XB8 Wafer-Bonder

Universalgerät für Wafer-Bondprozesse mit hoher Bondkraft

Der XB8 Wafer Bonder ist für eine Vielzahl von Bondverfahren konzipiert und erlaubt eine Bearbeitung von Substraten bis zu einer Wafergröße von 200 mm. Alle Prozessparameter lassen sich je nach Anforderung flexibel anpassen, was die Anlage ideal für die Anwendung in Forschung und Entwicklung macht. In der Produktion sorgen der hohe Automatisierungsgrad und die durchdachte Konstruktion des XB8 für eine hohe Prozessstabilität. Damit ist der XB8 Wafer Bonder ideal für Anwendungen aus den Bereichen MEMS, Advanced-Packaging, 3D-Integration und LED geeignet.

Highlights

Flexibilität in der Prozessentwicklung

Prozessstabilität

Hohe Ausbeute

Hohe Wiederholgenauigkeit

Der XB8 Wafer Bonder verfügt über eine abgeschlossene Prozesskammer mit einer automatischen Beladefunktion. Während des Beladens wird die Kammer mit Stickstoff geflutet, um bestmögliche Sauberkeit sicherzustellen. Der hohe Automatisierungsgrad minimiert den Einfluss des Operators auf das Prozessergebnis. Die thermische Entkopplung des Heizers von der eigentlichen Bondkammer ermöglicht eine exakt reproduzierbare Prozesstemperatur und gleichzeitig eine bestmögliche Wiederholgenauigkeit der Bondkraft.

Homogene Temperatur- und Bondkraftverteilung 

Die thermisch entkoppelten, keramischen Heizer sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung und garantieren gleichzeitig eine optimale Bondkrafthomogenität über den gesamten Temperaturbereich. Ein optional verfügbares Mehrzonen-Heizsystem erlaubt eine erweiterte Regelung der Temperaturverteilung. Der innovative Aufbau des XB8 Wafer Bonders ermöglicht eine optimale Bondkraft- und Temperaturverteilung über den Wafer und somit eine hohe Ausbeute.

In Kombination mit den Bond Alignern von SUSS MicroTec bietet der XB8 eine hochpräzise Wafer-zu Wafer-Ausrichtung für den Bondprozess.

Für besondere Prozessbedingungen bietet der XB8 verschiedene spezialisierte Tooling-Optionen.

 

 

  • Bondkraft: bis zu 60 oder 100 kN, Wiederholgenauigkeit: < 2%
  • Temperatur bis 550 °C, Wiederholgenauigkeit: <1,5%
  • Präzise Einstellung aller Parameter im Bondrezept
  • Rampenfunktion
  • Schnelles Erhitzen (40 K/min) und aktives Kühlen (40 K/min) zur Reduzierung der Durchlaufzeit
  • Wafergrößen: 4, 6, 8 Zoll
  • Spezielles Tooling für Bruchteile

Adhäsives Bonden

Für Bondmethoden mit Polymeren und Adhäsiven stehen verschiedenste Materialien wie Epoxid, Trockenfilm, BCB, Polyimide und UV-härtende Verbindungen zur Verfügung.

Highlights:

  • Vergleichsweise niedrige Temperatur zum Schutz von sensiblen Bauteilen

Verfügbar:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Anodisches-Bonden

Das anodische Bonden beinhaltet das Verkapseln von Komponenten auf dem Wafer mittels ionischem Glas. Beim Dreifach-Stapel-Bonden werden drei Schichten (d.h. Glas-Silizium-Glas) gleichzeitig verbunden, was sowohl die Funktionalität als auch die Ausbeute verbessert.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Eutektisches-Bonden

Für das eutektische Bonden von Wafern wird sich die besondere Eigenschaft von eutektischen Metallen zunutze gemacht. Wie lötmetallartigen Legierungen sind diese in der Lage, schon bei niedrigen Temperaturen zu schmelzen. Das ermöglicht die Erzeugung planarer Oberflächen.

Eutektisches Bonden benötigt eine präzise Dosierung der Bondkraft sowie eine gleichmässige Verteilung der Temperatur, um „Reflow“-Löten des eutektischen Materials steuern zu können.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Fusions-Bonden

Fusions-Bonden bezeichnet die spontane Verbindung zweier planer Substrate. Dabei werden die polierten Scheiben nach einem Reinigungsprozess überwiegend hydrophil aufbereitet, in Kontakt gebracht und bei hohen Temperaturen getempert. Eine Plasmavorbehandlung ermöglicht eine Verbindung der Substrate bei Raumtemperatur.

Verfügbar:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Halbautomatische Bond-Aligner

Halbautomatische Mask- und Bond-Aligner

Glasfritt-Bonden

Bei Glasfritt-Bonden wird die Glasfritte mittels Siebdruck auf die Bondflächen appliziert. Die dabei entstandenen Strukturen werden aufgeschmolzen und mit dem zweiten Substrat in Kontakt gebracht. Beim Abkühlen entsteht eine mechanisch stabile Verbindung.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Hybrid-Bonden

Das Hybrid-Bonden basiert auf einem Thermokompressions-Bond zweier Metallschichten mit einem integrierten Fusionsbond. Bei diesem Prozess entsteht gleichzeitig eine elektrische (Metall-Bond) und eine mechanischer Fusionsbond) Verbindung.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Metalldiffusions-Bonden

Das Metalldiffusions-Bonden basiert auf Cu-Cu, Al-Al, Au-Au und anderen metallischen Bindungen. Darüber hinaus ermöglicht die Verwendung von Metalldiffusion, zwei Wafer in einem einzigen Schritt mechanisch und elektrisch miteinander zu verbinden. Die Technik ist für die Verbindung in 3D-Anwendungen wie 3D-Stacking erforderlich.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

SLID-Bonden

Das SLID-Bonden (engl. solid-liquid inter-diffusion) basiert auf der Diffusion und der Vermischung verschiedener Metalle. Die Schmelztemperatur der Legierung ist nach dem Bond sehr viel höher als die Bondtemperatur, was die Anwendungsbreite deutlich erhöht.

Verfügbar in:

Automatische Bonder

Halbautomatische Bonder

Gleichbleibende Ausrichtung trotz thermischer Ausdehnung.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Minimale Aussparungen beim Wafer-Kontakt.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Optimale Temperaturgleichförmigkeit über den Wafer.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Speziell für unregelmäßige Substratformen und empfindliches Material.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Unterstützt multiples Wafer-Bonden für einen hohen Durchsatz.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Downloads
XB8 Datenblatt 350kb
SÜSS Produktportfolio 990kb
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