MA300 Gen2 Mask Aligner

Highly Automated Mask Aligner Platform for 300mm and 200mm Wafers

SUSS的第二代MA300是一个用于300毫米和200毫米晶圆的高度自动化的掩模对准光刻平台,专为三维封装、晶圆凸点和晶圆级封装应用而设 计,同时也可以用于图形尺寸5微米到100微米之间的其它技术。MA300开启了SUSS掩模对准光刻机的新纪元,可以满足现代高端工厂量产环境的需求。

亮点

全场光强90mW/cm²(宽带曝光)

Down to 2.5% Light Uniformity on 300 mm

100%边缘曝光灵活性(轻松的边缘光刻胶去除)

分辨率优于3微米

对准精度1微米,直接对准可选0.5微米(3σ)

可选装专用于三维互连的对准模块

Best in Class Throughput

SUSS MicroTec Mask Aligner MA300 Gen2

此外,MA300的标准顶部对准精度优于0.5微米(直接对准),新的三维专用对准平台可以实现背面和红外对准,可满足300毫米三维封装光刻应用 的需求,例如用于穿透硅通道(TSV)、划片槽、背面再布线层(RDL)和凸点应用的刻蚀掩模光刻。背面对准功能使SUSS的300毫米掩模对准光刻机可 以处理具有双面结构的晶圆,红外对准功能可以处理对可见光不透明而红外可透过的基片,例如粘合剂材料,特别是用于薄形基片处理和包封的应用。

与步进投影光刻不同,掩模对准光刻机在曝光非常厚的材料时,效率很高。掩模对准光刻机因其投影系统没有焦深的限制,所以可以提供大的工艺窗口,。

在光刻工艺中,只需对准器件晶圆同侧的结构(例如再布线层、微凸点 等),用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。  根据衬底的特性,这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。 

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 掩模对准器极高的对准精度
  • 清晰、强大的图像识别功能,即使在对比度不理想的情况下

应用微电子机械系统(MEMS)、圆晶级封装和三维集成的工艺,例如在接板上制造垂直通孔 (TSV),需要与正面结构对准的晶圆背面结构。 此时常使用光学背面对准。 集成摄像机系统采集掩模结构和晶片背面结构并将它们相互对准。 由于晶圆在装载掩模靶后被覆盖,必须预先确定并存储其位置。 这对整个对准系统提出了特殊的要求。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • SUSS 掩模对准器凭借其极高的机械精度和稳定性带来无与伦比的准确性

多层晶圆堆叠被应用在许多构造工艺中。 用红外照射可以识别并对准通常埋在层之间的对准标记。

红外光还可以根据这些埋入的标记进行对准。  这需要使用能透过红外线的材料,例如硅、III-V族半导体(如砷化镓)以及临时键合和键合分离工艺中所使用的粘着剂  通过个例研究检查可行性。

为了尽可能扩大红外对准的使用范围,SUSS 掩模对准器可以选配强大的红外光源和高性能摄像系统。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 强大的红外光源和高性能摄像系统

提高对准精度

当对套刻精度有较高要求时,大大提升标准系统的自动对准功能。DirectAlign®,SÜSS MicroTecs 图像识别软件附加功能,放弃图片存储系统中的结构图文件,取而代之的是访问实况图。结构识别基于工业标准 PatMax 且取得了优异成绩。因此,在 SUSS 掩模对准器上用 Direct Align® 进行顶面对准时对准精度可达到 0.5 微米。
对易混淆结构或视野受限的苛刻对准过程建议使用强化对准。

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐,然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小(因此又叫“接近式光刻”)。 在曝光过程中,掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量,一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快,应用灵活,从而成为微结构生产最具成本效益的方法,它能生产出最小3微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统(MEMS)、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模对准器以阴影工艺为基础。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 因为镜头系统衍射减少,从而得到更突出的分辨率。
  • 使用了微镜片镜头系统,所以工艺稳定

The lower the exposure gap from mask to wafer, the higher the resolution. In soft contact mode the wafer is brought into contact with the mask and is fixed onto the chuck with vacuum.

灵活性最高的专业镜头系统

The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.

选项:

全自动

半自动

手动

The diffraction reducing exposure optics is designed to compensate diffraction effects in both contact and proximity lithography. Instead of using a plane wave as in other proximity lithography tools it provides an angular spectrum of planar light waves to reduce diffraction effects. The selection of a proper angular spectrum improves structure resolution in the resist.

Auto Alignment is based on a motorized alignment stage. The COGNEX® based pattern recognition software automatically recognizes wafer target locations and controls the movement of the alignment stage. Coupled with SUSS MicroTec‘s DirectAlign® accuracies down to 0.25μm can be achieved. Auto Alignment enables highest repeatability of process results coupled with optimized throughput and minimum operator intervention.

The mask aligner optionally offers an automatic filter exchange unit for up to four filters that are selected via process recipe. This removes the risk of operator errors and thus improves yield and effective throughput.

