Fotomasken-Systeme

Jede Einführung eines neuen Technologieknotens zieht innovative Weiterentwicklungen in der Fotomaskenbearbeitung nach sich. Um die Anforderungen seiner Kunden vollständig zu erfassen und in Folge ein hohes Maß an Maskenlebensdauer zu gewährleisten, kooperiert SUSS MicroTec eng mit seinen Kunden, Technologiepartnern und OEM Partnern zusammen.

Mit seiner etablierten Produktfamilie von Anlagen für die Fotomaskenbearbeitung deckt SUSS Microtec die ganze Bandbreite an Lithographie-Technologieknoten ab, einschließlich der nächsten Generation für < 10 nm HP. Ihre hochwertigen Lösungen umfassen Stripping, Reinigung, Post-Exposure-Baking und Entwicklungsprozesse.

 

AutomatIsche Fotomasken-SystemE

MaskTrack Pro Series

Automatisierte Plattform zur Fotomaskenbearbeitung

ASx Series Fotomasken Reinigungssystem

Für Technologieknoten im Bereich 250 nm bis 90 nm

 

ManuEllE Fotomasken-System

HMx Series

Manuelle Entwicklungs, Ätz- und Reinigungsprozesse für Fotomasken

 

 

 

Bei der Herstellung von Bauteilen kann eine Verunreinigung der Maske den Abbildungsprozess des Lithografiegerätes erheblich beeinträchtigen. Partikel einer Größe von kleiner einem Mikrometer drohen die Produktion genauso zu gefährden wie eine Kontaminierung mit organischen und anorganischen Substanzen. Ein umso größeres Gewicht bekommen daher die Aufbereitung, die Reinigung und das Handling der Fotomasken.  Auch die die sogenannte Lithografie der nächsten Generation (engl. next-generation lithography) benötigt für ihre 22nm- (oder kleiner) Technologie sehr effiziente Reinigungsmethoden, um Strukturschäden oder Änderungen der optischen Eigenschaften soweit wie möglich zu verhindern. Eine „Null-Partikel“-Philosophie ist also unerlässlich.  

Als Substrate dienen unterschiedlichste Fotomasken von konventionelle binären aus allen möglichen Materialien bis hin zu Masken für Phasenverschiebung. Jedes von ihnen erfordert spezielle Technologien. 

Ein umfassender Reinigungsprozess beinhaltet:

  • Oberflächenaufbereitung
  • Entfernung von Fotolack und organischen Substanzen
  • Beseitigung von Partikeln
  • Entfernung von Restionen
  • Trocknen und Erhaltung der reinen Oberflächen

Vor der Anwendung von Nassreinigung wird die Fotomaskenoberfläche aktiviert. Dabei werden die Oberflächeneigenschaften geändert und von einem hydrophoben in einen hydrophilen Zustand überführt. 

Eine Möglichkeit, die Aktivierung trockenchemisch durchzuführen, stellt die Behandlung der Oberfläche mit 172nm UV-Licht dar. Dahingegen basiert der SPM (sulfuric-acid, hydrogen-peroxide mixture)-Prozess  ebenso wie die von UV-Licht eingeleitete Generierung in Flüssigkeiten, die in situ abläuft, auf nasschemischen Prozessen. Sie alle zielen darauf ab, die hydrophoben Oberflächenschichten zu entfernen, indem hydroxyle Gruppe auf der Fotomaskenoberfläche angelagert werden.

Highlights

  • Flexibilität bei der Auswahl der Methoden

Eine lange Lebensdauer der Fotomaske verringert die Cost-of-ownerschip (CoO) des Kunden. Dazu sollte die Oberfläche der Maske nach der Reinigung möglichst lange sauber gehalten werden. Dieser Faktor  wird noch wichtiger bei einem Einsatz in der EUV-Lithografie, in der die Kompatibilität des Scanner eine große Rolle spielt und jeglicher Ausfall des Belichtungsgerätes aufgrund von Kreuzkontamination vermieden werden sollte.

Prozesse zur Erhaltung einer reinen Oberfläche im Anschluss an die Nassreinigung zielen auf die Entfernung von Restbeständen an organischen und anorganischen Ionen ab, die immer noch in die Oberfläche eingebettet sind und eine Trübung wie auch molekulare Feuchtigkeit verursachen.

SÜSS MicroTec’s Anlagen zur Fotomaskenreinigung bieten eine Reihe von Nachbehandlungsmöglichkeiten. Je nach Substrattyp und Anforderungen kommen entweder Baking bei Hochtemperatur, sanftes RTP (“rapid thermal processing”), die eine IR-Belichtungsmethode im Vakuum darstellt, oder eine Belichtung mit 172nm UV-Licht zum Einsatz, um eine intakte Struktur der Fotomaske sicherzustellen.

Highlights

  • Technologien, die den spezifischen Anforderungen der verschiedenen Fotomaskentypen entsprechen 

Verfügbar in:

Bei der Fotomaskenreinigung werden typischerweise sowohl physikalische wie auch chemische Methoden verwandt, um Partikel und organische bzw. anorganische Verunreinigungen zu entfernen.

Für Fotomasken im Einsatz bei der hoch entwickelten 193i- und EUV- (“extreme ultraviolet”) Lithografie erweist sich die Kombination von hochpräzisen megasonischen und nanobinären Sprühtechnologien mit verschiedenen Medien als eine sehr gute Methode mit extrem hohen Effizienzraten bei der Partikelentfernung.

Darüber hinaus bietet die innovative umweltfreundliche in-situ-UV-Technik für die Erhaltung einer intakten Struktur eine große Palette an chemiefreien Prozessen wie Oberflächenaufbereitung, Lack-Stripping, Entfernung von organischen Verschmutzungen und die finale Reinigung. Somit werden Strukturschäden oder Änderungen der optischen Eigenschaften der Fotomaske vermieden.

Highlights

  • hoher Effizienz der Reinigung und hoher ersten Ausbeute nach der Reinigung (first past cleaning yield)
  • Reduzierung von Strukturschäden
  • Abdeckung verschiedener Prozesse durch eine Technologie (in-situ-UV)
  • Erhaltung der Auflösung
  • Niedriger Cost-of-Ownership (CoO)

Verfügbar in:

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