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Das modulare System ACS300 Gen3 ist speziell für die anspruchsvollen Produktionsumgebungen der Massenfertigung konzipiert. Es bietet bewährte und technisch ausgereifte Coat-, Develop- and Bake-Funktionen, die sich flexibel an verschiedene Prozesse und Konfigurationen anpassen lassen. Ein hoher Grad an Prozesskontrolle unterstützt wirkungsvoll die vielseitige Einsatzmöglichkeit der Anlage. Darüber hinaus beansprucht die Anlage den kleinsten Footprint auf dem Markt für ein System mit acht Coatern und Developern. Diese sich positiv auf die Cost-of-Ownership auswirkenden Eigenschaften machen sie unverzichtbar für alle herausfordernden Anwendungen im Advanced-Packaging-Bereich wie Wafer-Level-Chip-Scale-Packaging, Fan-Out-Wafer-Level-Packaging, Copper-Pillar-Flip-Chip-Packaging und 3D-Packaging.
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Kleine Stellfläche durch Stapeln von Modulen
Effizienter Umgang mit Chemikalien
Flexibel in der Konfiguration
Hoher Durchsatz
Stabile Prozessergebnisse
Die ACS300 Gen3 erlaubt ein effizientes Stapeln der Module und spart damit wertvollen Platz im Reinraum. Bis zu zwölf Module können in einem dreistöckigen Modulsystem zweckmäßig aufeinandergestapelt werden. Weitere Einsparungen lassen sich mit den zahlreichen Features zum Sparen von Chemikalien erzielen. Ob SUSS MicroTecs patentiertes GYRSET-Verfahren, eine neuartige Dosiermethode oder ein chemisches Rezirkulationssystem – die Anlage setzt Chemikalien äußerst wirtschaftlich ein und entspricht daher selbst höchsten Nachhaltigkeitsstandards.
Die ACS300 Gen3 bedient verschiedenste Prozessanforderungen wie Auftragen von Fotolacken, Polyimid und PBO in nur einem System, was sie höchst effizient arbeiten lässt. Sie bietet außerdem die Möglichkeit, bis zu fünf Lacke oder vier Entwicklerchemikalien pro Modul einzusetzen – das schafft optimale Flexibilität bei Prozessen. Weiterhin werden durch die universelle Gestaltung der Hot-Plate keine speziellen Hot-Plates für unterschiedliche Prozesse benötigt. Mit der ACS300 Gen3 lassen sich gleichzeitig 200 und 300 mm Wafer zu prozessieren, ohne dass hierfür mechanische Änderungen an der Anlage vorgenommen werden müssen.
Die ACS300 Gen3 sticht auch in Hinsicht des Durchsatzes hervor. Mit einem optional erhältlichen zusätzlichen Robotersystem können bei einem Drei-Schritt-Prozess Durchsatzwerte von bis zu 240 Wafern pro Stunde erzielt werden. Durch eine moderne Prozesssteuerung kann die Prozessdauer optimiert werden: Neue Algorithmen für die Ablaufplanung lassen sich gezielt austauschen, wodurch eventuelle Engpässe in den Prozessabschnitten optimal ausgenutzt werden können. Darüber hinaus wirken Faktoren wie die Erwärmung der Entwicklerchemikalien oder Einstellung verschiedener Fließmodi positiv auf die Bearbeitungszeit.
Was die ACS300 Gen3 vor allem auszeichnet, ist ihr hoher Grad an Prozesskontrolle. Es ist möglich, Prozessdaten für alle wichtigen Parameter wie Temperatur, Fluss, Druck, Volumen, Spülrate, etc. kontinuierlich protokollieren zu lassen. Die Datenaufzeichnung erlaubt es, Prozessparameter äußerst präzise einzustellen, Schwachstellen zu identifizieren und gute Ergebnisse zu reproduzieren. Dadurch laufen Prozesse wesentlich stabiler und sind wiederholbar – damit erhöht sich die Ausbeute deutlich.
