プロセステクノロジー

高性能で多機能のマイクロチップをコスト効率良く製造するため、製造計画では先端的なプロセステクノロジーの採用が進んでいます。念入りに適切なメソッドを厳選することで、製造プロセスの効率を大幅にアップし、歩留まりを高め、総製造時間を短縮することができます。SUSS MicroTecの各種装備は高いプロセス柔軟性を特徴としており、幅広いプロセスに対応するほか、カスタマイズも容易に行えます。

お客様の製品の製造に適したプロセスはどれですか?

お客様に有益なアドバイスをすること、そしてお客様が弊社製品を使用することでそれぞれの市場で成功を収めるお手伝いをすることが弊社の努めであると考えます。プロセスサポート  や実現可能性研究に対するニーズに対応するため、SÜSS MicroTecは世界中でアプリケーションラボを運営しています。高いスキルを持った専門スタッフが、プロセスに関する技能と経験をいかし、お客様の複雑なタスクのソリューションをお手伝いします。

アライメント

露光

コーティング

現像

接合技術

ウエハ仮貼り合わせ

ナノインプリントリソグラフィ

レーザー加工

プラズマ処理

フォトマスク加工

 

リソグラフィプロセスのうち、デバイスウエハのいずれか片方の面にあるパターンのみがアライメントの対象となる場合 (RDL、マイクロバンプなど) では、上面アライメントによってマスクのポジションマスクがウエハのポジションマスクに対してアライメントされます。SUSS MicroTecによって開発されたDirectAlign™では、基板の特徴に応じて、保存されているウエハのポジションデータまたは2枚のライブ画像 を用いてアライメントが行われます。

弊社のお客様が得るメリット

  • アライメント精度が高いマスクアライナ
  • コントラストが良くない場合でも明確でパワフルな画像認識機能

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MEMS、ウエハレベルパッケージ、3次元積層などのアプリケーション向けプロセス、例えばインターポーザ上でのシリコン貫通電極 (TSV) 形成では、ウエハ裏面のパターンを前面のパターンに合わせてアライメントする必要があります。通常、このようなアライメントには光学裏面アライメント技術 が用いられます。この技術では、カメラシステムを使っててマスクのパターンとウエハ裏面のパターンを認識し、相互のアライメントが行われます。マスクター ゲットのロード後にウエハが覆われて見えなくなるため、ウエハの位置は事前に決めて保存しておく必要があります。このことは、アライメントシステム全体に とって特別な要件となります。

弊社のお客様が得るメリット

  • 高い機械的精度とSUSSマスクアライナの安定性による抜群の精度

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

多くのパターン形成プロセスでは、複層のウエハスタックが使用されます。多くの場合、各層の間に埋め込まれているアライメントマスクは、赤外線照明を用いることで識別して、アライメントできます。
赤外光を使用して、このような埋め込まれたマスクに基づいたアライメントを行うこともできます。この場合、例えば不純物がドープされていないシリコ ン、様々な Ill-V半導体 (GaAsなど)、仮貼り付け/剥離用の接着剤といったような、赤外光に対して透明な材料を使用する必要があります。また、個別事例研究によって実現可能 性を確認する必要もあります。 
赤外線アライメントを実行できる可能性を最大限まで高めるため、SUSSマスクアライナには強力な赤外線光源と高性能カメラシステムが装備されています。

弊社のお客様が得るメリット

  • パワフルなIR光源と高性能カメラシステム

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

A mask with a certain structure is aligned with the wafer in very close proximity (thus “proximity” lithography). During exposure, the shadow cast by the mask structure is transferred to the wafer. The resulting exposure quality depends on both the precision with which the mask and wafer are spaced apart and the optical system used for exposure.

Being fast and suited to flexible implementation, this method is regarded as the most cost-effective technique for producing microstructures down to 3 µm in size. With contact exposure, resolutions in the sub-micron range can be achieved. Typical areas of use include wafer-level chip-scale packaging, flip chip packaging, bumping, MEMS, LED and power devices. The systems are deployed in high-volume production as well as in industrial research.

The mask aligners supplied by SUSS MicroTec are based on proximity lithography.

