ELP300 Gen2 Excimer Laser Stepper

SÜSS MicroTecのウエハサイズ200~300mm向けELP300プラットフォームは、エキシマレーザー・ステッパ技術をベースとしています。このシステムは248/308nmエキシマレーザーとマスクを用いたドライエッチングプロセスやレーザーアブレーション機能に対応しており、高精度のパターン形成と位置合わせが可能です。

Highlights

最小解像度: 1µm (ビア) および2.5µm (パターン)

位置合わせ精度: +/-1µm

使用可能な波長:248nmまたは308nm

投影光学系:最大径 100mm

形成モード:ステップ&リピート、ステップ&スキャン、連続スキャン

高度な自動化:SECS/GEM、ウエハの自動ロード/アンロード

SUSS MIcroTec Laser Processing ELP300 Gen2

 

SUSS MicroTecのウエハサイズ200~300mm向けELP300プラットフォームは、エキシマレーザー・ステッパ技術をベースとしています。このシステムは248/308nmエキシマレーザーとマスクを用いたドライエッチングプロセスやレーザーアブレーション機能に対応しており、高精度のパターン形成と位置合わせが可能です。高スループット用に設計されているため、アドバンスドパッケージング分野での複雑な微細加工プロセスに適しています。その他にも、例えば薄ウエハハンドリングのレーザー剥離や再配線層(RDL)のためのシード層の直接除去、レジストの露光などのウエハレベルパッケージングの用途にもお使い頂けます。

固体レーザー技術の分野では、ピコ秒単位のパルス幅を持つ高出力UVレーザーなど新しい技術が加わることで微細加工が可能になり、使用範囲が拡張されました。現在では、例えば3次元積層の分野 (インターポーザでのビア形成など) や再配線層の分野 (WLCSP / WLFO) で使用されています。


微細加工の分野では、エキシマレーザーは主にアブレーションのために使用されます。アブレーションとは、パルスレーザーを照射して表面材料を除去す ることを指します。このとき、光化学反応により電子が励起されることで圧力が急激に上昇し、材料表面が爆発的に除去されて複数のモノマーとガスが生じま す。発熱作用がほとんどないため、このプロセス技術は熱に弱い材料にも適しています。
アブレーションプロセスに対応したレーザー加工システムでは、多様で複雑な構造を形成するためにマスクが使用されます。マスクとウエハの間に位置す る投影光学系は、リソグラフィの投影ステッパのように、マスクのパターンをウエハ上に投影します。投影イメージは、ステップ&リピートで移動し、ウエハ表 面から直接材料を除去することでパターンを形成します。
エキシマレーザーは、基板やウエハの剥離にも使用されます。

弊社のお客様が得るメリット

  • プロジェクション装置の縮小光学系は、最小2.5µmの優れた解像度を実現
  • 用途に応じてさまざまな出力クラスの248nm または308nmレーザーを使用可

Available for:

Automated Excimer Laser Stepper

Downloads
ELP300 Gen 2 Datasheet 485kb
SUSS Product Portfolio 990kb
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