MJB4 Mask Aligner

小尺寸基片的最新研发解决方案

SUSS的MJB4是广受欢迎的手动光刻机MJB3的全新换代产品。操作方便,占地面积小,成为实验室研究和小批量生产的理想设备。作为经济型光刻解决方案,MJB4针对直径达100mm的小尺寸基片工艺确立了一套工业标准。MJB4配有高可靠和高精度的对准系统,同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力,这些特点都使得MJB4的性能明显优于同类设备。 

亮点

高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米

装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜,实现快速准确对准

针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统

可选配通用光学器件,在不同波长间进行快速切换

可通过装配升级套件,实现紫外纳米压印光刻

SUSS MicroTec Mask Aligner MJB4

MJB4系统可广泛用于MEMS和光电子,例如LED生产。它经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻。

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Details: Alignment

在光刻工艺中,只需对准器件晶圆同侧的结构(例如再布线层、微凸点 等),用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。  根据衬底的特性,这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。 

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 掩模对准器极高的对准精度
  • 清晰、强大的图像识别功能,即使在对比度不理想的情况下

多层晶圆堆叠被应用在许多构造工艺中。 用红外照射可以识别并对准通常埋在层之间的对准标记。

红外光还可以根据这些埋入的标记进行对准。  这需要使用能透过红外线的材料,例如硅、III-V族半导体(如砷化镓)以及临时键合和键合分离工艺中所使用的粘着剂  通过个例研究检查可行性。

为了尽可能扩大红外对准的使用范围,SUSS 掩模对准器可以选配强大的红外光源和高性能摄像系统。

我们的客户可以从中得到以下好处

  • 强大的红外光源和高性能摄像系统

The lower the exposure gap from mask to wafer, the higher the resolution. In soft contact mode the wafer is brought into contact with the mask and is fixed onto the chuck with vacuum.

In hard contact mode the wafer is brought in direct contact with the mask, while positive nitrogen pressure is used to press the substrate against the mask. In hard contact mode a resolution in the 1 micron range is possible.

In this mode, a vacuum is drawn between mask and substrate during exposure. This results in a high resolution of < 0.8 µm.

The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.

选项:

全自动

半自动

手动

The diffraction reducing exposure optics is designed to compensate diffraction effects in both contact and proximity lithography. Instead of using a plane wave as in other proximity lithography tools it provides an angular spectrum of planar light waves to reduce diffraction effects. The selection of a proper angular spectrum improves structure resolution in the resist.

灵活性最高的专业镜头系统

Details: Automation

SUSS mask aligners are equipped with a WEC head system that allows reaching the parallelism between substrate and mask with a micrometric precision 

选项: Exposure

模拟光刻工艺

模拟光刻工艺无需反复试验就可优化调整工艺参数。SÜSS MicroTec 公司与生产商 GenISys 销售的“实验室”光刻工艺多功能模拟软件为用户带来更强大的工艺控制。它提供集成设计和工艺开发所有必要的模拟功能,以及验证和优化功能。包括从曝光调整和掩模结构改进到光刻胶处理的所有工艺步骤。此外,先进的3D模拟功能进一步优化模块的演示效果。

MO Exposure Optics 结合专为 SÜSS 光学系统打造的实验室镜头模块,使实验室能够根据客户定向优化曝光滤板设计,从而改进结构精度。

亮点

  • 完整模拟掩模对准器的光刻过程
  • 可调节曝光参数(准直、光谱成分),特别是预先定义所有 SÜSS 光学系统
  • 快速灵活演示以及1 维 、2 维和 3 维定量分析

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

选项: Nanoimprint Lithography

压印光刻是一种制造各种纳米到微米级结构的技术,低成本,可靠性高。

将一块印模放在基材上与感光材料接触,实现复制。胶填充压模的三维结构,然后在紫外光的作用下固化。图案、结构解析和模具等因素对该过程有很大的影响。

压印光刻能够与传统的半导体生产工艺兼容,在 DFB 激光器,高亮度 LED,晶圆级相机和微机电系统等组件的开发和生产中起到了非常关键的作用。

苏斯公司(SÜSS MicroTec)基于手动光刻机所开发的压印光刻解决方案,能够处理各种材料及最大 200 mm 的基板。如果要求多道压印工序并行,则能够将基板和压模精确对准。压印装置可便捷地加装在 SÜSS 光刻机上。

苏斯公司根据工艺要求,在其光刻机上采用不同的压印技术

UV-NIL(紫外纳米压印光刻)是一种典型的压印技术,可对小于 50纳米的样板结构进行完美压制。它将结果形状复制在硬石英玻璃压模上,压模与基板上的紫外光刻胶接触。可对压力、工序间隔、时间等工艺参数进行精确控制和设置。
UV-NIL 技术在苏斯公司的三种压印技术中,分辨率是最高的,对各种研发设备都适合。 

亮点

  • 两位数纳米级的分辨率(< 50 纳米)
  • 通过配方编辑器控制工艺参数
  • 操作便捷
  • 余胶厚度均匀 

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

下载
MJB4 Brochure 1153kb
SUSS Product Portfolio 990kb
Imprint Lithography 2173kb
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