XB8 Wafer-Bonder

Universalgerät für Wafer-Bondprozesse mit hoher Bondkraft

Der XB8 Wafer-Bonder ist für eine Vielzahl von Bondverfahren konzipiert und erlaubt eine Bearbeitung von Substraten bis zu einer Wafergröße von 200 mm. Alle Prozessparameter lassen sich je nach Anforderung flexibel anpassen, was die Anlage ideal für die Anwendung in Forschung und Entwicklung macht. In der Produktion sorgen der hohe Automatisierungsgrad und die durchdachte Konstruktion des XB8 für eine hohe Prozessstabilität. Damit ist der XB8 Wafer Bonder ideal für Anwendungen aus den Bereichen MEMS, Advanced Packaging, 3D-Integration und LED geeignet.

Highlights

  • Flexibilität in der Prozessentwicklung
  • Prozessstabilität
  • Hohe Ausbeute
XB8 Wafer-Bonder

Hohe Wiederholgenauigkeit

Der XB8 Wafer-Bonder verfügt über eine abgeschlossene Prozesskammer mit einer automatischen Beladefunktion. Während des Beladens wird die Kammer mit Stickstoff geflutet, um bestmögliche Sauberkeit sicherzustellen. Der hohe Automatisierungsgrad minimiert den Einfluss des Operators auf das Prozessergebnis. Die thermische Entkopplung des Heizers von der eigentlichen Bondkammer ermöglicht eine exakt reproduzierbare Prozesstemperatur und gleichzeitig eine bestmögliche Wiederholgenauigkeit der Bondkraft.

Homogene Temperatur- und Bondkraftverteilung

Die thermisch entkoppelten, keramischen Heizer sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung und garantieren gleichzeitig eine optimale Bondkrafthomogenität über den gesamten Temperaturbereich. Das einzigartige Mehrzonen-Heizsystem von SUSS erlaubt eine erweiterte Regelung der Temperaturverteilung. Der innovative Aufbau des XB8 Wafer-Bonders ermöglicht eine optimale Bondkraft- und Temperaturverteilung über den Wafer und somit eine hohe Ausbeute.

In Kombination mit den Bond Alignern von SUSS bietet der XB8 eine hochpräzise Wafer-zu Wafer-Ausrichtung für den Bondprozess.

Für besondere Prozessbedingungen bietet der XB8 verschiedene spezialisierte Tooling-Optionen.

Details

  • Substrate
  • Prozessparameter
  • Sequenzielle Entfernung von Abstandshaltern
  • Automatisiertes Beladen
  • Wafergrößen: 4, 6, 8 Zoll
  • Spezielles Tooling für Bruchteile

Details : Unterstützte Bondprozesse

  • Adhäsiv
  • Anodisch
  • Eutektisch
  • Fusion
  • Glasfritt
  • Hybrid-Bonden
  • Metalldiffusion
  • SLID

Adhäsives Bonden

Für Bondmethoden mit Polymeren und Adhäsiven stehen verschiedenste Materialien wie Epoxid, Trockenfilm, BCB, Polyimide und UV-härtende Verbindungen zur Verfügung.

Highlight:

  • Vergleichsweise niedrige Temperatur zum Schutz von sensiblen Bauteilen

Verfügbar in:

Automatische Bonder
Halbautomatische Bonder

Bond-Kopf

  • Bond-Head mit Center-Pin
  • Bond-Head ohne Center-Pin

Der Bond-Head beinhaltet einen so genannten Center Pin. Mit diesem ist es möglich, einen Kontakt zwischen beiden Wafern an ihren Mittelpunkt herzustellen. Dadurch wird eine hervorragende Justierung auch nach der thermischen Ausdehnung der zu bondenden Wafer gewährleistet. Der Center Pin wird verwendet, um eine Fusionsverbindung in der Mitte des Wafer-Stacks zu initiieren oder um beim anodischen Bonden ein Pre-Bond zu setzen und somit beim Entfernen der Spacer eine Dejustage zu vermeiden.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

Fixtures

  • Offene Fixtures
  • Geschlossene Fixtures

Das offene Fixture verfügt über einen Transportring mit minimaler Kontaktfläche, auf der die Wafer gestützt werden. Diese Art des Fixtures ermöglicht den direkten Kontakt zwischen den Wafern und den oberen und unteren Tooling-Platten, die fest im Bonder verbaut sind. Dies führt zu einer optimalen Temperaturverteilung über die Wafer. Darüber hinaus ermöglicht dies optimale Aufheiz- und Abkühlraten und ist damit die beste Wahl für Applikationen mit hohem Durchsatz, da die untere und obere Tooling-Platte im Bonder verbleiben.

Verfügbar in:

Halbautomatische Bonder

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