MJB4 Mask-Aligner

Die Modernste F&E-Lösung für kleine Substrate und Bruchstücke

Dank seiner einfachen Bedienung und kompakten Größe ist der MJB4 von SÜSS MicroTec das ideale System für Labore und Kleinserienproduktionen. Die kostengünstige Fotolithografie-Lösung setzt Standards, insbesondere bei der Bearbeitung kleiner Substrate und Bruchstücke bis 100 mm. Seine zuverlässige, hochpräzise Justage und seine Fähigkeit zur hochauflösenden Strukturierung im Submikrometer-Bereich machen den MJB4 zu einem Gerät mit einzigartiger Leistungsfähigkeit in seiner Klasse.

Highlights

Hohe Auflösung bis 0,5 µm

Schnelle und präzise Justage mit Singlefield- oder Split Field-Mikroskop von SÜSS MicroTec

Hoch auflösende Optik speziell für dicke Lackschichten

Optionale Ausstattung mit universeller Optik für den schnellen Wechsel zwischen verschiedenen Wellenlängen

Nachrüstbar mit UV-Nanoimprint-Lithografie

SUSS MicroTec Mask Aligner MJB4

Der MJB4 findet häufig im MEMS und F&E Bereich Anwendung. Spezielle Konfigurationen ermöglichen ein optimales Handling auch nicht standardisierter Substrate wie Hybride, HF-Bauteile oder zerbrechliche III-V-Materialien. Zusätzlich besteht die Möglichkeit, den MJB4 um ein Modul für die UV-Nanoimprint-Lithografie zu erweitern.

In Lithografieprozessen, die ausschließlich eine Ausrichtung zu Strukturen auf derselben Seite des Device-Wafers benötigen (z.B. RDL, Micro-Bumping, o.ä.), werden die Positionsmarken der Maske zu denen des Wafers mittels Oberseitenjustierung ausgerichtet. Dies kann, je nach Eigenschaften des Substrates, entweder mit gespeicherten Positionsdaten des Wafers oder mittels zweier Live-Bilder, dem von SUSS MicroTec entwickelten DirectAlign™, realisiert werden.

Highlights

  • Höchste Justiergenauigkeit der Mask Aligner
  • Klare und robuste Bilderkennung auch bei schlechten Kontrastverhältnissen

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Bei vielen Strukturierungsprozessen werden mehrlagige Waferstapel verwendet. Mittels infraroter Beleuchtung lassen sich die typischerweise zwischen den Schichten eingebetteten Justiermarken identifizieren und ausrichten.

Mittels infraroten Lichts ist auch die Ausrichtung anhand solcher eingebetteter Marken möglich. Sie erfordern den Einsatz von Materialien, die für infrarotes Licht transparent sind wie undotiertes Silizium, viele Ill-V-Halbleiter (z.B. GaAs) und Klebstoffe für temporäre Bond- und Debondverfahren.  Mit Hilfe von Einzelfalluntersuchungen sollte eine Durchführbarkeit überprüft werden.

Für eine größtmögliche Verfügbarkeit der Infrarotjustierung lassen sich die SUSS Mask Aligner optional mit starken infraroten Lichtquellen und leistungsfähigen Kamerasystemen ausstatten.

Highlights

  • Starke IR-Lichtquellen und leistungsfähige Kamerasysteme

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Je geringer der Belichtungsabstand zwischen Maske und Wafer, desto höher ist die erreichbare Auflösung. Im Soft-Kontakt-Modus wird der Wafer in Kontakt mit der Maske gebracht und auf dem Chuck mittels Vakuum fixiert.

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Im Hart-Kontakt-Modus wird der Wafer unter Zugabe von positivem Stickstoffdruck fest an die Maske gedrückt.

Verfügbar:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

In diesem Modus wird ein Vakuum zwischen Maske und Substrat hergestellt. Hiermit lässt sich eine Auflösung von < 0.8 µm erreichen.

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Die LGO-Optik (engl. large gap optics) ist ideal für die Bearbeitung von dicken Fotolacken und Prozessen mit großen Belichtungsabständen und 3D-Lithografie. Die HR-Optik (engl. high resolution optics) eignet sich hingegen für Kontakt- und Proximity-Lithografie mit kleineren Belichtungsabständen bei höherer Auflösung.

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Die beugungsreduzierende Optik zielt auf den Ausgleich von Beugungseffekten sowohl bei der Anwendung von Kontakt- als auch in der Proximity-Lithographie. Anstatt einer flachen Welle, wie in herkömmlichen Verfahren, stellt diese Optik ein winkelförmiges Spektrum von Lichtwellen her, das die Beugungseffekte minimiert. Die Auswahl des richtigen Winkelspektrums verbessert die Strukturauflösung im Lack erheblich.

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

MO Exposure Optics repräsentiert ein einzigartiges Optikkonzept, speziell konzipiert für Mask Aligner von SÜSS MicroTec. Es beruht auf der Verwendung von Mikrolinsenplatten an Stelle herkömmlicher makroskopischer Linsenanordnungen. Das einfache Plug & Play-System ermöglicht schnellen und problemlosen Wechsel zwischen verschiedenen Winkeleinstellungen und erlaubt eine Anpassung an die aktuellen Prozessbedingungen. Dies schließt die Konfiguration der beiden klassischen SÜSS-Optiken HR und LGO ein.