Features & Benefits

  • Superior resolution as a result of diffraction-reducing optics
  • Process stability through the use of microlens optical systems

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

Projection exposure entails aligning the mask with the wafer. The mask pattern is subsequently projected onto the wafer by means of an optical system between the mask and the wafer. With this process, usually only a portion of the wafer is exposed. By repeating the process incrementally ("step and repeat") or through a continuous process ("scanning"), the wafer is completely exposed. The type and the characteristics of the projection optics are decisive factors for resolution and depth of focus and thus for the effectiveness of the exposure.

The projection scanner technology offered by SUSS MicroTec utilizes the combined advantages of full-field exposure and conventional projection lithography, and serves as an alternative to mask aligners and conventional projection steppers. Projection scanning involves aligning a full-field mask with the substrate and then projecting the mask pattern onto the substrate by means of scanning. Scanning technology achieves greater throughput than stepper processes, while at the same time reducing system costs and achieving resolutions down to 3 µm.

Projection scanning offers the greatest advantage in processes requiring high resolutions or where high topography and thick resist coatings are involved. 

Features & Benefits

  • Cost-effective projection solution offering superior resolution down to 3 µm
  • Steep resist sidewalls in thick resist processes

Available for:

Automated Projection Scanner

Semiautomated Projection Scanner

スピンコートでは、回転させた基板上に、レジストを用いて均等に薄膜を構成します。レジスト (感光性レジストなど) は多くの場合、ウエハの中心に供給されます。その後の加速、最終回転数、各工程の継続時間に応じて、遠心力でレジストの一部が除去され、膜厚が均質になり ます。形成される薄膜の厚さは、プロセスの各種パラメータだけでなく、レジストまたはフォトレジストの物理的特性によっても左右されます。

SUSS MicroTecの特許取得済みGYRSETメソッドには大きなメリットがあります。GYRSETメソッドでは、コーティング中にプロセスチャンバーも同 時回転することで、回転する基板上の気流の乱れを効率良く抑えます。密閉されたチャンバーの中で、空気はレジストによって通常よりも早い段階で飽和状態と なるため、レジストはより長い時間をかけて乾燥され、基板上に均等に分配されます。それによって、材料の消費量を大幅に削減することができます。

ただし、スピンコートは高い起伏のパターンには適していません。

Available for:

Automated Coater and Developer

Semi-Automated Coater and Developer

Spray coating involves spray application of the solution to the wafer through a nozzle. The path traveled by the nozzle over the wafer is optimized to ensure that the coating is applied evenly to the substrate. The solutions used in spray coating usually feature a very low viscosity, which guarantees that fine droplets form.

Spray coating ensures a uniform layer even with high topography substrates, making it the preferred technique for structures of this kind. Even square substrates can be easily coated using the spray technique.

Features and Benefits

  • Uniform coating even of highly structured surfaces

Available for:

Automated Coater and Developer

Semi-Automated Coater

このプロセスでは、露光された基板に所定量の現像液を塗布し、適度に回転させて配分します。その際、現像液の表面張力によって、基板上に現像液が溜まった状態 (英語で「Puddle」) になります。現像時間が経過した後、現像液は高速回転によりウエハから飛ばされます。そして、脱イオン水でウエハを洗浄し、再び高速回転によって乾燥します。この手法のメリットは、現像液が少量しか必要でないこと、そして良好な現像結果が得られることです。
パドル現像方式は、大量の現像済みフォトレジストを取り除く場合や、起伏が高いパターンによって現像液の入れ替えが妨げられる場合など、現像液の飽和時には適していません。このような場合には、多段式パドル現像方式またはスプレー現像方式が使用されます。
 

特色與優點

  • M化学品用量低

Available for:

Automated Coater and Developer

Semi-Automated Coater and Developer

在噴霧式顯影期間曝光的基板會以低速旋轉。曝光區域會不斷覆蓋以剛噴灑上的顯影劑以免飽和。相對於浸置式顯影,噴霧式顯影具有可用於厚膜光阻以及進行大範圍顯影的優點。之後使用去離子水沖洗並持續乾燥旋轉便完成整個顯影過程。

特色與優點

  • 即使於厚膜光阻下亦能對整個晶圓均勻顯影。

Available for:

