MaskTrack Pro Series

Für das Gelingen von hoch anspruchsvollen lithografischen Prozessen spielt die Unversehrtheit der Fotomaske eine große Rolle. Die automatisierte Anlage zur Fotomaskenbearbeitung MaskTrack Pro erfüllt alle Kriterien der nächsten Stufe der Lithografie-Roadmap im Hinblick auf Reinigungs-, Ausheiz- und Entwicklungsprozessen von Fotomasken. Seine innovativen Lösungen sind auf die hohen Anforderungen von 193i 1x half-pitch DPT, Extreme-Ultraviolet-Lithografie (EUVL) und Nanomprint-Lithografie (NIL). Innovative Verfahren zielen auf maximale Güte der eingesetzten Fotomasken.

MaskTrack Pro erlaubt eine Erweiterung zu Tool-Clustern mit Produkten von Drittanbietern und bietet damit einen gesamtheitlichen Ansatz für die Aufbewahrung, das Handling und die Verarbeitung von Fotomasken in einer vollkontrollierten und höchst reinen Umgebung. Die Modularität des Designs garantiert hohe Flexibilität und Anpassbarkeit auf Kundenwünsche. MaskTrack Pro liefert das beste Reinigungsergebnis bereits im ersten Durchlauf und gilt damit branchenweit als Plattform der Wahl.

Highlights

Verkürzt die Zeit bis zur Markteinführung

Verlängert die Lebenszeit der Fotomaske

Erhöht die Betriebszeit des Scanners

Reduziert die Betriebskosten

Maximiert die Ausbeute

SUSS MicroTec Photomask Equipment MaskTrack Pro
Konfiguration: 193i / EUVL Photomask Cleaning System

MaskTrack Pro bietet eine spezielle Kombination von physikalischen und nasschemischen Reinigungstechnologien und -methoden zur Oberflächenbehandlung und -passivation. Sie erlaubt eine effektive Entfernung von Partikeln und organischer sowie anorganischer Verunreinigung. Darüber hinaus sichern intelligente Reinigungsabläufe und verschiedene Verfahren zur Oberflächenvor- und nachbehandlung die Unversehrtheit von Fotomasken  für Technologieknoten bis hinunter zu 1x nm Half-Pitch.

MaskTrack Pro ist abwärts kompatibel bis zu 90 nm Half-Pitch.

Physikalische Nassreinigung

Das System bietet verschiedenste physikalische Methoden zur Nassreinigung. Die Untergliederung in bis zu drei Reinigungskammern dient der Trennung von Strip-, Vorreinigungs- und Hauptreinigungsverfahren.

  • Spezielle Methode zur Oberflächenbehandlung und Reinigung unter Verwendung von UV-Licht
  • Hochfrequente Zweifach-MegaSonic - Reinigung von 1 bis zu 4 MHz
  • Präzise Nanospray-Technologie
  • Lokale Reinigung von Kontaminationen

 

Chemische Nassreinigung

  • Entgasung des DIW-H20 zur Kontrolle der Kavitation während des MegaSonic -Prozesses
  • Hochreines, heißes und kaltes CO2-DI-Wasser
  • Ozoniertes DI-Wasser und elektrolysiertes H2-DI-Wasser inklusive ph-Wertstabilisierung
  • Hochverdünntes SC1
  • Neue Lösungen auf Alkalibasis zur weiteren Reduzierung von Strukturschäden
  • 15 nm Medienfiltrierung
  • Technisch ausgereifte Methoden zur Oberflächenvorbehandlung<s>, </s>Konservierung und Wiederherstellung
  • Dehydrierung mit Hochtemperaturprozessen und Entfernung von Restionen bei 193i-Fotomasken
  • Dehydrierung mittels RTP-Technologie und Oberflächenrestaurierung speziell für EUV-Fotomasken
  • 172 nm UV<s>-</s>Oberflächenbehandlung
  • Maskenaufbewahrung unter streng kontrollierten Umgebungsbedingungen
  • Transfer des nassen Substrates von Vor- zu Hauptreinigung
  • Trockenflip-Funktion
  • Berührungsarmes Doppel-Handling für den getrennten Transfer von sauberen und kontaminierten Fotomaskensubstraten
  • Multiple Input-/Output- und Substrat-Buffer-Stationen
  • Online-Überwachung des Prozesses via Webcam
  • Konform mit SEMI S2, S8, S13
  • CE-zertifiziert
  • Konform mit europäischen Standards und den Maschinenrichtlinien 2006/42/EC, EMC- 2004/108/EC und Niederspannungsrichtlinie  2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 Klasse 2
  • Fab-Automatisierung via SECS/GEM 200/300 mm Standardschnittfläche
Konfiguration: Single Chamber Photomask Backside Cleaning System

