MJB4 Mask Aligner

State-of-the Art Research Solution for Small Substrates and Pieces

Easy to use and compact in size the SUSS MicroTec MJB4 represents the perfect system for laboratories and small volume production. As an inexpensive photolithography solution the MJB4 has set industry standards specifically for processing of small substrates and pieces up to 100 mm. Equipped with a reliable, high precision mask alignment and high resolution printing capability in the submicron range the MJB4 demonstrates a performance unsurpassed by any comparable machine.

Highlights

High resolution printing down to 0.5µm

Fast and accurate alignment with SUSS Singlefield or Splitfield Microscope

High Resolution Optics optmized for thick resists

The Universal Optics Option for fast switching between different wavelengths

Upgradable with a retrofit kit for UV-Nanoimprint Lithography

The MJB4 is widely used for MEMS and optoelectronics applications, such as LED production. It can be specifically configured for nonstandard substrates such as hybrids and high-frequency components for fragile III-V materials. In addition the MJB4 can be optionally enhanced with an upgrade kit for UV- Nanoimprint Lithography.

Details: Alignment

表面アライメント (TSA)
赤外光アライメント (IR)

リソグラフィプロセスのうち、デバイスウエハのいずれか片方の面にあるパターンのみがアライメントの対象となる場合 (RDL、マイクロバンプなど) では、上面アライメントによってマスクのポジションマスクがウエハのポジションマスクに対してアライメントされます。SUSS MicroTecによって開発されたDirectAlign™では、基板の特徴に応じて、保存されているウエハのポジションデータまたは2枚のライブ画像を用いてアライメントが行われます。

弊社のお客様が得るメリット

アライメント精度が高いマスクアライナ
コントラストが良くない場合でも明確でパワフルな画像認識機能

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

多くのパターン形成プロセスでは、複層のウエハスタックが使用されます。多くの場合、各層の間に埋め込まれているアライメントマスクは、赤外線照明を用いることで識別して、アライメントできます。
赤外光を使用して、このような埋め込まれたマスクに基づいたアライメントを行うこともできます。この場合、例えば不純物がドープされていないシリコン、様々な Ill-V半導体 (GaAsなど)、仮貼り付け/剥離用の接着剤といったような、赤外光に対して透明な材料を使用する必要があります。また、個別事例研究によって実現可能性を確認する必要もあります。
赤外線アライメントを実行できる可能性を最大限まで高めるため、SUSSマスクアライナには強力な赤外線光源と高性能カメラシステムが装備されています。

弊社のお客様が得るメリット

パワフルなIR光源と高性能カメラシステム

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

Details: Exposure

The lower the exposure gap from mask to wafer, the higher the resolution. In soft contact mode, the wafer is brought into contact with the mask and is fixed onto the chuck with vacuum.

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

In hard contact mode, the wafer is brought into direct contact with the mask, while positive nitrogen pressure is used to press the substrate against the mask. A resolution in the 1 micron range is possible in hard contact mode.

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

In this mode, a vacuum is drawn between mask and substrate during exposure. This results in a high resolution of < 0.8 µm.

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

Details: Exposure Optics

The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150 mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

Diffraction-reducing exposure optics are designed to compensate for diffraction effects in both contact and proximity lithography. Instead of using a plane wave as in other proximity lithography tools, it provides an angular spectrum of planar light waves to reduce diffraction effects. The selection of a proper angular spectrum improves structure resolution in the resist.

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

MO Exposure Optics® is a unique illumination optics system specifically designed for SUSS mask aligners. It is based on microlens plates instead of macroscopic lens assemblies. A simple plug and play changeover allows a quick and easy changeover between different angular settings, including the functionality of both classical SUSS HR (High Resolution) and LGO (Large-Gap Optics) illumination optics.
The telecentric illumination provided by MO Exposure Optics improves light uniformity and leads to a larger process window. Yield enhancements are produced as a result. MO Exposure Optics also decouples the exposure light from the lamp source, so small misalignments of the lamp do not affect light uniformity. A decoupled light source saves setup and maintenance time and guarantees uniform illumination conditions during the entire lifetime of the lamp.

Highlights

Excellent light uniformity over full exposure field
Stable light source
Customizable illumination by means of illumination filter plate exchange
“Deep-UV-ready” process capabilities with fused silica micro-optics
Special “downsizing kits” for light compression to smaller wafer sizes

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

未来の光源

SUSS MicroTecの新しいランプハウスコンセプトは特に高い効率性を特長としています。UV LED光源は、従来の水銀灯寿命の数倍に達する寿命を実現しています。また、ウォームアップ時間とクールダウン時間は必要ありません。LEDは露光実施時にのみオンになります。これらの要素は従来製品と比較して、非常に低いエネルギー消費量に貢献します。その上、水銀灯の特殊ごみの処分は必要ありません。

SUSS LEDランプハウスは最新技術を採用しており、環境配慮とエネルギー効率性の各点から高まり続ける要求に応えます。

経済性

LEDランプハウスの使用は特にマスクアライナの稼働費用に明確な影響を与えます。そのLEDの寿命は従来のランプの数倍の寿命を備えているため、これまでのランプ交換で生じていた費用を抑えられます。不稼働時間、新しいランプの調達、古い機材のアライメントと処分は過去のものになります。

保証されたプロセス柔軟性

LED光源は従来の水銀灯と比較してよりエネルギー効率に優れているだけでなく、より柔軟に使用できます。UV LEDランプハウスは一般的に水銀灯と同様のスペクトル領域をカバーできます。水銀灯との違いは、UV LEDの場合、特定の波長をオンオフできることにあります。そのため、ランプハウス外で光をフィルタする必要はありません。波長の制御は、フィルタ変更や新たな校正を伴わない特殊なプロセス要求に対応する、プログラムされたレシピを通じて行われます。