Automated Coater and Developer

Semi-Automated Coater and Developer

ポリマーと接着剤接合は、先端パッケージング、3次元積層と基板仮貼り合わせでのソリューションとなります。接着剤の選択肢は多く、エポキシ、ドラ イフィ ルム、BCB、ポリイミド、UV硬化樹脂等があります。ズースはこれらの材料に対応する装置を取り揃えています。ズースのボンダは特に、MEMSやレンズ スタッキング、CMOSイメージセンサ量産向けに必要とされる性能とC.o.Oを兼ね備えるよう設計されています。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

陽極接合はイオン伝導性ガラスウェハを用いた封止を目的としてMEMSプロセス(センサー類)にてよく使用されます。

トリプルスタックボンディングでは、3層ウェハ (例えばGlass/Si/Glass)の一括接合が可能です。これにより 機能性と収率の両方を向上させることできます。

特長と利点

  • 接合後のウェハは封止としての密閉性が高く、その後の耐熱性や耐薬性にも優れています。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

ウエハでの金属共晶接合は先端MEMSパッケージや3次元積層技術分野で利用されています。金属共晶の固有の特徴は、はんだのように合金が溶解するので表面の平坦度を増し、接合面のトポグラフィやパーティクルに対して許容値が大きいという点です。

共晶接合は、共晶金属のリフローをコントロールするために正確な加重配分と温度均一性が必要です。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

フュージョン接合は、二枚のウエハを接触させることで自発的な接合に進むことを利用した貼り合せ方法です。同様にシリコンダイレクト接合も、ウェットケミカルまたはプラズマ活性化処理された誘電層有りまたは無しの二枚のウエハを室温で貼り合せる方法です。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Semi-Automated Bond Aligner

Semi-Automated Mask and Bond Aligner

ガラスフリットによる接合は、MEMS製造において世界中で広く使われてきた従来型の接合技術です。自動車、ゲーム機、携帯電話に使われている3軸 加速度 計、ジャイロスコープ、圧力センサー等が代表的アプリケーションです。ABC200は、ガラスフリット接合でも高い評価を得ています。また量産対応クラス ター装置は、世界中のMEMS分野にて週7日24時間体制下でフル稼動しています。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder


ハイブリッド接合は、2つの金属層の熱圧着とフュージョン接合の組み合わせがベースとなっています。このプロセスでは電気的な接合 (金属接合) と機械的な接合 (フュージョン接合) が同時に行われます。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Cu-Cu、Al-Al、Au-Auや他の冶金術を用いた金属拡散接合 は、従来のガラスフリット接合や陽極接合に比べより高い気密性を実現できます。また3次元積層に金属拡散接合を利用すると、貼り合せる二枚のウエハ間の電 気的・機械的な接合を一度のプロセスステップで実現することが可能となります。更に、ガラスフリット接合を超えるポストボンドアライメント精度が得られる という点でも優れています。アルミメタライゼーションは、MEMSデバイス構造にしばしば用いられ、パッケージング段階での拡散を防ぐシーリング冶金とし ても有効です。
CMP技術と金属の蒸着方法の進歩により、金属拡散接合が陽極接合とガラスフリット接合に代わる有益な選択となっています。ズースのCBシリーズは、金属接合で求められる高温設定と加重の均一性という二つの要求を満たします。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

SLID接合(solid-liquid inter-diffusion、固液相互拡散)は、複数の金属の拡散と混合をベースにした接合手法です。合金の溶解温度は接合温度に比べて接合後では非常に高くなり、それによって用途範囲が大きく広がります。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

薄ウエハハンドリングを低リスクで行うため、ウエハ薄化の前にはウエハをキャリアウエハに載せます。この接合は以下の処理手順で行います。貼り合わせプロセスは、ウエハの処理が済んだ後で再び剥離する必要があります。

仮貼り合わせに必要なプロセス手順

  • 剥離層の形成 (コーティングまたはプラズマ活性化)
  • 接着剤の塗布
  • 貼り合わせ
  • 熱硬化またはUV硬化

SUSS MicroTecの開放的なプラットフォームは、現在市場に出回っている一般的な仮貼り合わせ用材料システム全種に対応しています。SUSS MicroTecでは現在採用されているさまざまな製造メソッドに加えて、さらなる材料への対応にも絶えず力を注いでおり、市販の接着剤に関しては最も多 くの選択肢をご用意しております。