MaskTrack Pro lässt sich speziell für die Reinigung vom 193i Photomasken als System konfigurieren, das ohne den Einsatz von sulfathaltigen Chemikalien auskommt.

Physikalische Nassreinigung

  • Single-Substrat-Prozesskammer für die Endreinigung
  • Spezielles Chuck zur Rückseitenreinigung bietet kompletten Schutz
    der Maskenvorderseite und Pellicle vor Reinigungschemikalien und Spülwasser
  • MegaSonic-Reinigung
  • Nanospray-Technologie
  • Lokale Reinigung von Kontaminationen
  • Trockenschleudern

 

Chemische Nassreinigung

  • Entgasung des DIW-H20 zur Kontrolle der Kavitation während des MegaSonic -Prozesses
  • Hochreines, heißes und kaltes CO2-DI-Wasser
  • Ozoniertes DI-Wasser und elektrolysierte H2 DI-Wasser inklusive ph-Wertstabilisierung
  • Hochverdünntes SC1
  • Neue Lösungen auf Alkalibasis zur weiteren Reduzierung von Strukturschäden
  • 15 nm Medienfiltrierung
  • Pellicle- kompatibles Substrat-Handling
  • Input-/Output- und Substrat-Buffer-Stationen
  • Online-Überwachung des Prozesses via Webcam
  • Konform mit SEMI S2, S8, S13
  • CE-zertifiziert
  • Konform mit europäischen Standards und den Maschinenrichtlinien 2006/42/EC, EMC- 2004/108/EC und Niederspannungsrichtlinie  2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 Klasse 2
  • Fab-Automatisierung via SECS/GEM 200/300 mm Standardschnittfläche
Konfiguration: InSync EUVL Photomask Management System

Das InSync System von MaskTrack Pro stellt ein ganzheitliches Konzept für das Maskenmanagement in einer EUVL-Umgebung dar. Als Schnittstelle zwischen der MaskTrack Pro Reinigungsplattform und dem EUV-Scanner, ermöglicht es die Automatisierung des EUV-Dual-Pod-Systems. Mit seiner Ausrichtung auf höchste Ansprüche an Eigensauberkeit sichert es einen partikelfreien Transfer der EUV-Fotomaske und die Kompatibilität mit der hochsensiblen Vakuumumgebung des EUV-Scanners. Das innovative Design erlaubt die  Lagerung des Inner-Pods und eine Partikelerkennung auf der Rückseite.

  • Kompatibel mit EUV-Dual-Pod
  • Automatisierung des Inner-Pods (EIP) (Öffnen/Schließen, Aufbewahrung)
  • Schnittstelle zu MaskTrack Pro Cleaning-System
  • Rückseiteninspektion mittels komplexer Software und direkter Feedbackkontrolle
    für eine Wiederholung der Fotomaskenreinigung bei Bedarf
  • Als Cluster kombinierbar mit Systemen von Drittanbietern
  • Funktional als Stand-alone-Einheit oder als Cluster kombinierbarzu MaskTrack Pro Cleaning-System
  • Kompatibel mit Standard- SMIF-Boxen für den Transfer von Fotomasken zwischen SMIF und EUV-Dual-Pod
  • Funktion zum Lesen eines 2D-QR-Codes auf  EUV-Fotomasken
  • Konform mit SEMI S2, S8, S13
  • CE-zertifiziert
  • Konform mit europäischen Standards und den Maschinenrichtlinien 2006/42/EC, EMC- 2004/108/EC und Niederspannungsrichtlinie  2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 Klasse 2
  • Fab-Automatisierung via SECS/GEM 200/300 mm Standardschnittfläche
Konfiguration: Photomask Bake and Develop System

Das MaskTrack Pro Bake and Develop System ist Teil aus SÜSS MicroTecs umfassender Maskenproduktserie für Next-Generation-Lithography. Eigens für die Anforderungen von sub 32 nm Technologieknoten konzipiert, ermöglicht die Plattform sehr anspruchsvolle Prozesssschritte bei der Herstellung von Fotomasken.

