MA300 Gen3 掩模对准机

用于300毫米和200毫米晶圆的高度自动化光刻对准平台

SUSS的第三代MA300是一个用于300毫米和200毫米晶圆的高度自动化的掩模对准光刻平台,专为三维封装、晶圆凸点和晶圆级封装应用而设 计,同时也可以用于图形尺寸5微米到100微米之间的其它技术。MA300开启了SUSS掩模对准光刻机的新纪元,可以满足现代高端工厂量产环境的需求。

亮点

  • 全场光强90mW/cm²(宽带曝光)
  • 在300毫米上低至2.5%的光线均匀度
  • 100%边缘曝光灵活性(轻松的边缘光刻胶去除)
  • 分辨率优于4微米
  • 对准精度1微米,直接对准可选0.5微米(3σ)
  • 可选装专用于三维互连的对准模块
  • 一流的吞吐量
MA300 Gen3 掩模对准机

此外,MA300的标准顶部对准精度优于0.5微米(直接对准),新的三维专用对准平台可以实现背面和红外对准,可满足300毫米三维封装光刻应用 的需求,例如用于穿透硅通道(TSV)、划片槽、背面再布线层(RDL)和凸点应用的刻蚀掩模光刻。背面对准功能使SUSS的300毫米掩模对准光刻机可 以处理具有双面结构的晶圆,红外对准功能可以处理对可见光不透明而红外可透过的基片,例如粘合剂材料,特别是用于薄形基片处理和包封的应用。

与步进投影光刻不同,掩模对准光刻机在曝光非常厚的材料时,效率很高。掩模对准光刻机因其投影系统没有焦深的限制,所以可以提供大的工艺窗口,。

详细情况 : 对准技术

  • 顶面对准
  • 背面对准
  • 红外对准
  • DirectAlign®

详细情况 : 曝光

  • 阴影工艺(接近式光刻)
  • 软接触曝光

详细情况 : 曝光光学

  • MO Exposure Optics®
  • 抗衍射曝光系统
  • HR / LGO 曝光系统

详细情况 : 自动化

  • 自动切换滤光片
  • 楔形误差补偿(WEC)
  • 自动基片和掩膜传递
  • 自动对准

详细情况 : 过程控制

  • 掩模库

对准技术

  • ThermAlign®
  • 大明场对准
  • 强化对准

曝光

  • 实验室模拟软件
  • 掩模板优化

其他

  • 层流盒
  • 晶圆传送

自动化

  • SECSII/GEM 接口