弊社のお客様が得るメリット

  • 一般的な接着剤およびメソッドに対応した、開放的かつフレキシブルに設定可能なボンディングプラットフォーム
  • 接着層/剥離層形成と仮貼り合わせをひとつのシステムで実現
  • ウエハ厚化測定およびTTV測定のメソッドを統合

Available for:

Automated Temporary Bonder

Semi-Automated Bonder

処理するウエハから機械的にキャリアウエハを分離するための接着層と剥離層は、市場でさまざまな組み合わせが提供されています。そのため、さまざま なメソッドに対応するには、分離の速度やエネルギーといった剥離のパラメータを調整できることが重要になります。剥離プロセスは最初から最後まで監視およ び管理された状態で実行されます。薄ウエハはダイシングテープ上に保持された状態で剥離されますので、キャリアウエハを剥離した後も引き続き処理を行うこ とができます。
SUSS MicroTecの機械的なピールオフ法は室温で実行され、一般的な仮貼り合わせ用接着剤とメソッドのあらゆる組み合わせに適しています。剥離した後は、 ウエハを洗浄して接着層や剥離層の残留物を取り除く必要があります。ただし、ウエハが置かれるダイシングテープの中には、洗浄剤に対する耐性が低いものも あります。そのようなダイシングテープはウエハの洗浄中保護されます。

弊社のお客様が得るメリット

  • 一般的な接着剤およびメソッドに対応した、開放的かつフレキシブルに設定可能なボンディングプラットフォーム
  • 監視および管理される剥離プロセス
  • ウエハ洗浄中の特別な保護措置により、どのような種類のダイシングテープでも使用可

Available for:

Automated Debonder

SUSS MicroTec’s laser debonding technology uses glass carriers with sufficient transmission at the wavelengths used in debonding processes. The adhesive is released by means of irradiation using a 248 nm or 308 nm excimer laser. In contrast to a solid state laser, the excimer laser breaks the adhesive’s chemical bonds in close proximity to the glass carrier interface. Considered a room temperature process, this debonding method results in no thermal stress at the debonding interface and achieves very high throughput.

Highlights

  • Laser debonding is compatible with a great variety of thermoplastic adhesives
  • Standard glass carries requiring no special release layer are used
  • Thin wafer is subjected to no thermal stress

Available for:

Semi-Automated Debonder

Imprint lithography represents a cost-effective and highly reliable means of transferring three-dimensional nano- or micro-scale patterns onto a wide variety of substrates.

For the imprint, a stamp is brought into contact with a photosensitive material on the substrate. The photoresist fills out the three-dimensional pattern of the stamp and then solidifies under UV light .  Parameters such as pattern topography, structure resolution and aspect ratio have a considerable influence on the process quality. 

Thanks to its compatibility to well-established semiconductor processes, imprint lithography plays a key role in the development and production of DFB lasers, HB LEDs, wafer-level cameras and MEMS. 

SUSS MicroTec solutions for imprint lithography are based on manual mask aligner platforms and support a wide range of materials and substrate with sizes up to 200 mm. Furthermore, SUSS platforms provide the capability of aligning and levelling stamps to substrates, as required by many imprint applications. Imprint equipment can also be retrofitted to SUSS mask aligners which are already in the field. 

Depending on process requirements, SUSS MicroTec offers different imprint technologies on its mask aligners.

High-Resolution Nano-Imprinting

Using UV-NIL (UV nano-imprint lithography) SUSS MicroTec offers a classic imprint process to transfer patterns having a resolution down to 50 nm with superior fidelity. The transfer of the patterns is achieved using a hard quartz glass stamp, which is brought into contact with a UV-sensitive photoresist on the substrate. This setup allows very precise control of process parameters such as pressure, process gap and duration. The UV-NIL method allows the highest resolution of the three SUSS MicroTec imprint processes and is recommended for all R&D setups due to ease of use. 

