BA8 Gen4 Pro Bond Aligner

ウェハ接合向け 高精度の位置合わせ

セミオート式ボンドアライナプラットフォームBA8の第4世代型は高精度の位置合わせ、及び 位置合わせ後の信頼性の高い接合用に設計されており、200 mmまでのウェハ・基板に対応しています。

高度な自動化に伴いBA8 Gen4 Proは 研究開発用途だけでなく、パイロット生産や小規模な生産にも使用できます。また、MEMSやアドバンスドパッケージ分野だけでなく、3次元積層などの成長市場向けの高度なプロセスにも対応しています。

ハイライト

高精度 位置合わせ

オペレータのスキル依存しないオートアライメント

プロセス再現性の向上

システム拡張の容易性

オプションとして局部選択式プラズマ照射 (または全面一括プラズマ照射) 機能

SUSS MicroTec Wafer Bonder BA8 Gen4

ボンドアライナモードにおける2枚のウェハ・基板同士の位置合わせには、SÜSS MicroTec製マスクアライナモードにてマスクとウェハによるアライメントで培われた実績のある高性能テクノロジが採用されています。BA8 Gen4 Proでは2枚のシリコン基板を直接接合するフュージョン接合する際のウェハ同士の高精度アライメント機能が一例として挙げられます。SUSS MicroTecsではこの接合プロセス向けに手動式ウエハボンダSB6/8 Gen2をご提供しております。ボンドアライナからウェハボンダへの装置間の搬送は、特別なウェハ固定冶具 (フィクスチャーシステム) が使用されます。

低温の接合プロセスでは、ウェハ上の選択された局所的、または全面のプラズマ活性化を行うためのツールキット(オプション)を ご使用いただくことで、ボンドアライナの汎用性がさらに高まります。

BA8 Gen4 Proはプロセス要求に応じて、手動式またはセミオート式のシステムとして使用できます。

BA8 Gen4 Proは自動アライメント、操作が簡単なレシピエディタ、フルモータライズドによる各ステージ位置の座標位置登録機能などの自動プロセス機能が装備されたセミオート装置であり、非常に高い再現精度を実現します。そのため高スループットが要求される製造プロセスにも対応します。

この装置は手動による操作も可能ですので、様々なプロセスに対応する汎用装置としてもお使い頂けます。複数のアライメント手法を選択できるだけでなく、様々なプロセス要求に幅広く対応します。

リソグラフィプロセスのうち、デバイスウエハのいずれか片方の面にあるパターンのみがアライメントの対象となる場合 (RDL、マイクロバンプなど) では、上面アライメントによってマスクのポジションマスクがウエハのポジションマスクに対してアライメントされます。SUSS MicroTecによって開発されたDirectAlign™では、基板の特徴に応じて、保存されているウエハのポジションデータまたは2枚のライブ画像 を用いてアライメントが行われます。

弊社のお客様が得るメリット

  • アライメント精度が高いマスクアライナ
  • コントラストが良くない場合でも明確でパワフルな画像認識機能

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

MEMS、ウエハレベルパッケージ、3次元積層などのアプリケーション向けプロセス、例えばインターポーザ上でのシリコン貫通電極 (TSV) 形成では、ウエハ裏面のパターンを前面のパターンに合わせてアライメントする必要があります。通常、このようなアライメントには光学裏面アライメント技術 が用いられます。この技術では、カメラシステムを使っててマスクのパターンとウエハ裏面のパターンを認識し、相互のアライメントが行われます。マスクター ゲットのロード後にウエハが覆われて見えなくなるため、ウエハの位置は事前に決めて保存しておく必要があります。このことは、アライメントシステム全体に とって特別な要件となります。

