XB8 Wafer-Bonder

Universalgerät für Wafer-Bondprozesse mit hoher Bondkraft

Der XB8 Wafer-Bonder ist für eine Vielzahl von Bondverfahren konzipiert und erlaubt eine Bearbeitung von Substraten bis zu einer Wafergröße von 200 mm. Alle Prozessparameter lassen sich je nach Anforderung flexibel anpassen, was die Anlage ideal für die Anwendung in Forschung und Entwicklung macht. In der Produktion sorgen der hohe Automatisierungsgrad und die durchdachte Konstruktion des XB8 für eine hohe Prozessstabilität. Damit ist der XB8 Wafer Bonder ideal für Anwendungen aus den Bereichen MEMS, Advanced Packaging, 3D-Integration und LED geeignet.

Highlights

  • Flexibilität in der Prozessentwicklung
  • Prozessstabilität
  • Hohe Ausbeute
XB8 Wafer-Bonder

Hohe Wiederholgenauigkeit

Der XB8 Wafer-Bonder verfügt über eine abgeschlossene Prozesskammer mit einer automatischen Beladefunktion. Während des Beladens wird die Kammer mit Stickstoff geflutet, um bestmögliche Sauberkeit sicherzustellen. Der hohe Automatisierungsgrad minimiert den Einfluss des Operators auf das Prozessergebnis. Die thermische Entkopplung des Heizers von der eigentlichen Bondkammer ermöglicht eine exakt reproduzierbare Prozesstemperatur und gleichzeitig eine bestmögliche Wiederholgenauigkeit der Bondkraft.

Homogene Temperatur- und Bondkraftverteilung

Die thermisch entkoppelten, keramischen Heizer sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung und garantieren gleichzeitig eine optimale Bondkrafthomogenität über den gesamten Temperaturbereich. Das einzigartige Mehrzonen-Heizsystem von SÜSS MicroTec erlaubt eine erweiterte Regelung der Temperaturverteilung. Der innovative Aufbau des XB8 Wafer-Bonders ermöglicht eine optimale Bondkraft- und Temperaturverteilung über den Wafer und somit eine hohe Ausbeute.

In Kombination mit den Bond Alignern von SÜSS MicroTec bietet der XB8 eine hochpräzise Wafer-zu Wafer-Ausrichtung für den Bondprozess.

Für besondere Prozessbedingungen bietet der XB8 verschiedene spezialisierte Tooling-Optionen.

Details

  • Substrate
  • Prozessparameter
  • Sequenzielle Entfernung von Abstandshaltern
  • Automatisiertes Beladen

Details : Unterstützte Bondprozesse

  • Adhäsiv
  • Anodisch
  • Eutektisch
  • Fusion
  • Glasfritt
  • Hybrid
  • Metalldiffusion
  • SLID

Bond Head

  • Bond-Head mit Center-Pin
  • Bond-Head ohne Center-Pin

Fixtures

  • Offene Fixtures
  • Geschlossene Fixtures
  • Multi-Bond-Fixtures

Videos