Highlights 

  • Resolution in the two-digit nanometer range (< 50 nm)
  • Control of process parameters using recipe editor
  • Simple to use
  • High homogeneity of resist residual layer thickness 

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

大面積ナノインプリント

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

マイクロ/ナノインプリント

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

固体レーザー技術の分野では、ピコ秒単位のパルス幅を持つ高出力UVレーザーなど新しい技術が加わることで微細加工が可能になり、使用範囲が拡張されました。現在では、例えば3次元積層の分野 (インターポーザでのビア形成など) や再配線層の分野 (WLCSP / WLFO) で使用されています。


微細加工の分野では、エキシマレーザーは主にアブレーションのために使用されます。アブレーションとは、パルスレーザーを照射して表面材料を除去す ることを指します。このとき、光化学反応により電子が励起されることで圧力が急激に上昇し、材料表面が爆発的に除去されて複数のモノマーとガスが生じま す。発熱作用がほとんどないため、このプロセス技術は熱に弱い材料にも適しています。
アブレーションプロセスに対応したレーザー加工システムでは、多様で複雑な構造を形成するためにマスクが使用されます。マスクとウエハの間に位置す る投影光学系は、リソグラフィの投影ステッパのように、マスクのパターンをウエハ上に投影します。投影イメージは、ステップ&リピートで移動し、ウエハ表 面から直接材料を除去することでパターンを形成します。
エキシマレーザーは、基板やウエハの剥離にも使用されます。

弊社のお客様が得るメリット

  • プロジェクション装置の縮小光学系は、最小2.5µmの優れた解像度を実現
  • 用途に応じてさまざまな出力クラスの248nm または308nmレーザーを使用可

Available for:

Automated Excimer Laser Stepper

プラズマ処理は、ウエハ直接接合での表面活性化の際に行います。この技術は誘電体バリア放電の原理をベースにしています。均等なプラズマ誘電を行うには2つの電極を使用しますが、このうち少なくとも片方には十分な厚さの誘電体がついていて、さらに電極の間隔があまり離れていてはいけません。この電極に交流電圧をかけると大気圧でも均等な放電が行われるため、高コストがかかる真空技術は不要になります。

Wafer preparation for fusion bonding processes is a frequent plasma treatment application using the SELECT plasma tool from SUSS MicroTec. Pre-treatment ensures superior bond quality and at the same a high bond yield. In wet chemical and/or plasma processes, organic and particle contamination is removed, while the bonding surface is also rendered reactive, thus allowing stronger bonds to be achieved. Following these pre-treatment steps, post-bonding annealing can take place at temperatures far below 450 °C, This ensures the CMOS compatibility of the bonding process.

Highlights

  • Minimal thermal stress on wafers and components
  • Superior bonding forces
  • Reduced temperatures provide greater flexibility in the choice of materials

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

Download:

通常、従来のプラズマプロセスではウエハの表面全体が処理されますので、それによってマイクロデバイスやエレクトロニクスの機能性が低下してしまうことがよくありました。そのような問題に対処するため、SÜSS MicroTecとフラウンホーファー研究所 (IST)は局部的なプラズマ処理の技術を共同開発しました。この技術を用いると、ウエハ上の領域をマイクロメーター単位で選択的に活性化して、その部分にだけ機能層を形成することができます。この技術によって、例えばマイクロ流体チャネル、生体素子の製造、デバイスのカプセル化などの主にMEMS応用分野で、コンポーネントの形成および製造に新しい可能性が生み出されます。

選択的プラズマ処理は、ウエハの起伏の有無に応じて異なる手法で行われます。起伏があるウエハでは低い場所または高い場所のみでプラズマ活性化が行われる一方で、選択的な処理が必要とされる起伏のない基板の場合には別の方法が使用されます。

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

Download:

フュージョン接合プロセスのためのウエハ準備は、実際に接合プロセスが始まる前に行います。前処理を行うことで、高い接合品質と高スループットが保証されます。湿式化学プロセスやプラズマプロセスでは、有機的な汚れや粒子の汚れを除去すると同時に、接合効果を強めるために接合面も活性化されます。また、接合後のテンパー処理は、指定した前処理ステップの後で450 °C未満の温度で行われます。このようにして、この接合プロセスにおけるCMOS互換性が確保されます