  • A+Nozzle- Technologie
  • ASONIC-Technologie® für einen verbesserten Entwicklungsprozess durch erhöhten
    Entwicklermedienaustausch mittels Oberflächenanregung durch MegaSonic-Energie
  • Dynamische Medienmischratenkontrolle
  • 25-Zonen kontrollierte Hot-Plate
  • Kombinierter Hot-Plate- / Cool-Plate- Stapel
  • Ablagestation für Temperatursensor-Masken in jedem Stapel
  • Selbstoptimierender Ausheizprozess durch speziellen Softwarealgorythmus
  • Optimierung der CD-Gleichförmigkeit durch Profilbacken
  • Mirror-Bake-Funktion
  • Berührungsarmes Doppel-Handling für den getrennten Transfer von kalten und aufgeheizten Fotomaskensubstraten
  • Multiple Input-/Output- und Substrat-Buffer-Stationen
  • Online-Überwachung des Prozesses via Webcam
  • Konform mit SEMI S2, S8, S13
  • CE-zertifiziert
  • Konform mit europäischen Standards und den Maschinenrichtlinien 2006/42/EC, EMC- 2004/108/EC und Niederspannungsrichtlinie 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 Klasse 2
  • Fab-Automatisierung via SECS/GEM 200/300 mm Standardschnittfläche
Konfiguration: TeraPure Imprint Template Cleaning System

TeraPure, MaskTrack Pros spezielles System für Imprint-Matrizen, enthält bewährte Technologien, mit denen es das branchenweit anerkannte beste Reinigungsergebnis im ersten  Durchgang erzielt. Das modulare Design bietet Kunden die Flexibilität, die sie für dynamische und sich noch weiter entwickelnde Verfahren wie die Nanoimprint Lithography (NIL) brauchen.

Physikalische Nassreinigung

Das System besteht aus zwei separaten Reinigungskammern für eine Trennung von Stripping bzw. Vorreinigung und Endreinigung. Alternativ lässt sich die Reinigung der Mastervorlage einer Kammer, die Reinigung des Abdrucks der anderen Kammer zuweisen.

  • Einzigartige Methode zur Oberflächenbehandlung und Reinigung unter Verwendung von UV-Licht
  • Hochfrequente Zweifach-MegaSonic- Reinigung von 1 bis zu 4 MHz
  • Präzise Nanospray-Technologie
  • Online-Überwachung des Prozesses via Webcam

 

Chemische Nassreinigung

  • Entgasung des DIW-H20 zur Kontrolle der Kavitation während des MegaSonic -Prozesses
  • Hochreines, heißes und kaltes CO2-DI-Wasser
  • Ozoniertes DI-Wasser und elektrolysiertes H2-DI-Wasser inklusive ph-Wertstabilisierung
  • Hochverdünntes SC1
  • Neue Lösungen auf Alkalibasis zur weiteren Reduzierung von Strukturschäden
  • 15 nm Medienfiltrierung

Sophisticated Preparation, Preservation and Restoration

  • High temperature dehydration and ion removal for 193i photomasks
  • 172nm UV exposure
  • Paralleles Handling für verschiedene Substratgrößen (z.B. 65 mm Imprint-Matrizen und 6“ Repliken)
  • Individuelle Buffer Stationen für jede Substratgröße
  • Transfer des nassen Substrates von Vor- zu Hauptreinigung
  • Trocken -Flip-Funktion
  • Berührungsarmes Doppel-Handling für den getrennten Transfer von sauberen und kontaminierten Fotomaskensubstraten
  • Multiple Input-/Output- und Substrat-Buffer-Stationen
  • Online-Überwachung des Prozesses via Webcam
  • Konform mit SEMI S2, S8, S1
  • CE-zertifiziert
  • Konform mit europäischen Standards und den Maschinenrichtlinien 2006/42/EC, EMC- 2004/108/EC und Niederspannungsrichtlinie 2006/95/EC
  • DIN ISO 14.644 Klasse 2
  • FabAutomatisierung via SECS/GEM 200/300 mm Standardschnittfläche
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