Eine telezentrische Beleuchtung verbessert die Gleichmäßigkeit der Beleuchtung und erzeugt ein größeres Prozessfenster, was sich positiv auf die Ausbeute auswirkt. Durch MO Exposure Optics  ist weiterhin das Beleuchtungslicht von der Lichtquelle entkoppelt, weshalb sich kleinere Fehlstellungen der Lampe nicht negativ auf die Gleichmäßigkeit des Lichtstrahles auswirken. Eine entkoppelte Lichtquelle spart Einstell- und Wartungszeit und garantiert gleichförmige Beleuchtungsverhältnisse während der gesamten Lebenszeit der Lampe.

Highlights

  • Hervorragende Lichtgleichförmigkeit über das gesamte Belichtungsfeld
  • Zeitlich stabile Lichtquelle
  • Auf spezielle Prozessanforderungen einstellbare Beleuchtungsparameter durch austauschbare Beleuchtungsfilterplatten
  • Prozessfähigkeiten für DUV mit Mikrooptik aus Quarzglas
  • Spezielle "down-sizing"-Kits für eine Komprimierung des Licht bei kleineren Wafergrößen

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Details: Automatisierung

Die Mask-Aligner von SÜSS MicroTec sind mit einem Keilfehlerausgleichssystem ausgestattet, das Substrat und Maske mit einer Präzision im Mikrometerbereich parallel zueinander ausrichtet. 

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Optionen: Belichtung

Simulation von lithografischen Prozessen

Eine Simulation lithografischer Prozesse macht eine optimale Abstimmung von Prozessparametern ohne zeitintensive Trial-und-Error-Versuche möglich. Die multifunktionale Simulations-Software für lithografische Prozesse "Lab", die SÜSS MicroTec gemeinsam mit dem Hersteller GenISys vertreibt, erlaubt dem Anwender vor allem eine bessere Prozesskontrolle. Sie bietet alle notwendigen Simulationsfunktionen für die integrierte Design- und Prozessentwicklung, sowie Verifikation und Optimierung. Dabei deckt sie alle Prozessschritte von der Anpassung der Beleuchtung und Verbesserung der Maskenstruktur bis hin zur Verarbeitung von Fotolacken ab. Zusätzlich verbessern moderne 3D-Simulations- Funktionen die Darstellung der Modelle.

Die Kombination der MO Exposure Optics und der speziell für SÜSS Optiken definierten Optikmodelle in Lab ermöglicht eine kundenspezifische Designoptimierung der Belichtungsfilterplatten und damit die Verbesserung der Strukturierungsgenauigkeit.

Highlights

  • Vollständige Simulation des Mask-Aligner-Lithografieprozesses
  • Anpassbare Beleuchtungsparameter (Kollimation, spektrale Zusammensetzung), speziell vordefiniert für alle SÜSS-Optiken
  • Schnelle und flexible Darstellung sowie quantitative Auswertung in 1-, 2- und 3-D

Verfügbar in:

Automatische Mask-Aligner

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask-Aligner

Optionen: Nanoimprint-Lithographie

Imprint-Lithografie stellt eine kostengünstige und höchst zuverlässige Methode dar, um dreidimensionale Strukturen im Nano- bis Mikrometerbereich auf einer großen Vielfalt von Substraten zu erzeugen.

Für die Replikation wird ein Stempel in Kontakt mit einem fotosensitiven Material auf dem Substrat gebracht. Der Fotolack füllt dabei die dreidimensionale Struktur des Stempels und härtet anschließend unter Einwirkung von UV-Licht aus. Parameter wie Topografie des Musters, Strukturauflösung und Formfaktor haben einen erheblichen Einfluss auf den Prozess. 

Durch seine Kompatibilität mit herkömmlichen Prozessen in der Halbleiterindustrie spielt Imprint-Lithografie eine Schlüsselrolle in der Entwicklung und Produktion von Bauteilen wie DFB-Lasern, HB-LEDs, Wafer-Level-Kameras und MEMS. 

SÜSS MicroTec’s Lösungen für Imprint-Lithografie basieren auf seinen manuellen Mask-Aligner-Plattformen und unterstützen eine große Bandbreite von Materialien und Substratgrößen bis zu 200 mm. Hierbei erweist es sich als sehr wertvoll, Substrat und Stempel genau zu einander auszurichten und nivellieren zu können, wie es eine Reihe von Imprint-Anwendungen verlangt. Eine Imprint-Ausrüstung lässt sich an SÜSS Mask Alignern, die bereits im Einsatz sind, einfach nachrüsten. 

Je nach Prozessanforderung bietet SÜSS MicroTec auf seinen Mask-Alignern verschiedene Imprint-Verfahren an.

Mit UV-NIL (UV nano imprint lithography) bietet SÜSS MicroTec ein klassisches Imprint-Verfahren zur strukturtreuen Abbildung von Mustern mit einer Größe bis unter 50 nm. Die Abbildung der Strukturen erfolgt mittels eines harten Quarzglasstempels, der in Kontakt mit einem UV-sensitiven Fotolack auf dem Substrat gebracht wird. Das Setup erlaubt eine sehr präzise Steuerung von Prozessparametern wie Druck, Prozessierungsabstand und Dauer. 

Die UV-NIL-Methode bietet die höchste Auflösung unter den drei Imprint-Verfahren von SÜSS MicroTec und bietet sich aufgrund seiner hohen Benutzerfreundlichkeit für alle R&D-Einrichtungen an. 

Highlights 

  • Auflösung im zweistelligen Nanometer-Bereich (< 50 nm)
  • Kontrolle der Prozessparameter via Rezept-Editor
  • Einfache Bedienung
  • Hohe Gleichförmigkeit der Restlackdicke

Verfügbar in:

Halbautomatische Mask-Aligner

Manuelle Mask Aligner

Downloads
MJB4 Broschüre 1153kb
SÜSS Produktportfolio 990kb
Imprint-Lithographie Brochüre 2173kb
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