弊社のお客様が得るメリット

  • ウエハおよびデバイスに対する低い熱負荷
  • 接合力の強化
  • 低温のため、材料を柔軟に選択できる

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

デバイスの製造時には、マスクの汚れによってリソグラフィ装置の転写プロセスが大きく妨げられることがあります。1マイクロメーター未満の小さい粒子が製造工程に及ぼす影響は、有機基板または無機基板による汚染と同じぐらい大きいものです。そのため、フォトマスクの前処理、洗浄、取扱いの重要性はますます高まっています。いわゆる次世代リソグラフィでも、パターンの損傷や光学特性の変化をできるだけ防ぐため、22nm (あるいはそれ未満) 技術に対応した非常に効果的な洗浄方法が必要とされます。すなわち、「ゼロ粒子」主義で取り組む姿勢が不可欠とされます。

基板としては、あらゆる素材から成る従来のバイナリマスクから位相シフトマスクまで、多様なフォトマスクが使用されます。これらのマスクそれぞれに、個別の技術が必要とされます。

広範な洗浄プロセスの内容

  • 表面の前処理
  • フォトレジストおよび有機基板の除去
  • 粒子の除去
  • 残渣の除去
  • 清浄な表面の乾燥と保持

フォトマスクの洗浄では、多くの場合、物理的な方法だけでなく化学的な方法を用いて粒子や有機的または無機的な汚れを取り除きます。
高度な193iおよびEUV (「極端紫外線」) リソグラフィで使用されるレチクルの場合には、高精度のメガソニック・ナノバイナリスプレー技術と様々な媒体の組み合わせが、粒子除去における非常に高い効率をもたらす優れた手法であることが証明されています。
さらに、環境を配慮した先端的なin-situ UV技術を利用してパターンの完璧な状態を保持するためのプロセスとして、表面前処理、レジストストリップ、有機的な汚れの除去、最終洗浄といった化学物質を用いない多様なプロセスがあります。このようにして、パターンの損傷やレクチルの光学特性の変化が防止されます。
 

弊社のお客様が得るメリット

  • 高い洗浄効率と高い洗浄後直行率
  • パターン損傷の減少
  • 1つの技術 (in-situ UV) で多様なプロセスに対応
  • 解像度の保持
  • 低い総保有コスト (CoO)

Available for:

湿式洗浄を行う前に、フォトマスクの表面を活性化して、表面の特性を疎水性から親水性に変化させます。 このような活性化を乾式化学方式で行う方法としては、172nmのUV光による表面加工技術などがあります。一方、SPM (硫酸、過酸化水素水の混合液) プロセスや、UV光によって誘導するin situ方式の液中生成技術は、湿式化学プロセスがベースになっています。いずれの場合も、フォトマスク表面上で水酸基を増加させて疎水性の表面層を除去する方法がとられます。

弊社のお客様が得るメリット

  • メソッドを柔軟に選択できる

フォトマスクの寿命が長くなれば、総保有コスト (CoO) が減少します。そのためには、洗浄後の清浄なマスク表面をできるだけ長く保持する必要があります。この点がさらに重要性を増すのは、EUVリソグラフィの場合です。これは、EUVリソグラフィではスキャナの互換性が非常に重要であり、さらに相互汚染の観点から露光装置の停止をできるだけ回避する必要があるためです。
湿式洗浄後の清浄な表面を保持するために行うプロセスでは、まだ基板表面に埋め込まれている有機イオンおよび無機イオンの残渣を除去します。このような残渣が残っていると、曇りや分子の湿気の原因となります。
SUSS MicroTecのフォトマスク洗浄装置では、様々な後処理を行うこともできます。基板のタイプや要件に応じて、高温ベーキング、真空内でIR露光を行う RTP (「瞬時熱プロセス」)、あるいは172nmのUV光による露光を行って、フォトマスクの完璧な状態のパターンを確保します。

弊社のお客様が得るメリット

  • フォトマスクのタイプに応じ、様々な要件に対応したテクノロジー

Available in:

Technical Publications
サービス