弊社のお客様が得るメリット

  • 高い機械的精度とSUSSマスクアライナの安定性による抜群の精度

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

多くのパターン形成プロセスでは、複層のウエハスタックが使用されます。多くの場合、各層の間に埋め込まれているアライメントマスクは、赤外線照明を用いることで識別して、アライメントできます。
赤外光を使用して、このような埋め込まれたマスクに基づいたアライメントを行うこともできます。この場合、例えば不純物がドープされていないシリコ ン、様々な Ill-V半導体 (GaAsなど)、仮貼り付け/剥離用の接着剤といったような、赤外光に対して透明な材料を使用する必要があります。また、個別事例研究によって実現可能 性を確認する必要もあります。 
赤外線アライメントを実行できる可能性を最大限まで高めるため、SUSSマスクアライナには強力な赤外線光源と高性能カメラシステムが装備されています。

弊社のお客様が得るメリット

  • パワフルなIR光源と高性能カメラシステム

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

フュージョン接合は、二枚のウエハを接触させることで自発的な接合に進むことを利用した貼り合せ方法です。同様にシリコンダイレクト接合も、ウェットケミカルまたはプラズマ活性化処理された誘電層有りまたは無しの二枚のウエハを室温で貼り合せる方法です。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Semi-Automated Bond Aligner

Semi-Automated Mask and Bond Aligner

  • Software for pattern recognition
  • Assisted and auto alignment
  • Automatic wedge error compensation
  • Ergonomic and straight-forward operation thanks to an intuitive, Windows-based interface

多くのパターン形成プロセスでは、複層のウエハスタックが使用されます。多くの場合、各層の間に埋め込まれているアライメントマスクは、赤外線照明を用いることで識別して、アライメントできます。
赤外光を使用して、このような埋め込まれたマスクに基づいたアライメントを行うこともできます。この場合、例えば不純物がドープされていないシリコ ン、様々な Ill-V半導体 (GaAsなど)、仮貼り付け/剥離用の接着剤といったような、赤外光に対して透明な材料を使用する必要があります。また、個別事例研究によって実現可能 性を確認する必要もあります。 
赤外線アライメントを実行できる可能性を最大限まで高めるため、SUSSマスクアライナには強力な赤外線光源と高性能カメラシステムが装備されています。

弊社のお客様が得るメリット

  • パワフルなIR光源と高性能カメラシステム

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

Wafer preparation for fusion bonding processes is a frequent plasma treatment application using the SELECT plasma tool from SUSS MicroTec. Pre-treatment ensures superior bond quality and at the same a high bond yield. In wet chemical and/or plasma processes, organic and particle contamination is removed, while the bonding surface is also rendered reactive, thus allowing stronger bonds to be achieved. Following these pre-treatment steps, post-bonding annealing can take place at temperatures far below 450 °C, This ensures the CMOS compatibility of the bonding process.

Highlights

  • Minimal thermal stress on wafers and components
  • Superior bonding forces
  • Reduced temperatures provide greater flexibility in the choice of materials

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

Download:

通常、従来のプラズマプロセスではウエハの表面全体が処理されますので、それによってマイクロデバイスやエレクトロニクスの機能性が低下してしまうことがよくありました。そのような問題に対処するため、SÜSS MicroTecとフラウンホーファー研究所 (IST)は局部的なプラズマ処理の技術を共同開発しました。この技術を用いると、ウエハ上の領域をマイクロメーター単位で選択的に活性化して、その部分にだけ機能層を形成することができます。この技術によって、例えばマイクロ流体チャネル、生体素子の製造、デバイスのカプセル化などの主にMEMS応用分野で、コンポーネントの形成および製造に新しい可能性が生み出されます。

選択的プラズマ処理は、ウエハの起伏の有無に応じて異なる手法で行われます。起伏があるウエハでは低い場所または高い場所のみでプラズマ活性化が行われる一方で、選択的な処理が必要とされる起伏のない基板の場合には別の方法が使用されます。

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

Download:

Downloads
BA8 Gen4 Pro Datasheet 243kb
SUSS Product Portfolio 990kb
SELECT Brochure 339kb
Technical Publications
Service