BA8 Gen4 Pro Bond Aligner

高精度晶圓接合對準

BA8第四代專業級半自動式晶圓接合對準機是針對高精度晶圓對準需求,並且可支援 200 mm (含)以下的晶圓和基板尺寸所設計。高度自動化使第 4 代專業級 BA8 不僅適用於研究和開發,還可用於試生產或小批量生產。其能夠滿足微機電元件製造和先進封裝製程領域以及如 3D 整合製程等成長市場所需的嚴苛工藝。 

亮點

高對準精度

自動對準功能大大降低人為操作影響

自動對準功能大大降低人為操作影響

簡易的系統擴充

可選配搭載”區域選擇性”或是 “全區域性”電漿模組

SUSS MicroTec Wafer Bonder BA8 Gen4

晶圓接合對準機所配備的晶圓對準功能是建立在 SUSS MicroTec 光罩對準曝光機中同樣功能強大的光罩與晶圓對準技術上。BA 8 Gen4 Pro第 4 代專業級晶圓接合對準機 除了能提供高精度晶圓對準功能外,還提供了熔融接合(fusion bond)功能,在晶圓接合對準機中將兩個矽晶圓直接對準並接合。SUSS MicroTecs 第二代手動晶圓接合機 SB6/8Gen2 提供更多晶圓接合技術所需的接合製程,透過專用的晶圓固定系統將對準後的兩片晶圓從晶圓對準機安全的手動傳送到晶圓接合機。

用以支援低溫熔融接合(fusion bond) 的”區域選擇性”或是 “全區域性”電漿活化功能進一步完善了晶圓接合對準機的廣泛應用性。

根據工藝要求,可將BA8 Gen4 Pro第 4 代專業級 配置為手動或半自動系統。作為半自動系統設備,BA8 Gen4 Pro 第 4 代專業級 憑藉自動對準功能、容易操作的製程配方編輯器和自動軸向定位等功能可達到高度的製程再現性,因此也適合用於對產量有嚴格要求的生產製程。而手動操作性使機台設備透過操作者能夠靈活運用於各種製程中。供選用的對準技術可滿足大部分製程工藝的要求。 

在單使用在對準器件晶圓同一面的結構  (例如:重佈線製程、微凸塊或相類似的結構)的壓印技術方面,光罩的位置標記透過頂部調整對準晶圓上的位置標記。依基板的特性,使用晶圓上儲存的位置資料或透過 SUSS MicroTec DirectAlign™ 產出的兩個現場圖片來做調整。

特色與優點

  • 光罩對準器中精準度之最
  • 清晰和強大的圖像識別,即使對比不明顯

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

如 MEMS、晶圓級封裝以及 3D 整合技術的應用,例如:中介層板上進行垂直穿孔 (TSV) 需要對準晶圓正面結構並將之轉印至背面。這類的調整更常使用光學的背面調整技術。內建的照相機系統能偵測光罩結構及晶圓背面結構,並將之互相對準。由於放置晶圓後會遮住光罩目標,因此其位置必須預先確定並儲存下來。此微整個對準系統特殊之處。

特色與優點

  • 透過 SUSS 光罩對準機的高機械精度與穩定性達成無與倫比的精確度

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

許多結構處理均以多層晶圓堆疊處理。透過紅外線曝光使得通常嵌在堆疊層之間調整記號得以識別及對準。

透過紅外線亦可對準嵌在其中的位置標記。這需要使用紅外線可穿透之材料,如:未參雜的矽,許多 Ill-V-半導體 (例如:GaAs)、暫時性接合和剝離方法使用之粘合劑。並應透過個別的檢驗檢查其可穿透性。

SUSS 提供多種具有強力紅外線光源與內建高效能相機系統的紅外線標記對準機。

特色與優點

  • 強力的紅外線光源與高效能相機系統

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

融合接合是兩種基板直接接觸後形成的自然相互黏著。拋光片在清洗後進行親水性加工,相互接觸並在高溫下降溫。 電漿活化等處理使得基板能夠在室溫下接合。

Available for:

Automated Bonder

Semi-Automated Bonder

Semi-Automated Bond Aligner

Semi-Automated Mask and Bond Aligner

  • 對準圖型自動辨識軟體
  • 人工對準輔助系統和自動對準系統
  • 自動晶圓對晶圓平行誤差補償
  • 基於Windows系統的使用者介面, 符合人體工程學,操作直觀簡便

許多結構處理均以多層晶圓堆疊處理。透過紅外線曝光使得通常嵌在堆疊層之間調整記號得以識別及對準。

透過紅外線亦可對準嵌在其中的位置標記。這需要使用紅外線可穿透之材料,如:未參雜的矽,許多 Ill-V-半導體 (例如:GaAs)、暫時性接合和剝離方法使用之粘合劑。並應透過個別的檢驗檢查其可穿透性。

SUSS 提供多種具有強力紅外線光源與內建高效能相機系統的紅外線標記對準機。

特色與優點

  • 強力的紅外線光源與高效能相機系統

Available for:

Automated Mask Aligner

Semi-Automated Mask Aligner

Manual Mask Aligner

Wafer preparation for fusion bonding processes is a frequent plasma treatment application using the SELECT plasma tool from SUSS MicroTec. Pre-treatment ensures superior bond quality and at the same a high bond yield. In wet chemical and/or plasma processes, organic and particle contamination is removed, while the bonding surface is also rendered reactive, thus allowing stronger bonds to be achieved. Following these pre-treatment steps, post-bonding annealing can take place at temperatures far below 450 °C, This ensures the CMOS compatibility of the bonding process.

Highlights

  • Minimal thermal stress on wafers and components
  • Superior bonding forces
  • Reduced temperatures provide greater flexibility in the choice of materials

Available for:

Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

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傳統電漿處理技術通常需要完整處理晶圓表面,這在某些情況下會影響相關微部件或者電子元件的功能。由 SUSS MicroTec 和 Fraunhofer Institut IST 研究所聯合研發的選擇性局部電漿處理技術,可選擇性的活化晶圓上微米小的區域並為它們提供官能層。它為部件的設計和製造提供了全新可能,特別是在微機電系 統(MEMS)應用方面,如微流體通道、生物晶片製造或者部件封裝。

選擇性局部電漿處理為有凹凸圖形和無凹凸圖形的晶圓提供了不同的方法。 對於有凹凸圖形的晶圓,電漿活化若非應用在凹處,則僅用在凸處,但在無凹凸圖形的基板上,應使用需要進行選擇性處理的第二種方法。

特色與優點

  • 保護敏感部件
  • 透過用選擇性活化替代額外的光罩步驟,節約成本

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Semi-Automated Mask Aligner

Semi-Automated Bond Aligner

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Downloads
BA8 Gen4 Pro Datasheet 243kb
SUSS Product Portfolio 990kb
SELECT Brochure 339kb
Technical Publications
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