-Waferボンドのアライメントを、すべてのプロセスステップを通じて高精度にインライン検証できます。メトロロジーモジュールは、Full-Field IR Overlay測定およびIR Void検査に対応し、Void検出分解能は500 µm超です。

グローバル生産と研究開発に対応する表面処理

XBC300 Gen2 SP のKey Features

統合ボンディングモジュールを搭載しない純粋な表面処理ソリューションとして、XBC300 Gen2 SPは幅広いスタンドアロンD2Wボンダーとのシームレスな互換性を実現します。SUSSの湿式プロセス技術に関する専門知識を基盤に、本システムは量産環境と研究開発環境の双方に向けて、柔軟でスケーラブルなアプローチを提供します。お客様は高性能な表面活性化を既存のハイブリッドボンディングエコシステムへ的確に統合し、プロセス安定性、効率性、そして現代のAdvanced Packagingアプリケーション要件に対応したソリューションのメリットを活用できます。

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インラインIR Void検出

XBC300 Gen2 SPは、ハイブリッドボンディングにおける表面処理に一貫してフォーカスして設計されています。統合型インラインIR Void検出により、欠陥がボンディング、アニール、その他の後工程へ進む前に可視化できます。500 µm超のVoidを自動分類することで、お客様はPoint of ControlでPass、Rework、Holdの判断を明確に行うことができ、統計的プロセス制御(SPC)を強化し、根本原因の特定を迅速化できます。これにより、W2WおよびD2Wプロセスフローにおける安定した歩留まりと信頼性の高いボンド品質を支援します。

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高性能湿式洗浄

XBC300 Gen2 SPは、制御された裏面リンスとN₂アシストスピンドライを組み合わせることで、残渣を効率的に除去し、常に乾燥した表面状態を確保します。本モジュールは、SC1互換プロセスおよびクエン酸ベースのアプリケーションに対応し、汚染残渣を的確に管理します。

プラズマ活性化

XBC300 Gen2 SPは、プラズマベースのウェーハ表面活性化において、高いプロセス柔軟性と再現性を提供します。Ar、O₂、N₂などの各種プロセスガスを使用でき、Mass Flow Controller(MFC)により精密に制御されます。本プロセスは完全なCMOS互換性を備え、ポリマー残渣のプラズマ洗浄にも適しています。真空プラズマチャンバーは、ターゲットウェーハおよびテープフレームプロセスの双方に対応する設計です。

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