Beim Spin-Coaten wird ein drehendes Substrat mit einer Lösung gleichmäßig beschichtet. Die Lösung, z.B. ein fotosensitiver Lack, wird meist in der Mitte des Wafers dispensiert. Die anschließende Beschleunigung, Enddrehzahl und zeitliche Dauer der einzelnen Schritte sorgen nach dem Abschleudern eines Teils des Lacks für eine homogene Schichtdicke. Neben den Prozessparametern bestimmen die physikalischen Eigenschaften der Lösung bzw. des Fotolacks die Schichtdicke des aufgebrachten Films.
Das von SÜSS MicroTec patentierte GYRSET-Verfahren sorgt für entscheidende Vorteile. Beim GYRSET-Prinzip dreht sich die Prozesskammer während des Belackens synchron mit und reduziert so wirkungsvoll Luftturbulenzen über dem rotierenden Substrat. In der geschlossenen Kammer sättigt sich die Atmosphäre rascher als sonst mit Lösemitteln, so dass der Lack langsamer trocknet und sich dadurch gleichmäßiger über dem Substrat verteilt. Dies führt zu einer erheblichen Reduzierung des Materialverbrauchs.
Die Grenzen des Spin-Coaten liegen bei Strukturen mit hohen Topografien.
Highlights
Verfügbar in:
Automatische Belacker und Entwickler
Halbautomatische Belacker und Entwickler
Während dieses Prozesses wird eine definierte Menge Entwickler auf das belichtete Substrat aufgebracht und durch eine moderate Drehbewegung verteilt. Durch die Oberflächenspannung der Entwicklungslösung entsteht ein konvexer Flüssigkeitsspiegel (engl. „Puddle“) auf dem Wafer. Nach Ablauf der Entwicklungszeit wird die Entwicklungslösung durch eine erhöhte Rotationsgeschwindigkeit vom Wafer geschleudert. Anschließend wird der Wafer mit deionisiertem Wasser gespült und bei ebenfalls höherer Rotationsgeschwindigkeit getrocknet. Dieses Verfahrens bietet den Vorteil, nur eine geringe Menge an Entwicklungslösung zu benötigen und gleichzeitig sehr gute Entwicklungsergebnisse zu liefern.
Die Puddle-Entwicklung kommt bei Sättigung der Entwicklungslösung an ihre Grenzen, wenn beispielsweise eine große Menge entwickelten Fotolacks entfernt werden muss oder hohe Topografien einen Austausch der Entwicklungslösung behindern. In solchen Fällen wird ein mehrstufiges Puddle-Entwicklungsverfahren oder die Sprühentwicklung verwendet.
Highlights
Verfügbar in:
Automatische Belacker und Entwickler
Halbautomatische Belacker und Entwickler
Während des Sprühentwickelns wird das zu entwickelnde Substrat mit geringer Geschwindigkeit gedreht. Die belichteten Bereiche werden kontinuierlich über eine Düse mit frischer Entwicklungslösung besprüht, was eine Sättigung des Entwicklers verhindert. Diese Methode bietet gegenüber der Puddle-Entwicklung Vorteile bei dicken Fotolacken und großen, zu entwickelnden Flächen. Das Spülen mit deionisiertem Wasser und ein darauf folgendes Trockenschleudern schließen den Entwicklungsprozess ab.
Highlights
Verfügbar in:
Automatische Belacker und Entwickler
Halbautomatische Belacker und Entwickler
Beim GYRSET®-Prinzip dreht sich die Prozesskammer während des Belackens synchron mit und reduziert so wirkungsvoll Luftturbulenzen über dem rotierenden Substrat. In der geschlossenen Kammer sättigt sich die Atmosphäre rascher als sonst mit Lösemitteln, so dass der Lack langsamer trocknet und sich dadurch gleichmäßiger über dem Substrat verteilt. Dies führt zu einer erheblich Reduzierung des Materialverbrauchs.
Die GYRSET®-Technologie basiert auf:
Verfügbar in:
Automatische Belacker und Entwickler
Halbautomatische Belacker und Entwickler
Optimale und restlose Ausnutzung der Chemikalien.
Intelligente Ablaufplanung mit Algorithmen: Durchsatzsteigerung durch Vermeiden von Engpässen.
Gebogene und gewölbte Wafer werden vor der Justierung und Belichtung schonend flach gezogen. Aufgrund der vielen beeinflussenden Parameter bedarf eine optimale Auslegung dieses Toolings einer Anpassung an das jeweilige Substrat.