LEDランプハウスは、SUSS MicroTecの特殊光学系MO Exposure Optics との相互作用により、プロセス形成で最高の柔軟性を支援します。

安全性

LEDランプハウスを使用した作業は安全なだけでなく、環境に優しく、健康の保護、労働保護、環境保護の各点からさらに優れたソリューションを提供します。

メリット一覧

エネルギー消費量の低減
より長寿命
ランプ交換による不稼働時間、再アライメントの必要がない
特殊ごみの処分の必要がない
簡素化により保守の手間を低減

Available for:

Automated Mask Aligner

MA200 Gen3

Semi-Automated Mask Aligner

Details: Automation

平行出し補正機構

SUSS mask aligners are equipped with a WEC head system that allows reaching the parallelism between substrate and mask with a micrometric precision.

Available for:

Automated Mask Aligners

Semi-Automated Mask Aligners

Manual Mask Aligners

MJB4

Options: Exposure

Lab シミュレーションソフトウェア

リソグラフィプロセスのシミュレーション

リソグラフィプロセスをシミュレーションすることで、時間をかけて実験して試行錯誤することなくプロセスパラメータを最適に選択できます。このリソグラフィプロセス用多機能シミュレーションソフトウェア「Lab」は、SÜSS MicroTecがGenlSys社と共同販売しているもので、各プロセスをより効果的に管理するのに役立ちます。このソフトウェアには、デザインやプロセスの開発、検証、最適化のための、シミュレーションに必要なあらゆる機能が搭載されています。照明の形状、マスクレイアウトの最適化からレジストプロセスまで、全プロセス行程を包括的にシミュレーションできます。最新式の3次元シミュレーション機能が搭載されていますので、一歩進んだ高度なモデル表示を行うこともできます。

MO Exposure OpticsとSÜSS製光学系のために特別に用意された光学系モデルを組み合わせることで、露光フィルタプレートのデザインをカスタマイズし、パターン形成精度を高めることができます。

ハイライト

マスクアライナによるリソグラフィプロセスの完全シミュレーション
調整可能な照明パラメータ (コリメーション、分光組成)、SÜSS全光学系に対してカスタマイズ済み
1、2、3次元の迅速かつ柔軟な可視化と定量的予測

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MJB4

Options: Nanoimprint Lithography

インプリントリソグラフィ

Imprint lithography represents a cost-effective and highly reliable means of transferring three-dimensional nano- or micro-scale patterns onto a wide variety of substrates.

For the imprint, a stamp is brought into contact with a photosensitive material on the substrate. The photoresist fills out the three-dimensional pattern of the stamp and then solidifies under UV light. Parameters such as pattern topography, structure resolution and aspect ratio have a considerable influence on the process quality.
Thanks to its compatibility with well-established semiconductor processes, imprint lithography plays a key role in the development and production of devices in the field of LED, MEMS/NEMS, micro-optics, augmented reality and opto-electronic sensors using the renowned SMILE technology.

SUSS MicroTec solutions for imprint lithography are based on manual mask aligner platforms and support a wide range of materials and substrate with sizes up to 200 mm. Furthermore, SUSS platforms provide the capability to align and level stamps to substrates, as required by many imprint applications. Imprint equipment can also be retrofitted to SUSS mask aligners which are already in the field.

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Technical Data

Technical Data

Mask and Wafer / Substrate
Wafer Size	1 up to 100 mm / 4" (round)
Max. Substrate Size	100 x 100 mm
Min. Pieces	5 x 5 mm
Wafer Thickness	up to 4 mm
Mask Size	standard 2" x 2" up to 5" x 5" (SEMI)
Mask Thickness	up to 4.8 mm / 190 mil
Exposure Modes
Contact: soft, hard, vacuum, soft vacuum
Vacuum contact adjustable to 200 mbar abs
Gap exposure, adjustable gap 10 – 50 µm
Flood exposure, split exposure
Lamp control modes: constant power, constant intensity
Exposure Optics
Wavelength Range	UV400: 350 – 450 nm (g, h, i-line) UV 300: 280 – 350 nm UV 250: 240 – 260 nm UV 250 / 300 / 400: 240 – 450 nm
Exposure Source	CPC: Constant Power Controller for lamps Hg 200 W and Hg 350 W CIC1200: Constant Intensity Controller for lamps Hg 200 W, Hg 350 W and HgXE 500 W (Deep UV)
Uniformity	≤ 3 %
Alignment Methods
Top Side Alignment (TSA) Accuracy	< 0.5 µm (with SUSS recommended wafer targets)
Transmitted Infrared Alignment (IR) Accuracy	< 5 µm (2 µm under special process conditions)
Alignment Gap	10 – 50 µm
Alignment Stage
MA Movement Range	X: ± 5 mm Y: ± 5 mm Theta: ± 5°
Mechanical Resolution	X, Y: 0.1 µm Theta: 4 x 10^-5°
Topside Microscope (TSA)
Movement Range	X: ± 40 mm Y: + 30 – 50 mm Theta: ± 4°
Utilities
Vacuum	< – 0.8 bar < 200 hPa abs
Compressed Air	5.5 bar (81 psi)
Nitrogen	> 1.5 bar (22 psi)
Power Requirements
Power Voltage	AC 230 V ± 10 %
Frequency	50 – 60 Hz
Physical Dimensions
Width x Depth	605 x 810 mm = 0.5 m²
Height	660 mm
Weight	up to 130 kg (290 kg with antivibration table)
Operator Safety and Ergonomics	CE-mark, others on request Sound Pressure Level: < 70 db A) UV radiation emissions (315 – 400 nm): < 0.2 mW/cm