选项:

全自动

半自动

SUSS mask aligners are equipped with a WEC head system that allows reaching the parallelism between substrate and mask with a micrometric precision 

Fully automated substrate and mask handling minimizes operator intervention and guarantees highest productivity.

详细信息: Process Control

自动掩模管理系统

掩模库控制环境条件最多保存20个掩模板。此外,系统还能够自动识别正确的掩模并负责装卸掩模。
使用掩模库可以最大限度地减少操作错误并整体提升设备生产力。

选项:

全自动

恒温夹具补偿

光掩模和晶圆之间的热膨胀不同可显著影响套刻精度。SUSS MicroTec 温控系统 ThermAlign® 确保晶圆夹具温度恒定,以此稳定掩模温度。通过调整工艺温度,ThermAlign® 平衡热效应。

Available for:

Automated Mask Aligner

对准暗场掩模

大亮场对准用于暗场掩模应用。它们只有极小的亮场,即很难定位晶圆上的靶位。大明场方法可移出可见范围内的掩模,从而无视觉阻碍地穿过掩模定位晶圆上的靶位。

Available for:

Automated Mask Aligner

降低错误率

针对恶劣的工艺条件,SUSS MicroTec 提供强化对准功能包,在冗余的基础上明显降低错误率。 当对准标记被损坏时,系统可以定义备用位置,此外还允许进行两阶段的最终调整,首先用辅助标记进行粗调,然后用真正的标记进行精调。

建议对易混淆结构的复杂工艺使用强化对准,例如先进封装,或者视野受限时,如暗场掩模。

Available for:

Automated Mask Aligners

曝光陡立和垂直侧壁

为曝光陡立和垂直侧壁,就如微机械结构中或微机械结构上、垂直沟槽中或者两个或多个堆叠部件之间连线上所出现的,SUSS MicroTec 公司针对这种情况推出倾斜曝光系统。它也适用于层厚度有巨大差异的应用,为了得到均匀结果必须以不同光量曝光。倾斜曝光的入射角可以为60度和45度。

Available for:

Automated Mask Aligner

模拟光刻工艺

模拟光刻工艺无需反复试验就可优化调整工艺参数。SÜSS MicroTec 公司与生产商 GenISys 销售的“实验室”光刻工艺多功能模拟软件为用户带来更强大的工艺控制。它提供集成设计和工艺开发所有必要的模拟功能,以及验证和优化功能。包括从曝光调整和掩模结构改进到光刻胶处理的所有工艺步骤。此外,先进的3D模拟功能进一步优化模块的演示效果。

MO Exposure Optics 结合专为 SÜSS 光学系统打造的实验室镜头模块,使实验室能够根据客户定向优化曝光滤板设计,从而改进结构精度。

亮点

  • 完整模拟掩模对准器的光刻过程
  • 可调节曝光参数(准直、光谱成分),特别是预先定义所有 SÜSS 光学系统
  • 快速灵活演示以及1 维 、2 维和 3 维定量分析

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

用户专属的曝光和掩模方案

通过综合优化在投影式光刻技术里用到的掩模板的设计和光源照明( 掩模优化) 减少衍射引起的结构错误。根据客户要求调综合整曝光滤板和掩模结构(OPC=光学近场校正)显著提升光刻工艺的功能性。

模拟平台可为工艺参数建模,如掩模结构和曝光参数。以此,在减少实验开销的同时,设置各种生产情况的曝光和掩模结构并降低投影错误.

光源掩模优化与 MO Exposure Optics® 特殊镜头一起为提高掩模对准光刻中的工艺稳定性作出重要贡献。

亮点

  • 通过 MO Exposure Optics 稳定光源
  • 通过可更换的曝光滤板优化光源
  • 通过光学邻近校正 (OPC) 优化掩模

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

选项: OTHERS

控制本地工艺环境

为了在制造结构时达到苛刻的可靠性要求,SÜSS MicroTec 公司的选配过滤器单元通过在机器壳内建立封闭处理室改进机器内空气的稳定性和质量。因此处理室很少出现超净条件波动。低尘对工艺稳定性以及产品质量有积极作用,并且有助于提高效率和降低成本。

Available for:

Automated Mask Aligner

处理敏感和弯曲的衬底

晶片传送被认为是自动化生产过程中的重要挑战。在工艺转换率较高且有大量不同衬底的生产环境中,例如晶圆生产中,要求处理系统能够快速转换。自动处理系统的可靠性直接影响生产率和产量。SÜSS 光刻机是一款可灵活更换的、处理各种不同敏感、弯曲或起拱起衬底的专用工具,满足客户所要求的严苛生产过程。

处理薄晶圆
特殊真空卡盘支持厚度小于120微米到50微米的超薄晶圆。

处理弯曲晶圆
对准和曝光前小心拉平弯曲或起拱晶圆。由于有众多影响参数,经过优化设计的工具能够适应各种衬底。

边缘处理
保护晶圆的特殊处理系统,特别适用于在MEMS中保护双面结构。

Available for:

Automated Mask Aligner

选项: Automation

接入工厂环境

选项:

全自动

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SUSS Product Portfolio 990kb
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