FotomaskenSysteme

Jede Einführung eines neuen Technologieknotens zieht innovative Weiterentwicklungen in der Fotomaskenbearbeitung nach sich. Um die Anforderungen seiner Kunden vollständig zu erfassen und ein hohes Maß an Maskenlebensdauer zu gewährleisten, arbeitet SÜSS MicroTec eng mit seinen Kunden, Technologie- und OEM-Partnern zusammen.

Mit seiner etablierten Produktfamilie von Anlagen für die Fotomaskenbearbeitung deckt SÜSS MicroTec die ganze Bandbreite an Lithografie-Technologieknoten ab, einschließlich der nächsten Generation für < 10 nm HP. Die hochwertigen Lösungen umfassen Stripping, Reinigung, Post-Exposure-Baking und Entwicklungsprozesse.

 

AutomatIsche FotomaskenSystemE

 

HalbAutomatIsche FotomaskenSystemE

 

 

 

Bei der Herstellung von Bauteilen kann eine Verunreinigung der Maske den Abbildungsprozess des Lithografiegeräts erheblich beeinträchtigen. Partikel einer Größe von <1 µm drohen die Produktion genauso zu gefährden wie eine Kontaminierung mit organischen und anorganischen Substanzen. Ein umso größeres Gewicht bekommen daher die Aufbereitung, die Reinigung und das Handling der Fotomasken. Auch die die sogenannte „Lithografie der nächsten Generation“ (engl. next-generation lithography) benötigt für ihre 22 nm- (oder kleiner) Technologie sehr effiziente Reinigungsmethoden, um Strukturschäden oder Änderungen der optischen Eigenschaften soweit wie möglich zu verhindern. Eine „Null-Partikel“-Philosophie ist also unerlässlich.  

Als Substrate dienen unterschiedlichste Fotomasken von konventionell binären aus allen möglichen Materialien bis hin zu Masken für Phasenverschiebung. Jedes von ihnen erfordert spezielle Technologien. 

Ein umfassender Reinigungsprozess beinhaltet:

  • Oberflächenaufbereitung
  • Entfernung von Fotolack und organischen Substanzen
  • Beseitigung von Partikeln
  • Entfernung von Restionen
  • Trocknen und Erhaltung der reinen Oberflächen

Vor der Anwendung von Nassreinigung wird die Fotomaskenoberfläche aktiviert. Dabei werden die Oberflächeneigenschaften geändert und von einem hydrophoben in einen hydrophilen Zustand überführt. 

Eine Möglichkeit, die Aktivierung trockenchemisch durchzuführen, stellt die Behandlung der Oberfläche mit 172 nm-UV-Licht dar. Im Gegensatz dazu basiert der SPM- (sulfuric-acid, hydrogen-peroxide mixture) Prozess auf nasschemischen Prozessen, ebenso wie die von UV-Licht eingeleitete Generierung in Flüssigkeiten, die in situ abläuft. Sie alle zielen darauf ab, die hydrophoben Oberflächenschichten zu entfernen, indem hydroxyle Gruppe auf der Fotomaskenoberfläche angelagert werden.

Highlights

  • Flexibilität bei der Auswahl der Methoden

Eine lange Lebensdauer der Fotomaske verringert die Cost-of-ownership (CoO) des Kunden. Dazu sollte die Oberfläche der Maske nach der Reinigung möglichst lange sauber gehalten werden. Dieser Faktor wird noch wichtiger bei einem Einsatz in der EUV-Lithografie, in der die Kompatibilität des Scanners eine große Rolle spielt und jeglicher Ausfall des Belichtungsgeräts aufgrund von Kreuzkontamination vermieden werden sollte.

Prozesse zur Erhaltung einer reinen Oberfläche im Anschluss an die Nassreinigung zielen auf die Entfernung von Restbeständen an organischen und anorganischen Ionen ab, die immer noch in die Oberfläche eingebettet sind und sowohl eine Trübung wie auch molekulare Feuchtigkeit verursachen.

SÜSS MicroTecs Anlagen zur Fotomaskenreinigung bieten eine Reihe von Nachbehandlungsmöglichkeiten. Je nach Substrattyp und Anforderungen kommen entweder Baking bei Hochtemperatur, sanftes RTP (“rapid thermal processing”), die eine IR-Belichtungsmethode im Vakuum darstellt, oder eine Belichtung mit 172 nm UV-Licht zum Einsatz, um eine intakte Struktur der Fotomaske sicherzustellen.

Highlights

  • Technologien, die den spezifischen Anforderungen der verschiedenen Fotomaskentypen entsprechen 

Verfügbar in:

Bei der Fotomaskenreinigung werden typischerweise sowohl physikalische wie auch chemische Methoden verwandt, um Partikel und organische bzw. anorganische Verunreinigungen zu entfernen.

Für Fotomasken im Einsatz bei der hoch entwickelten 193i- und EUV- (“extreme ultraviolet”) Lithografie erweist sich die Kombination von hochpräzisen megasonischen und nanobinären Sprühtechnologien mit verschiedenen Medien als eine sehr gute Methode mit extrem hohen Effizienzraten bei der Partikelentfernung.

Darüber hinaus bietet die innovative umweltfreundliche in-situ-UV-Technik für die Erhaltung einer intakten Struktur eine große Palette an chemiefreien Prozessen wie Oberflächenaufbereitung, Lack-Stripping, Entfernung von organischen Verschmutzungen und die finale Reinigung. Somit werden Strukturschäden oder Änderungen der optischen Eigenschaften der Fotomaske vermieden.

Highlights

  • Hohe Effizienz der Reinigung und hohe ersten Ausbeute nach der Reinigung (first past cleaning yield)
  • Reduzierung von Strukturschäden
  • Abdeckung verschiedener Prozesse durch eine Technologie (in-situ-UV)
  • Erhaltung der Auflösung
  • Niedrige Cost-of-Ownership (CoO)

Verfügbar in:

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