MA100/150e Gen2マスクアライナー

化合物半導体デバイスの量産に特化したマスクアライナーソリューション

SUSS MicroTec は、MA100/150e Gen2を使用して、最大150 mm径の基板上で高輝度LED (HB-LED)を処理するための専用マスクアライナープラットフォームを設計しました。MA100/150e Gen2は、高精度のマスクアライメント、壊れやすく、反りのある透明なウェハーのための洗練された基板処理、および0.7 µmまでの高解像度により、LED製造プロセスで発生するすべてのリソグラフィの課題を克服しており、優れたスループット性能によって所有コストを最小限に抑えることができます。

ハイライト

  • HB-LED、パワーデバイス、RF-MEMSなど専用のマスクアライナーソリューション
  • 3 枚のウェハーを同時に処理すると、自動アライメントと露出を含み、> 145 wphのスループットが可能になります。
  • 厳しい解像度要件に対応する近接印刷 (100 mm径ウェハー上の薄いレジストで、20 µmの露光ギャップでL/S 3 µmまで)
  • マルチサイズツーリングにより、ウェハーサイズの変更に必要な時間を最小限に抑えます。
  • 非接触プリアライメントはより、ウェハーの損傷を回避します。
  • サファイアウェハーの「ラインアライメント」機能は、スクライブラインをフォトマスクに正確に合わせます
MA100/150e Gen2マスクアライナー

MA100/150e Gen2は、SUSS MicroTecの生産実績のあるマスクアライナー設計に基づいており、新しい装置設計によって優れたプロセススケーラビリティと市場投入までの時間短縮を実現し、業界をリードする1時間あたり145ウェハーのスループットによりサイクル タイムが大幅に短縮されます。

MA100/150e Gen2は、最大6インチのウェハー サイズに最適化されています。このシステムは、±0.7 µm未満 (DirectAlign) のアライメント精度を確実に実現します。オプションで、±1.5 µm未満のアライメント精度を提供するボトムサイドアライメント(BSA)を利用できます。MA100/150eのアライメントユニットは、LED製造の特定の要件に合わせて調整されており、透明で表面が粗いウェハーでも優れたコントラストを提供します。

スクライブラインを使用するアプリケーションでは、新しい「ラインアライメント」機能により、従来のウェハーターゲットを必要とせずに、所定のサファイアウェハーをフォトマスクに正確に位置合わせできます。

詳細 : アライメント

  • 表面アライメント (TSA)
  • 裏面アライメント (BSA)
  • 赤外光 アライメント (IR)
  • DirectAlign®

詳細 : 露出度

  • プロキシミティ 露光
  • ソフトコンタクト露光
  • ハードコンタクト露光
  • 真空コンタクト露光

詳細 : 露光光学系

  • MO Exposure Optics®
  • HR / LGO 光学系
  • 回折光減少式 光学系
  • UV-LEDランプハウス

詳細 : オートメーション

  • 平行出し補正機構
  • オートアライメント

詳細

    アライメント

    • ThermAlign®
    • ラージクリアフィールドアライメント
    • エンハンスド・アライメント

    露出度

    • Lab シミュレーションソフトウェア
    • Source Mask Optimization(照明、マスクの最適化技術)

    その他

    • ウエハハンドリング