ELP300 Gen2 Excimer Laser Stepper

SUSS MicroTec‘s 的 ELP300 平台(針對直徑 200 至 300mm 的晶圓) 使用準分子雷射步進技術(Excimer-Laser-Stepper)。透過其雷射剝蝕功能,也就是透過 248 / 308nm 準分子雷射及光罩完成的乾式蝕刻,此系統可達成更高的結構精準度和良率。這是為高產量需求設計,並適合用於先進封裝產業複雜的微結構製程。此外,雷射處理系統亦可進一步使用於晶圓級封裝,例如:薄晶圓處理的雷射剝離、重佈線製程(„Re-Distribution Layers“ = RDL)中的晶種層直接移除,以及光阻劑的曝光。

Highlights

解析度可達 1µm (孔via) 及 2.5µm (線寬traces)

對準精度 +/-1µm

可使用波長:248nm 或 308nm

投影光學鏡組: 最大可至直徑 100mm

結構製程模式:步進重複(Step & Repeat)、步進掃描(Step & Scan)、連續掃描(Continuous Scan)

高度自動化:SECS/GEM,、自動取放晶圓

SUSS MIcroTec Laser Processing ELP300 Gen2

SÜSS MicroTec‘s 的 ELP300 平台(針對直徑 200 至 300mm 的晶圓) 使用準分子雷射步進技術(Excimer-Laser-Stepper)。透過其雷射剝蝕功能,也就是透過 248 / 308nm 準分子雷射及光罩完成的乾式蝕刻,此系統可達成更高的結構精準度和良率。這是為高產量需求設計,並適合用於先進封裝產業複雜的微結構製程。此外,雷射處理系統亦可進一步使用於晶圓級封裝,例如:薄晶圓處理的雷射剝離、重佈線製程(„Re-Distribution Layers“ = RDL)中的晶種層直接移除,以及光阻劑的曝光。

詳情: Laser Processing

新的固態雷射技術(如:高效能、高雷射週期的皮秒脈衝 UV 雷射)將雷射的應用延伸至微結構處理的領域。目前多將其使用於 3D 整合製程的領域,例如:中介層的穿孔或重分佈製程(WLCSP / WLFO)。

準分子雷射(Excimer-Laser)的技術主要應用於蒸鍍。透過雷射光束的脈衝可使鍍料沉積於一表面。過程中,光化學反應會促成電子反應,形成單體與氣壓形式的瞬間高壓及爆炸式的噴附。所產生的熱效應相當低 - 此處理技術可保護對溫度敏感的材料。

在雷射處理系統的蒸鍍處理中最具代表性的就是可處理各種複雜性結構的光罩技術。透過光罩與晶圓之間的投影鏡片(類似曝光時所使用的步進式投影曝光裝 置)晶圓上會形成光罩結構。晶圓上結構的形成則是透過雷射光以步進重複(Step-and-Repeat-System)的方式直接使鍍料沉積於晶圓上。

準分子雷射亦可使用於分離基板或晶圓上。

特色與優點

  • 通過縮小鏡頭獲得 2.5 微米以下的高解析度

Available for:

Automated Excimer Laser Stepper

Downloads
ELP300 Gen 2 Datasheet 485kb
SUSS Product Portfolio 990kb
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