MA12 Gen3 マスクアライナー

リソグラフィプロセスのうち、デバイスウエハのいずれか片方の面にあるパターンのみがアライメントの対象となる場合 (RDL、マイクロバンプなど) では、上面アライメントによってマスクのポジションマスクがウエハのポジションマスクに対してアライメントされます。SUSSによって開発されたDirectAlign™では、基板の特徴に応じて、保存されているウエハのポジションデータまたは2枚のライブ画像 を用いてアライメントが行われます。

弊社のお客様が得るメリット

• アライメント精度が高いマスクアライナ
• コントラストが良くない場合でも明確でパワフルな画像認識機能

特定の構造を持つマスクは、非常に近接してウェハーと位置合わせされます (そのため近接リソグラフィと呼ばれる)。露光中、マスク構造によって投じられた影がウェハーに転写されます。結果として得られる露光品質は、マスクとウェハー間の距離の精度と、露光に使用される光学系の両方に依存します。

この方法は高速で、柔軟な実装に適しているため、サイズが4 μmまでの微細構造を製造するための最も費用対効果の高い技術と見なされています。接触露光の場合は、サブミクロン範囲の解像度を達成できます。典型的な使用分野には、ウェハーレベルのチップスケールパッケージング、フリップチップパッケージング、バンピング、MEMS、LED、およびパワーデバイスが含まれます。このシステムは、産業研究所だけでなく大量生産ラインにも導入されています。

SUSSが提供するマスクアライナーは、近接リソグラフィ技術をベースとしています。

特長とメリット

• 回折低減光学系による優れた解像度
• マイクロレンズ光学系によるプロセス安定性

MO Exposure Optics® は、SUSSのマスクアライナー用に特別に設計された独自の照明光学系です。これは、巨視的なレンズ アセンブリーではなく、マイクロレンズプレート技術をベースとしています。シンプルなプラグアンドプレー切り替えにより、従来のSUSS HRとLGO照明光学系の両方の機能を含む、さまざまな角度設定をすばやく簡単に切り替えることができます。

MO Exposure Optics によって提供されるテレセントリック照明により、光の均一性が向上し、プロセスウィンドウが大きくなります。その結果、歩留まりが向上します。MO Exposure Opticsはまた、露光光がランプ光源から分離されているため、ランプのわずかな位置ずれが光の均一性に影響を与えることはありません。分離された光源は、セットアップとメンテナンスの時間を節約し、ランプの寿命期間全体にわたって均一な照明条件を保証します。

ハイライト

• 露光フィールド全体にわたる優れた光の均一性
• 安定した光源
• 照明フィルタープレート交換によるカスタマイズが可能な照明
• 溶融石英マイクロオプティクスによる「DUV 対応」プロセス機能
• より小さなウェハーサイズへの光圧縮のための特別な「ダウンサイジングキット」

SUSSのマスクアライナーには、基板とマスク間の平行度をミクロンの精度で達成できるWECヘッドシステムが装備されています。

リソグラフィプロセスのシミュレーション

リソグラフィプロセスをシミュレーションすることで、時間をかけて実験して試行錯誤することなくプロセスパラメータを最適に選択できます。このリソグラフィプロセス用多機能シミュレーションソフトウェア「Lab」は、SUSSがGenlSys社と共同販売しているもので、各プロセスをより効果的に管理するのに役立ちます。このソフトウェアには、デザインやプロセスの開発、検証、最適化のための、シミュレーションに必要なあらゆる機能が搭載されています。照明の形状、 マスクレイアウトの最適化からレジストプロセスまで、全プロセス行程を包括的にシミュレーションできます。最新式の3次元シミュレーション機能が搭載されていますので、一歩進んだ高度なモデル表示を行うこともできます。

MO Exposure OpticsとSUSS製光学系のために特別に用意された光学系モデルを組み合わせることで、露光フィルタプレートのデザインをカスタマイズし、パターン形成精度を高めることができます。

ハイライト

• マスクアライナによるリソグラフィプロセスの完全シミュレーション
• 調整可能な照明パラメータ (コリメーション、分光組成)、SUSS全光学系に対してカスタマイズ済み
• 1、2、3次元の迅速かつ柔軟な可視化と定量的予測

インプリントリソグラフィは、さまざまな基板上に 3 次元のナノまたはマイクロスケールのパターンを転写するための、費用対効果が高く信頼性の高い手段です。

インプリントの場合、スタンプは基板上の感光性材料と接触させられます。フォトレジストは、スタンプの3次元パターンを埋め、UV光の下で固化されます。パターンの起伏、構造の解像度、アスペクト比などのパラメーターは、プロセスの品質に大きな影響を与えます。

由于其与成熟的半导体工艺的兼容性，压印光刻技术在DFB激光器、HB LED、晶圆级相机和MEMS的开发和生产中发挥着关键作用。

インプリントリソグラフィ向けのSUSSソリューションは、手動マスクアライナープラットフォームに基づいており、最大200 mmのサイズの幅広い材料と基板をサポートしています。さらに、SUSSプラットフォームは、多くのインプリントアプリケーションで必要とされるように、基板に対してスタンプを位置合わせおよびレベリングする機能を提供します。インプリント装置は、すでに現場にあるSUSSマスクアライナーに後付けすることもできます。

SUSSはプロセス要件に応じて、マスクアライナー用のさまざまなインプリント技術を提供しています。

• インプリントリソグラフィのパンフレット
• インプリントリソグラフィのWebページ